公开(公告)号：CN101205605A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200610168334.5

申请日：2006-12-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 李一成 ,  石坂忠大 ,  山本薰 ,  五味淳 ,  原正道 ,  藤里敏章 ,  雅克·法盖特 ,  水泽宁

IPC: C23C16/46 ,  C23C16/513 ,  C23C16/52 ,  C23C16/06 ,  C23C16/22

Abstract: 本发明公开了在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质以及系统：将衬底布置在处理系统的处理空间中，处理空间与处理系统的传递空间真空隔离；在处理空间中的第一位置或第二位置对衬底进行处理，同时保持与传递空间的真空隔离；在第一位置或第二位置在所述衬底上沉积材料。同样，该系统包括第一组件，第一组件设置有便于材料沉积的处理空间；第二组件，连接到第一组件并具有便于将衬底传递进出沉积系统的传递空间；衬底载台，连接到第二组件并设置为支撑衬底以及将衬底在传递空间中的第一位置到处理空间中的第二位置之间进行平移。该系统包括密封组件，密封组件设置为在衬底在处理空间中平移的过程中阻挡气体在处理空间与传递空间之间的流动。

公开(公告)号：CN102341902A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201080010695.1

申请日：2010-03-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五味淳 ,  水泽宁 ,  波多野达夫 ,  原正道 ,  山本薰 ,  多贺敏 ,  安室千晃

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/458 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68785 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明涉及为了在能够真空排气的处理容器内，使用包含有机金属化合物的原料的原料气体在被处理体的表面形成薄膜而载置该被处理体的载置台结构。根据本发明的载置台结构，其特征在于，具备：载置台主体，载置被处理体并且在内部设置有加热器；和基台，以包围上述载置台主体的侧面和底面的状态支撑上述载置台主体，并且在内部设置有流通致冷剂的致冷剂通路，维持在低于原料气体的分解温度且在原料气体的凝固温度或液化温度以上的温度范围。

公开(公告)号：CN1582487B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN02811016.1

申请日：2002-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  饭塚八城 ,  山本薰

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32431 ,  H01J2237/20

Abstract: 本发明的等离子体处理装置具有：带电介质壁的处理室；和设在所述处理室内，具有载置被处理体的载置面的载置台。经所述电介质壁，在所述处理室内激起感应等离子体。设有可装卸自由地覆盖所述载置台的至少载置面的电介质部件。

公开(公告)号：CN101521150A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910118177.0

申请日：2002-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  饭塚八城 ,  山本薰

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H05H1/24

Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：搬入被处理体的第一处理容器；设置在所述第一处理容器上方，由第一电介质部件构成的第二处理容器；设置在所述第二处理容器，用于在所述处理容器生成等离子体的天线部件；配置在所述第一处理容器内，支撑所述被处理体的第一载置台；按照覆盖所述第一载置台的上面的方式配置的、在该上面用于载置所述载置台的由第二感应部件构成的第二载置台；向所述处理容器内导入处理气体的气体导入部；和对所述处理容器内进行排气的排气装置。

公开(公告)号：CN1582487A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN02811016.1

申请日：2002-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  饭塚八城 ,  山本薰

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32431 ,  H01J2237/20

Abstract: 本发明的等离子体处理装置具有：带电介质壁的处理室；和设在所述处理室内，具有载置被处理体的载置面的载置台。经所述电介质壁，在所述处理室内激起感应等离子体。设有可装卸自由地覆盖所述载置台的至少载置面的电介质部件。

公开(公告)号：CN102725438B

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201180007205.7

申请日：2011-03-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原正道 ,  山本薰 ,  五味淳 ,  多贺敏

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/45593 ,  H01L21/28556

Abstract: 使用包括有机金属化合物的原料气体形成薄膜的成膜装置具备：内部能够真空排气的处理容器（22）；载置被处理体（W），并且设置有对被处理体（W）进行加热的加热器（34）的载置台（28）；在载置台（28）的上方与载置台（28）相对设置，向着载置台（28）上的被处理体（W）外周端更外侧的区域导入原料气体的气体导入机构（80）；包围载置台（28）的上方的处理空间（S），划分处理空间的内外，并且以其下端部接近载置台（28）的方式设置，在下端部与载置台（28）的周边部之间形成气体出口（92）的内部划分壁（90）；在内部划分壁（90）的下端部，向着载置台（28）的半径方向的内方延伸设置，在与载置台（28）的周边部之间形成与气体出口（92）连通的孔口部（98）的孔口形成部件（96）。

公开(公告)号：CN101802976B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200880106639.0

申请日：2008-09-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原正道 ,  五味淳 ,  前川伸次 ,  多贺敏 ,  山本薰

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67103 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种基板载置机构、基板处理装置、抑制在基板载置机构上堆积膜的方法和存储介质。基板载置机构载置被处理基板，包括：加热器板21，其具有被处理基板载置面21a，并且埋设有将被处理基板W加热至堆积形成膜的成膜温度的加热体21b；和调温护套22，其以至少覆盖加热器板21的被处理基板载置面21a以外的表面的方式形成，并且其温度为低于成膜温度的非成膜温度。

公开(公告)号：CN101772590A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200880100433.7

申请日：2008-09-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原正道 ,  五味淳 ,  前川伸次 ,  山本薰 ,  多贺敏

IPC: C23C16/448 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/4481 ,  Y10T137/8158 ,  Y10T137/8376

Abstract: 原料气体供给系统(6)，对成为减压环境的气体使用系统(2)供给原料气体。系统具有：存留液体原料或者固体原料的原料罐(40)、一端与原料罐连接而另一端与气体使用系统连接的原料通路(46)、向原料罐内供给运载气体的运载气体供给机构(54)、在原料通路的中途设置的开闭阀(48，50)、加热原料通路以及开闭阀的加热器(64)、控制加热器的温度控制部(92)。原料通路以及上述开闭阀使用具有良好导热性的金属材料形成。

公开(公告)号：CN100388434C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200380110150.8

申请日：2003-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  田中澄 ,  山本薰

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32431 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  Y10T279/23

Abstract: 半导体处理用的基板保持结构(50)包括配置在处理室(20)内的、放置被处理基板(W)的放置台(51)。在放置台(51)内形成收容作为热交换介质而使用的流体的温度调节空间(507)。为了将高频电力导入放置台(51)而配置导电性传送路径(502)。在传送路径(502)内形成有相对温度调节空间(507)进行热交换介质流体的供给或者排出的流路(505、506)。

公开(公告)号：CN101866806B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201010158499.0

申请日：2002-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  饭塚八城 ,  山本薰

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32431 ,  H01J2237/20

Abstract: 本发明的等离子体处理装置具有：处理室；设在所述处理室内，载置被处理体的载置台；设在所述处理室中，具有按照向着所述处理室内的中央的空间部喷出处理气体的方式开口的多个气体喷出孔的气体导入部；和设置在所述处理室的外侧、用于在所述处理室内生成等离子体的作为感应线圈的天线部件，该等离子体处理装置的特征为，利用所述天线部件，在所述处理室内激起等离子体，所述多个气体喷出孔向着处理室内的一点开孔。