公开(公告)号：CN100526501C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200680000634.0

申请日：2006-01-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  星野智久

IPC: C23C16/448 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/4482 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明提供一种气化装置(6)，将被压送来的液体原料在减压气氛中使之气化而产生原料气体，将该原料气体与载气一起送出，包括暂时储存压送来的液体原料的贮液室(70)、经由阀口(66)与贮液室连通的气化室(62)、从贮液室的侧就位在分隔阀口的阀座上的阀芯(72)、驱动阀芯的驱动器(81)、设置在朝向阀芯的阀口的位置上的载气喷射口(92)、以及将气化室内的原料气体排出的排出口(28)。根据载气喷射口的特定的配置，防止未经气化的液体原料残留在气化装置的阀口的下游侧。

公开(公告)号：CN100369230C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN01820602.6

申请日：2001-12-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  有马进 ,  山崎英亮 ,  河野有美子

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/205 ,  C23C14/50 ,  C23C16/458

CPC classification number: H01L21/68721 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6835 ,  H01L2924/3025

Abstract: 在将一薄膜沉积在晶片的一处理面上并将该晶片移出处理腔之后，夹具的接触凸台与基座接触从而加热该夹具。下一步，在将其上沿未沉积薄膜的晶片移入时，提升夹具将该晶片布置在基座上。之后，该夹具与晶片接触并且将该晶片稳定到一预定温度。之后，将一薄膜沉积在晶片的处理表面上。

公开(公告)号：CN101006199A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200580027616.7

申请日：2005-11-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吉井直树 ,  小岛康彦

IPC: C23C16/52 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  C23C16/455 ,  C23C28/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: C23C14/165 ,  C23C10/02 ,  C23C10/06 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/14 ,  C23C14/345 ,  C23C26/00 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76873

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，即使在具有纵横比大的凹部的被处理体的表面使用凝集性高的金属的情况下，也能够形成连续的薄膜。该方法包括以下工序，将基板搬入反应容器内并进行载置的工序；向反应容器内供给包括第一金属化合物的原料气体、并使该第一金属化合物吸附于基板表面的工序；使该第一金属化合物与活性化还原性气体而得到的还原用等离子体接触，而得到第一金属层的工序；以及，使溅射用等离子体接触至少表面部是由与第一金属不同的第二金属所构成的靶电极，将逸出的第二金属注入第一金属层，得到合金层的工序，进行一次以上的这些吸附、还原、及合金化的一系列的循环。利用该方法，即使是在第一金属的凝集力强的情况下也能够抑制基板的移动，形成连续的膜厚小的薄膜。

公开(公告)号：CN101006197A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200680000634.0

申请日：2006-01-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  星野智久

IPC: C23C16/448 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/4482 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明提供一种气化装置(6)，将被压送来的液体原料在减压气氛中使之气化而产生原料气体，将该原料气体与载气一起送出，包括暂时储存压送来的液体原料的贮液室(70)、经由阀口(66)与贮液室连通的气化室(62)、从贮液室的侧就位在分隔阀口的阀座上的阀芯(72)、驱动阀芯的驱动器(81)、设置在朝向阀芯的阀口的位置上的载气喷射口(92)、以及将气化室内的原料气体排出的排出口(28)。根据载气喷射口的特定的配置，防止未经气化的液体原料残留在气化装置的阀口的下游侧。

公开(公告)号：CN1906327A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200580001493.X

申请日：2005-02-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吉井直树 ,  小岛康彦

IPC: C23C16/455

CPC classification number: H01L21/76841 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/515 ,  H01L21/28562

Abstract: 本发明提供一种通过交替向基板供给含金属的成膜原料和还原性气体，在上述基板上形成含金属的薄膜的成膜方法，通过等离子体将上述成膜原料的至少一部分在气相中进行离解或分解，并供给到基板上。

公开(公告)号：CN101490817B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200780027502.1

申请日：2007-06-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  池田太郎

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、半导体装置和计算机程序。制造铜膜与其基底膜的密合性良好而且配线间的电阻小的半导体装置。将包括吸收有大气中的水分的多孔质绝缘膜(SiOC膜11)，在该绝缘膜上形成有槽(100)的基板(晶片W)载置在处理容器内。在基板上被覆由阀金属构成的第一基底膜(Ti膜13)。由从绝缘层释放出的水分，氧化与绝缘膜接触的第一膜的表面形成钝化膜(13a)。在第一基底膜的表面被覆由阀金属的氮化物或者碳化物构成的第二基底膜，利用以铜的有机化合物为原料的CVD法在第二基底膜的表面形成铜膜(15)。

公开(公告)号：CN102348830A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201080011240.1

申请日：2010-02-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 桧皮贤治 ,  小岛康彦

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/18 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 对保持于相对高的第1温度且具有作为成膜基底膜的Ru膜的晶片供给含有Cu配位化合物的成膜原料，在晶片上生成Cu的初期核，之后，对保持于相对低的第2温度的晶片供给含有Cu配位化合物的成膜原料，在生成有Cu的初期核的晶片上沉积Cu。

公开(公告)号：CN101490818B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200780027573.1

申请日：2007-06-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  池田太郎 ,  波多野达夫

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/18 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、计算机程序以及存储介质，可以制造出能够抑制有机杂质层的形成并且铜膜与成为衬底的金属之间的密接性良好的半导体装置。将表面被由钛等氧化倾向高的金属构成的隔离金属层(衬底膜)(13)所覆盖的基板(晶片W)载置在处理容器内。在开始供给水蒸气的同时或者之后，供给由铜的有机化合物(例如Cu(hfac)TMVS)构成的原料气体，在通过水蒸气而形成有氧化物层(13a)的隔离金属层(13)的表面形成铜膜。接着，对该晶片(W)实施热处理，使氧化物层(13a)转化成构成隔离金属层(13)的金属和铜的合金层(13b)。

公开(公告)号：CN101115864B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200680004339.2

申请日：2006-01-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吉井直树 ,  小岛康彦 ,  佐藤浩

IPC: C23C16/44

CPC classification number: C23C16/45542 ,  C23C16/06 ,  C23C16/45529 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/24975

Abstract: 本发明提供一种与基底的密着性高、能够抑制膜剥离的发生、而且即使微细化进一步发展也能够充分地提高阶梯覆盖、而且能够使合金种的元素充分地扩散的薄膜的叠层结构的形成方法。在该方法中，在能够抽真空的处理容器(4)内在被处理体的表面上堆积多层薄膜而形成薄膜的叠层结构，将以下工序分别交替进行1次以上：使用含有作为合金种的第一金属的原料气体和还原气体，形成由第一金属构成的合金种膜(104)的合金种膜形成工序；和使用含有与上述第一金属不同的作为母材的第二金属的原料气体和还原气体，形成比上述合金种膜厚的由第二金属构成的母材膜(106)的母材膜形成工序。

公开(公告)号：CN101684547A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200910205875.4

申请日：2005-02-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  吉井直树

IPC: C23C16/06 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/18 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45553

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，利用反复进行下述工序的ALD(AtomicLayer Deposition)法，在基板上形成Cu膜：将蒸汽压高，对衬底湿润性好的Cu羧酸络合物或其衍生物气化，作为原料气体使用，且使用H 2 作为还原气体，使原料气体吸附在基板上的工序；和利用还原气体还原吸附的原料气体，形成Cu膜的工序。由此可形成保形(conformal)良好膜质的Cu薄膜。