公开(公告)号：CN102959692A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180032822.2

申请日：2011-04-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小津俊久

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7843 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种当对形成在基板上的绝缘膜进行蚀刻时能够防止在绝缘膜的底层产生氧等离子体的坏影响的蚀刻方法。本发明的蚀刻方法包括：第一蚀刻工序，使绝缘膜（222）暴露于被等离子体化的处理气体中，对绝缘膜（222）进行蚀刻，直到厚度方向的中途；沉积物去除工序，使第一蚀刻工序结束时残存的绝缘膜（222）暴露于被氧等离子体中，去除沉积在残存的绝缘膜（222）的表面上的沉积物；和第二蚀刻工序，使残存的绝缘膜（222）暴露于被等离子体化的处理气体中，对残存的绝缘膜（222）进行蚀刻。

公开(公告)号：CN119487618A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202380049160.2

申请日：2023-06-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本直树 ,  小津俊久 ,  中村谕 ,  清水祐介

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供减少离子通量的分布的不均的技术。提供一种等离子体处理方法，其在具有腔室和配置于上述腔室内的基片支承部的等离子体处理装置中，在上述腔室内生成等离子体来对基片执行等离子体处理。等离子体处理方法包括：(a)预先保存第一分布数据的步骤，上述第一分布数据是关于在上述腔室内生成的等离子体与配置于上述基片支承部的第一基片之间产生的离子通量的分布的数据；(b‑a)将第二基片配置在上述基片支承部的步骤；和(b‑b)基于上述第一分布数据在上述腔室内生成等离子体，来对上述第二基片执行等离子体处理的等离子体处理步骤。

公开(公告)号：CN117438274A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310893460.0

申请日：2023-07-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本直树 ,  小津俊久 ,  中村谕 ,  清水祐介

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 提供一种在等离子体处理的执行中检测特异点的技术。本公开涉以及的检测方法是在等离子体处理装置中执行的检测方法，所述等离子体处理装置具备等离子体处理腔室、配置于所述等离子体处理腔室内的基板支持部以及配置于所述基板支持部内的多个加热器，所述检测方法包含：在所述基板支持部上配置基板的工序；在所述等离子体处理腔室内生成等离子体并对所述基板执行等离子体处理的工序；在所述等离子体处理腔室内生成了等离子体的状态下，对所述多个加热器分别测量温度的工序；基于测量的所述多个加热器的温度检测所述基板支持部中的温度的特异点的工序。还提供一种等离子体处理装置。

公开(公告)号：CN104054163B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280066942.9

申请日：2012-11-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井上雅喜 ,  小津俊久 ,  谷川雄洋 ,  吉川润

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659

Abstract: 在一实施方式中，提供一种对在表面上暴露有含有Ni和Si的第1层和含有Si和N的第2层的被处理基体中的第2层进行蚀刻的方法。一实施方式的方法包括：(a)在处理容器内准备被处理基体的工序；以及(b)向处理容器内供给不含有氧而含有碳和氟的第1处理气体并在该处理容器内产生等离子体的工序。

公开(公告)号：CN102210015B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN200980145127.X

申请日：2009-11-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西塚哲也 ,  高桥正彦 ,  小津俊久

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76229

Abstract: 一种使用等离子体蚀刻装置的蚀刻方法，该等离子体蚀刻装置具备有处理容器、载置台、微波供给单元、气体供给单元、排气装置、向载置台供给交流偏置电力的偏置电力供给单元和控制交流偏置电力的偏置电力控制单元，其中偏置电力控制单元以下述方式对交流偏置电力进行控制：交替地重复向载置台的交流偏置电力的供给和停止，使得供给交流偏置电力的期间与供给交流偏置电力的期间和停止交流偏置电力的期间的合计期间之比在0.1以上0.5以下。

公开(公告)号：CN104054163A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201280066942.9

申请日：2012-11-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井上雅喜 ,  小津俊久 ,  谷川雄洋 ,  吉川润

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659

Abstract: 在一实施方式中，提供一种对在表面上暴露有含有Ni和Si的第1层和含有Si和N的第2层的被处理基体中的第2层进行蚀刻的方法。一实施方式的方法包括：(a)在处理容器内准备被处理基体的工序；以及(b)向处理容器内供给不含有氧而含有碳和氟的第1处理气体并在该处理容器内产生等离子体的工序。

公开(公告)号：CN102403183A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110287142.7

申请日：2011-09-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  佐佐木胜 ,  桥本润 ,  吉村正太 ,  小津俊久 ,  西塚哲也

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656

Abstract: 本发明提供能够更精确地蚀刻成所希望的形状的等离子体蚀刻处理装置及其方法和半导体元件制造方法。等离子体蚀刻处理装置11包括：在内部对被处理基板进行蚀等离子体处理的处理容器12；向处理容器12内供给等离子体处理用的气体的气体供给部13；配置在处理容器12内，在其上支承被处理基板W的支承台14；产生等离子体激励用的微波的微波发生器15；使用由微波发生器15产生的微波，在处理容器12内产生等离子体的等离子体发生单元；调整处理容器12内的压力的压力调整单元；向支承台14供给交流偏置电力的偏置电力供给单元；以交替反复地进行停止和供给的方式控制偏置电力供给单元的交流偏置电力的控制单元。