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公开(公告)号：CN114381700B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202111126707.3
申请日：2021-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射装置和磁控溅射方法。磁控溅射装置包括：真空容器；多个溅射机构，其分别包括靶材、磁体排列体和使磁体排列体在第一位置与第二位置之间往复移动的移动机构；电源，为了利用被选择的溅射机构在基片上进行成膜，而向上述靶材供给电功率来形成等离子体；向上述真空容器内供给用于形成上述等离子体的气体的气体供给部；和控制部，在进行上述成膜时输出控制信号，使得俯视时彼此的上述磁体排列体的移动路径的延长线交叉的上述被选择的溅射机构的该磁体排列体与上述未选择的溅射机构的该磁体排列体以彼此不靠近的方式同步地移动。根据本发明，在进行磁控溅射处理时，能够抑制为了形成等离子体而施加于靶材的电压的变动。
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公开(公告)号：CN114381700A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111126707.3
申请日：2021-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射装置和磁控溅射方法。磁控溅射装置包括：真空容器；多个溅射机构，其分别包括靶材、磁体排列体和使磁体排列体在第一位置与第二位置之间往复移动的移动机构；电源，为了利用被选择的溅射机构在基片上进行成膜，而向上述靶材供给电功率来形成等离子体；向上述真空容器内供给用于形成上述等离子体的气体的气体供给部；和控制部，在进行上述成膜时输出控制信号，使得俯视时彼此的上述磁体排列体的移动路径的延长线交叉的上述被选择的溅射机构的该磁体排列体与上述未选择的溅射机构的该磁体排列体以彼此不靠近的方式同步地移动。根据本发明，在进行磁控溅射处理时，能够抑制为了形成等离子体而施加于靶材的电压的变动。
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公开(公告)号：CN101688303B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200880022749.9
申请日：2008-08-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/677
CPC classification number: C23C16/54 , C23C16/4401 , H01L21/67742
Abstract: 本发明提供一种真空处理系统(1)，其具备：CVD处理室(12～15)，其在真空下对晶片(W)进行CVD处理；搬送室(11)，其具有搬入/搬出晶片(W)的搬入搬出口(31)，经由能够使搬入搬出口(31)开闭的门阀(G)连接CVD处理室(12～15)，具备将晶片(W)经由搬入搬出口(31)相对于CVD处理室(12～15)搬入搬出的搬送机构(16)，该处理室内部保持为真空状态；清扫气体喷出构件(51)，其设于搬入搬出口(31)附近，在打开门阀(G)而将搬送室(11)与任一个CVD处理室连通的状态下，经由搬入搬出口(31)向该CVD处理室喷出清扫气体。
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公开(公告)号：CN101688303A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880022749.9
申请日：2008-08-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/677
CPC classification number: C23C16/54 , C23C16/4401 , H01L21/67742
Abstract: 本发明提供一种真空处理系统(1)，其具备：CVD处理室(12～15)，其在真空下对晶片(W)进行CVD处理；搬送室(11)，其具有搬入/搬出晶片(W)的搬入搬出口(31)，经由能够使搬入搬出口(31)开闭的门阀(G)连接CVD处理室(12～15)，具备将晶片(W)经由搬入搬出口(31)相对于CVD处理室(12～15)搬入搬出的搬送机构(16)，该处理室内部保持为真空状态；清扫气体喷出构件(51)，其设于搬入搬出口(31)附近，在打开门阀(G)而将搬送室(11)与任一个CVD处理室连通的状态下，经由搬入搬出口(31)向该CVD处理室喷出清扫气体。
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公开(公告)号：CN1788106A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200480013128.6
申请日：2004-05-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/45525
Abstract: 本发明涉及一种使用原料气体和反应性气体对被处理体(例如半导体晶片)进行成膜处理等的处理装置。该装置具有：内部容纳被处理体(W)的处理容器(22)，分别向处理容器内选择性地供给原料气体和反应性气体的原料气体供给系统(50)和反应性气体供给系统(52)，和用于对处理容器内的环境气体进行真空排气、具有真空泵(44、46)的真空排气系统(36)。该装置还具有使原料气体和反应性气体分别绕过处理容器，从各气体供给系统选择性地流入真空排气系统的原料气体旁路系统(62)和反应性气体旁路系统(66)。在各旁路系统(62、66)中，分别设置有在关闭状态下防止原料气体和反应性气体向真空排气系统流出的原料气体流出防止阀(X1)和反应性气体流出防止阀(Y1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114731104B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202080080938.2
申请日：2020-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供一种输送基板的基板输送装置。基板输送装置包括：第1平面马达，其设于第1室，并具有排列着的线圈；第2平面马达，其设于与所述第1室连接的第2室，并具有排列着的线圈；一对输送单元，其在所述第1平面马达和/或所述第2平面马达上移动，并能够输送基板；以及控制部，其控制所述第1平面马达和所述第2平面马达的线圈的通电。
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公开(公告)号：CN114731104A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080080938.2
申请日：2020-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H02K41/03
Abstract: 提供一种输送基板的基板输送装置。基板输送装置包括：第1平面马达，其设于第1室，并具有排列着的线圈；第2平面马达，其设于与所述第1室连接的第2室，并具有排列着的线圈；一对输送单元，其在所述第1平面马达和/或所述第2平面马达上移动，并能够输送基板；以及控制部，其控制所述第1平面马达和所述第2平面马达的线圈的通电。
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公开(公告)号：CN114068373A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110832495.4
申请日：2021-07-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本公开涉及一种真空搬送装置、基板处理系统和基板处理方法。真空搬送装置具备：平面马达，其具有主体部、排列于主体部内的多个电磁线圈、以及向电磁线圈供电并控制供电的电流的电流控制部；搬送单元，其具有基板保持部和基部，所述基板保持部保持基板，所述基部构成为在基部的内部排列有多个磁体，所述基部利用通过向电磁线圈供电生成的磁场来从主体部表面磁悬浮，并且在磁悬浮的状态下移动来使基板保持部移动；以及温度调整机构，其对主体部的至少一部分进行温度调整，其中，由电流控制部控制对电磁线圈供电的电流来使基部停止磁悬浮，以使基部与主体部的被温度调整后的部分接触，由此对搬送单元进行温度调整。
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公开(公告)号：CN109868456B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201811477893.3
申请日：2018-12-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种物理气相沉积处理方法和物理气相沉积处理装置。所述物理气相沉积处理方法包括第一工序、第二工序、第三工序以及第四工序。在第一工序中，使设置于第一靶及第二靶与用于载置作为成膜对象的基板的载置台之间并且具有开口部的屏蔽件的所述开口部与第一靶重合来使第一靶相对于载置台露出，并且使开口部与第一靶靠近，所述第一靶包含金属氧化物来作为主要成分，所述第二靶包含构成该金属氧化物的金属来作为主要成分。在第二工序中，使用第一靶来执行溅射。在第三工序中，使开口部与第二靶重合来使第二靶相对于载置台露出，并且使开口部与第二靶靠近。在第四工序中，使用第二靶来执行溅射。
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公开(公告)号：CN109868456A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201811477893.3
申请日：2018-12-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种物理气相沉积处理方法和物理气相沉积处理装置。所述物理气相沉积处理方法包括第一工序、第二工序、第三工序以及第四工序。在第一工序中，使设置于第一靶及第二靶与用于载置作为成膜对象的基板的载置台之间并且具有开口部的屏蔽件的所述开口部与第一靶重合来使第一靶相对于载置台露出，并且使开口部与第一靶靠近，所述第一靶包含金属氧化物来作为主要成分，所述第二靶包含构成该金属氧化物的金属来作为主要成分。在第二工序中，使用第一靶来执行溅射。在第三工序中，使开口部与第二靶重合来使第二靶相对于载置台露出，并且使开口部与第二靶靠近。在第四工序中，使用第二靶来执行溅射。
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