-
公开(公告)号：CN101684547B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200910205875.4
申请日：2005-02-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/06 , C23C16/18 , C23C16/44 , H01L21/285 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/28562 , C23C16/18 , C23C16/452 , C23C16/45529 , C23C16/45553
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，利用反复进行下述工序的ALD(AtomicLayer Deposition)法，在基板上形成Cu膜：将蒸汽压高，对衬底湿润性好的Cu羧酸络合物或其衍生物气化，作为原料气体使用，且使用H2作为还原气体，使原料气体吸附在基板上的工序；和利用还原气体还原吸附的原料气体，形成Cu膜的工序。由此可形成保形(conformal)良好膜质的Cu薄膜。
-
公开(公告)号：CN100557779C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200680001098.6
申请日：2006-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/76846 , C23C16/0209 , C23C16/0281 , C23C16/18 , H01L21/28556 , H01L21/76838 , H01L21/76864
Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法，是在基板的基底材料的表面上形成Cu膜前对该基板实施的基板处理方法，其特征在于，包括：准备形成有Cu膜的基板的准备工序；对该基板进行规定的处理，使所述基板的基底材料表面的结晶性显示出与该Cu膜的晶格不匹配小的取向性的处理工序。
-
公开(公告)号：CN101006199A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200580027616.7
申请日：2005-11-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/52 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C16/455 , C23C28/02 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: C23C14/165 , C23C10/02 , C23C10/06 , C23C14/0057 , C23C14/14 , C23C14/345 , C23C26/00 , H01J37/34 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76856 , H01L21/76873
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，即使在具有纵横比大的凹部的被处理体的表面使用凝集性高的金属的情况下，也能够形成连续的薄膜。该方法包括以下工序，将基板搬入反应容器内并进行载置的工序；向反应容器内供给包括第一金属化合物的原料气体、并使该第一金属化合物吸附于基板表面的工序；使该第一金属化合物与活性化还原性气体而得到的还原用等离子体接触，而得到第一金属层的工序；以及，使溅射用等离子体接触至少表面部是由与第一金属不同的第二金属所构成的靶电极，将逸出的第二金属注入第一金属层，得到合金层的工序，进行一次以上的这些吸附、还原、及合金化的一系列的循环。利用该方法，即使是在第一金属的凝集力强的情况下也能够抑制基板的移动，形成连续的膜厚小的薄膜。
-
公开(公告)号：CN1906327A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200580001493.X
申请日：2005-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: H01L21/76841 , C23C16/45542 , C23C16/515 , H01L21/28562
Abstract: 本发明提供一种通过交替向基板供给含金属的成膜原料和还原性气体，在上述基板上形成含金属的薄膜的成膜方法，通过等离子体将上述成膜原料的至少一部分在气相中进行离解或分解，并供给到基板上。
-
公开(公告)号：CN107431015B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201680020078.7
申请日：2016-09-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/448 , H01L21/316
Abstract: 本发明提供一种气化器。气化器具有：气液混合部，其将含有原料的溶液与载气混合；喷嘴，其喷射利用气液混合部混合的含有原料的溶液；气化室，其将利用喷嘴喷射的含有原料的溶液气化；第1温度调整机构，其调整气化室的温度；第2温度调整机构，其调整气液混合部的温度；第3温度调整机构，其调整喷嘴的温度；以及控制部，其利用第1温度调整机构将气化室加热至比原料的气化温度高的第1温度，利用第2温度调整机构将气液混合部的温度调整至比第1温度低的第2温度，利用第3温度调整机构将喷嘴的温度调整至属于第1温度与第2温度之间的温度范围且比溶液的溶剂的气化温度低的第3温度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110088350A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201780075390.0
申请日：2017-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体喷涂装置，具有：供给部，将喷涂材料的粉末用等离子体生成气体来运送，从前端部的开口进行喷射；等离子体生成部，利用500W～10kW的电力将喷射出的上述等离子体生成气体分解而生成等离子体；以及，腔室，使上述供给部和上述等离子体生成部成为封闭空间，利用在该封闭空间中生成的上述等离子体使上述喷涂材料的粉末熔融而成膜于对象物，其中，上述喷涂材料为锂(Li)、铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)和金(Au)中的任一者，上述喷涂材料的粉末为1μm～50μm的粒径。
-
公开(公告)号：CN107431015A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680020078.7
申请日：2016-09-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/448 , H01L21/316
CPC classification number: C23C16/4481 , C23C16/448 , C23C16/52 , H01L21/31
Abstract: 本发明提供一种气化器。气化器具有：气液混合部，其将含有原料的溶液与载气混合；喷嘴，其喷射利用气液混合部混合的含有原料的溶液；气化室，其将利用喷嘴喷射的含有原料的溶液气化；第1温度调整机构，其调整气化室的温度；第2温度调整机构，其调整气液混合部的温度；第3温度调整机构，其调整喷嘴的温度；以及控制部，其利用第1温度调整机构将气化室加热至比原料的气化温度高的第1温度，利用第2温度调整机构将气液混合部的温度调整至比第1温度低的第2温度，利用第3温度调整机构将喷嘴的温度调整至属于第1温度与第2温度之间的温度范围且比溶液的溶剂的气化温度低的第3温度。
-
公开(公告)号：CN100523293C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200580027616.7
申请日：2005-11-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/52 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C16/455 , C23C28/02 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: C23C14/165 , C23C10/02 , C23C10/06 , C23C14/0057 , C23C14/14 , C23C14/345 , C23C26/00 , H01J37/34 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76856 , H01L21/76873
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，即使在具有纵横比大的凹部的被处理体的表面使用凝集性高的金属的情况下，也能够形成连续的薄膜。该方法包括以下工序，将基板搬入反应容器内并进行载置的工序；向反应容器内供给包括第一金属化合物的原料气体、并使该第一金属化合物吸附于基板表面的工序；使该第一金属化合物与活性化还原性气体而得到的还原用等离子体接触，而得到第一金属层的工序；以及，使溅射用等离子体接触至少表面部是由与第一金属不同的第二金属所构成的靶电极，将逸出的第二金属注入第一金属层，得到合金层的工序，进行一次以上的这些吸附、还原、及合金化的一系列的循环。利用该方法，即使是在第一金属的凝集力强的情况下也能够抑制基板的移动，形成连续的膜厚小的薄膜。
-
公开(公告)号：CN100523287C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200680000633.6
申请日：2006-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/18 , C23C16/44 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/28556 , C23C16/0281 , C23C16/18 , H01L21/76838 , H01L21/76841
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，其特征在于，包括：使用二价Cu的原料物质，在基板上形成第一阶段的Cu膜的工序；和使用一价Cu的原料物质，在所述第一阶段的Cu膜上形成第二阶段的Cu膜的工序。
-
公开(公告)号：CN101115864A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200680004339.2
申请日：2006-01-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/45542 , C23C16/06 , C23C16/45529 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975
Abstract: 本发明提供一种与基底的密着性高、能够抑制膜剥离的发生、而且即使微细化进一步发展也能够充分地提高阶梯覆盖、而且能够使合金种的元素充分地扩散的薄膜的叠层结构的形成方法。在该方法中，在能够抽真空的处理容器(4)内在被处理体的表面上堆积多层薄膜而形成薄膜的叠层结构，将以下工序分别交替进行1次以上：使用含有作为合金种的第一金属的原料气体和还原气体，形成由第一金属构成的合金种膜(104)的合金种膜形成工序；和使用含有与上述第一金属不同的作为母材的第二金属的原料气体和还原气体，形成比上述合金种膜厚的由第二金属构成的母材膜(106)的母材膜形成工序。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.023 seconds)
