公开(公告)号：CN102379035A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201080015119.6

申请日：2010-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 多田宪伦 ,  堀内孝

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: 本发明公开一种冷却被处理体的冷却方法。该冷却方法包括：将加热状态的被处理体载置于载物台上的工序；和向包含载置于载物台上的被处理体中心的中心附近区域喷射冷却气体来冷却被处理体的工序。

公开(公告)号：CN101688303B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200880022749.9

申请日：2008-08-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 宫下哲也 ,  多田宪伦

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/677

CPC classification number: C23C16/54 ,  C23C16/4401 ,  H01L21/67742

Abstract: 本发明提供一种真空处理系统(1)，其具备：CVD处理室(12～15)，其在真空下对晶片(W)进行CVD处理；搬送室(11)，其具有搬入/搬出晶片(W)的搬入搬出口(31)，经由能够使搬入搬出口(31)开闭的门阀(G)连接CVD处理室(12～15)，具备将晶片(W)经由搬入搬出口(31)相对于CVD处理室(12～15)搬入搬出的搬送机构(16)，该处理室内部保持为真空状态；清扫气体喷出构件(51)，其设于搬入搬出口(31)附近，在打开门阀(G)而将搬送室(11)与任一个CVD处理室连通的状态下，经由搬入搬出口(31)向该CVD处理室喷出清扫气体。

公开(公告)号：CN101688303A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880022749.9

申请日：2008-08-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 宫下哲也 ,  多田宪伦

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/677

CPC classification number: C23C16/54 ,  C23C16/4401 ,  H01L21/67742

Abstract: 本发明提供一种真空处理系统(1)，其具备：CVD处理室(12～15)，其在真空下对晶片(W)进行CVD处理；搬送室(11)，其具有搬入/搬出晶片(W)的搬入搬出口(31)，经由能够使搬入搬出口(31)开闭的门阀(G)连接CVD处理室(12～15)，具备将晶片(W)经由搬入搬出口(31)相对于CVD处理室(12～15)搬入搬出的搬送机构(16)，该处理室内部保持为真空状态；清扫气体喷出构件(51)，其设于搬入搬出口(31)附近，在打开门阀(G)而将搬送室(11)与任一个CVD处理室连通的状态下，经由搬入搬出口(31)向该CVD处理室喷出清扫气体。