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公开(公告)号：CN104472020A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380036701.4
申请日：2013-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/00 , C23C16/511 , H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H05H1/46
CPC classification number: G01R27/06 , G01R27/28 , H01J37/321 , H01J37/32192 , H01J37/32926 , H05H1/46 , H05H2001/463 , H05H2001/4682
Abstract: 等离子体处理装置(1)包括处理容器(2)和具有多个微波导入组件(61)的微波导入装置(5)。向多个微波导入组件(61)中的每个导入微波，基于该微波和从处理容器(2)反射至多个微波导入组件(61)的反射微波，求取多个微波导入组件(61)的每个组合的S参数。
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公开(公告)号：CN1602543A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN02824694.2
申请日：2002-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/302 , H05H1/46 , H01P5/00 , H01J27/16 , H01J37/08 , C23C16/511 , C23F4/00
CPC classification number: H01J37/32256 , H01J37/32192 , H01J37/32568 , H01P5/103
Abstract: 本发明提供了一种等离子体处理装置，可通过使匹配电路小型化而在密封盖部上一体化装载微波发生源等。等离子体处理装置，其特征在于，包括：可抽为真空的处理容器(42)；载放台(44)，设置在上述处理容器内，载放被处理体；微波透过板(70)，设置在上述处理容器的顶部的开口部；平面天线部件(74)，用于经上述微波透过板将微波供给上述处理容器内；密封盖体(78)，接地，使其覆盖上述平面天线部件的上方；波导管(82)，将来自微波发生源的微波导入到上述平面天线部件；部件升降机构(85)，相对改变上述天线部件和上述密封盖体间的上下方向上的距离；调谐棒(104)，设置成可插入到上述波导管内；调谐棒驱动机构(102)，移动上述调谐棒能够调整其插入量；匹配控制部(114)，通过控制上述平面天线部件的升降量和上述调谐棒的插入量来进行匹配调整。
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公开(公告)号：CN112509900B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202010920018.9
申请日：2020-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，在基板的背面进行局部的成膜。该等离子体处理装置具有：处理容器；基板保持机构，其配置于所述处理容器内，并保持基板；电介质窗，其配置于所述基板保持机构的下方；以及相控阵天线，其配置于所述电介质窗的下方，并放射多个电磁波。
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公开(公告)号：CN112509900A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010920018.9
申请日：2020-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，在基板的背面进行局部的成膜。该等离子体处理装置具有：处理容器；基板保持机构，其配置于所述处理容器内，并保持基板；电介质窗，其配置于所述基板保持机构的下方；以及相控阵天线，其配置于所述电介质窗的下方，并放射多个电磁波。
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公开(公告)号：CN112153771A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010566187.7
申请日：2020-06-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种加热装置、加热方法以及基板处理装置。对加热对象物进行加热的加热装置具备：加热构件，其包括电磁波吸收体，并且对加热对象物进行支承；电磁波照射部，其向加热构件的与支承加热对象物的面相反一侧的照射面照射电磁波；以及控制部。电磁波照射部具有：电磁波输出部，其输出电磁波；以及天线单元，其构成相控阵天线，天线单元具有多个天线模块，所述多个天线模块具有放射电磁波的天线以及调整从天线放射出的电磁波的相位的移相器，控制部控制多个天线模块的移相器，以使从多个天线放射出的电磁波的相位通过干涉而聚集于加热构件的任意的部分，并且控制部控制多个天线模块的移相器，以使电磁波的聚集部分在加热构件的照射面处扫描。
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公开(公告)号：CN101523575B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200780036197.2
申请日：2007-09-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L29/78 , H01L21/76
CPC classification number: H01L21/76229 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/31662 , H01L21/7621
Abstract: 本发明提供等离子体氧化处理方法、等离子体处理装置和存储介质。该等离子体氧化处理方法包括：在配置在等离子体处理装置的处理容器内的载置台上载置表面具有硅的被处理体的工序；在处理容器内形成含氧的处理气体的等离子体的工序；在形成等离子体时，向载置台供给高频电力，向被处理体施加高频偏压的工序；和利用等离子体，氧化被处理体表面的硅，形成硅氧化膜的工序。
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公开(公告)号：CN101523575A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780036197.2
申请日：2007-09-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L29/78 , H01L21/76
CPC classification number: H01L21/76229 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/31662 , H01L21/7621
Abstract: 本发明提供等离子体氧化处理方法、等离子体处理装置和存储介质。该等离子体氧化处理方法包括：在配置在等离子体处理装置的处理容器内的载置台上载置表面具有硅的被处理体的工序；在处理容器内形成含氧的处理气体的等离子体的工序；在形成等离子体时，向载置台供给高频电力，向被处理体施加高频偏压的工序；和利用等离子体，氧化被处理体表面的硅，形成硅氧化膜的工序。
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公开(公告)号：CN1322559C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN02824694.2
申请日：2002-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/302 , H05H1/46 , H01P5/00 , H01J27/16 , H01J37/08 , C23C16/511 , C23F4/00
CPC classification number: H01J37/32256 , H01J37/32192 , H01J37/32568 , H01P5/103
Abstract: 本发明提供了一种等离子体处理装置，可通过使匹配电路小型化而在密封盖部上一体化装载微波发生源等。等离子体处理装置，其特征在于，包括：可抽为真空的处理容器(42)；载放台(44)，设置在上述处理容器内，载放被处理体；微波透过板(70)，设置在上述处理容器的顶部的开口部；平面天线部件(74)，用于经上述微波透过板将微波供给上述处理容器内；密封盖体(78)，接地，使其覆盖上述平面天线部件的上方；波导管(82)，将来自微波发生源的微波导入到上述平面天线部件；部件升降机构(85)，相对改变上述天线部件和上述密封盖体间的上下方向上的距离；调谐棒(104)，设置成可插入到上述波导管内；调谐棒驱动机构(102)，移动上述调谐棒能够调整其插入量；匹配控制部(114)，通过控制上述平面天线部件的升降量和上述调谐棒的插入量来进行匹配调整。
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