公开(公告)号：CN103219234A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310024535.8

申请日：2013-01-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西村荣一 ,  小嗣义 ,  山下扶美子

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32706 ,  H01J2237/3343 ,  H01J2237/3348 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，优化通过嵌段共聚物的自组装形成的周期图案的蚀刻条件。对通过能够自组装的嵌段共聚物的第一聚合物和第二聚合物自组装而形成的周期图案进行蚀刻，该蚀刻方法的特征在于包括：向处理室内导入气体的工序；设定高频电源的频率，使得离子能量大量分布在比产生上述第一聚合物的蚀刻产额的离子能量分布小、且为产生上述第二聚合物的蚀刻产额的离子能量分布以上的范围中，从上述高频电源向上述处理室内供给高频电力的工序；和利用上述高频电力由被导入到上述处理室内的气体生成等离子体，使用所生成的等离子体蚀刻载置于载置台的被处理体上的上述周期图案的工序。

公开(公告)号：CN102148153B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201110020639.2

申请日：2011-01-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田原慈 ,  山下扶美子 ,  西村荣一 ,  大岩德久 ,  松下贵哉 ,  富田宽

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/67028 ,  H01L21/02057

Abstract: 本发明提供基板清洁方法及基板清洁装置。该基板清洁方法及基板清洁装置在利用等离子体蚀刻形成包含硅层的暴露部的图案时，不对图案产生损伤就能够除去副生成物和除去残留氟。该基板清洁方法在利用等离子体蚀刻形成基板上的图案之后清洁基板的表面，该基板清洁方法包括：副生成物除去工序，在该工序中，将基板暴露于HF气体气氛中而除去副生成物；残留氟除去工序，在该工序中，将清洁气体等离子化并使其作用于基板，除去残留于该基板上的氟，上述清洁气体包含氢气及作为构成元素含有碳和氢的化合物的气体。

公开(公告)号：CN102315095A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110194328.8

申请日：2011-07-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田原慈 ,  西村荣一 ,  山下扶美子 ,  富田宽 ,  大岩德久 ,  大口寿史 ,  大村光广

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/02071

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法以及半导体装置的制造方法，能够抑制由侧面蚀刻而引起的图案变细的问题并且通过干燥处理来高效率地去除含有堆积在图案侧壁的金属的堆积物。该等离子处理方法经过对形成在基板上的金属层进行等离子体蚀刻的工序来形成层叠结构中具有金属层的图案之后，去除含有构成金属层的金属的图案并在侧壁部堆积的堆积物，具备以下工序：保护层形成工序，在金属层的侧壁部形成该金属的氧化物或者氯化物；堆积物去除工序，使含有氟原子的气体的等离子体发生作用来去除堆积物；以及还原工序，在保护层形成工序和堆积物去除工序之后，使含有氢的等离子体发生作用来还原金属的氧化物或者氯化物。

公开(公告)号：CN101833239A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010132410.3

申请日：2010-03-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西村荣一 ,  栉引理人 ,  山下扶美子

IPC: G03F7/00

CPC classification number: H01L21/32139 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  Y10T428/24215 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/2495

Abstract: 本发明提供了一种基板处理方法，该基板处理方法能够在处理对象膜上形成减少杂乱形状的开口部。在具有被处理膜(37)、形成在被处理膜(37)上的由多个小宽度的线部(38a)组成的光致抗蚀剂膜(38)和覆盖在各线部(38a)之间露出的被处理膜(37)以及线部(38a)上的Si氧化膜(40)的晶片W上，对Si氧化膜(40)实施蚀刻，使光致抗蚀剂膜(38)和各线部(38a)之间的被处理膜(37)露出，选择地除去露出的光致抗蚀剂膜(38)，再对残留的Si氧化膜(40)(一对线部(42a、42b))实施蚀刻。