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公开(公告)号：CN1800846A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510137592.2
申请日：2004-01-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G01N33/00 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 一种在包括浸渍曝光的抗蚀剂图案形成方法中使用的抗蚀剂组合物的评价方法，该方法包括：由抗蚀剂组合物形成抗蚀剂膜，将该膜选择性曝光，其后使在浸渍曝光中使用的浸渍溶剂与膜接触，将如此得到的膜曝光后烘焙，接着将膜显影，以及评价得到的抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：CN1652025A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200410011597.6
申请日：2002-07-04
Applicant: 东京应化工业株式会社
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明涉及在用于降低基板上的光刻胶层的图案尺寸的所谓涂覆热流动方法中的改进来实现光刻胶图案细度的增加，其中将形成在光刻胶层上的水溶性树脂涂层进行热处理，使该涂层产生热收缩，同时减小图案尺寸，随后通过水洗除去涂层。该方法的改进是通过下述步骤实现的：除了水溶性树脂例如基于聚丙烯酸基的聚合物之外，在涂料水溶液中混合水溶性胺化合物例如三乙醇胺。进一步的改进是这样实现的：从特殊的共聚物中选择水溶性树脂，所述特殊共聚物包括(甲基)丙烯酸和含氮化合物例如N－乙烯基吡咯烷酮、N－乙烯基咪唑啉酮和N－丙烯酰基吗啉的共聚物以及在特定共聚比下的N－乙烯基吡咯烷酮和N－乙烯基咪唑啉酮的共聚物。
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公开(公告)号：CN1582417A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN02822202.4
申请日：2002-11-05
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种用于图案细微化的涂膜形成剂，是一种用于按以下方式形成细微图案的涂膜形成剂：在具有光刻胶图案的基板上涂敷该涂膜形成剂，利用其热收缩作用缩小光刻胶图案间的间隔后，形成细微图案，其特征在于含有水溶性聚合物和表面活性剂。本发明还提供一种使用该涂膜形成剂形成细微图案的方法。利用本发明，能够提供一种可得到具有以下特性的细微图案的涂膜形成剂和使用该涂膜形成剂形成细微图案的方法：即图案尺寸控制性优良，具有良好的外形，以及半导体器件所要求的特性。
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公开(公告)号：CN100565341C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200480002955.5
申请日：2004-01-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 提供抗蚀剂组合物和使用该抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法，所述抗蚀剂组合物对于在浸渍光刻法中使用的溶剂是稳定的，并表现出优异的灵敏度和抗蚀剂图案轮廓。该抗蚀剂组合物符合预定的参数，或者是正性抗蚀剂组合物，所述正性抗蚀剂组合物包括含有可酸解溶解抑制基团并表现出在酸作用下碱溶解性增加的树脂组分(A)、酸生成剂组分(B)和有机溶剂(C)，其中所述组分(A)包含衍生自含可酸解溶解抑制基团的(甲基)丙烯酸酯的结构单元(a1)，但所述组分(A)不包含结构单元(a0)，而所述结构单元(a0)又包括含二羧酸酐的结构单元(a0-1)和含酚羟基的结构单元(a0-2)。
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公开(公告)号：CN100511585C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN03147903.0
申请日：2003-06-25
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/0035
Abstract: 本发明提供一种形成细微图案的方法，包括以下工序：在具有光刻胶图案的基板上涂敷用于图案细微化的涂膜形成剂的工序；除去附着在基板的端缘部和/或里面部的不需要的涂膜形成剂的工序；利用热处理使所述涂膜形成剂热收缩，利用该热收缩作用缩小光刻胶图案间的间隔的工序；和实质上完全除去所述涂膜形成剂的工序。利用本发明，可以很好地控制图案尺寸，同时可以得到外形良好和具有半导体器件所要求特性的细微图案，还可以防止导致器件污染的颗粒的发生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100468211C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200410011597.6
申请日：2002-07-04
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明涉及在用于降低基板上的光刻胶层的图案尺寸的所谓涂覆热流动方法中的改进来实现光刻胶图案细度的增加，其中将形成在光刻胶层上的水溶性树脂涂层进行热处理，使该涂层产生热收缩，同时减小图案尺寸，随后通过水洗除去涂层。该方法的改进是通过下述步骤实现的：除了水溶性树脂例如基于聚丙烯酸基的聚合物之外，在涂料水溶液中混合水溶性胺化合物例如三乙醇胺。进一步的改进是这样实现的：从特殊的共聚物中选择水溶性树脂，所述特殊共聚物包括(甲基)丙烯酸和含氮化合物例如N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基亚乙基脲和N-丙烯酰基吗啉的共聚物以及在特定共聚比下的N-乙烯基吡咯烷酮和N-乙烯基亚乙基脲的共聚物。
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公开(公告)号：CN1287226C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN02821984.8
申请日：2002-11-05
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0035 , G03F7/40 , H01L21/0277
Abstract: 本发明提供一种形成细微图案的方法，特征在于重复进行以下工序：在具有光刻胶图案的基板上涂敷用于图案细微化的涂膜形成剂的工序；利用热处理使所述涂膜形成剂收缩，利用该热收缩作用缩小光刻胶图案间的间隔的工序；和除去所述用于图案细微化的涂膜形成剂的工序。利用本发明，可以提供这样一种细微图案的形成方法，即在图案尺寸的控制性方面优良，可以用于形成具有良好外形和半导体器件所要求特性的细微图案，即使在使用具有膜厚为1.0μm左右以上的厚膜光刻胶图案的基板时，也可以得到具有良好外形的细微图案。
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公开(公告)号：CN1800847A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510137593.7
申请日：2004-01-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G01N33/00 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 一种用于包括浸渍曝光步骤的抗蚀剂图案形成方法中的正性抗蚀剂组合物的适用性评价方法，如果当使用波长为193nm的光源通过通常的曝光光刻法形成130nm的1∶1线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为X1，并且当使用波长为193nm的光源通过模拟浸渍光刻法形成相同的130nm的1∶1线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为X2，并且如果[(X2/X1)－1]×100的绝对值不超过8.0，那么该抗蚀剂组合物被断定为是适用的，在所述模拟浸渍光刻法中，在常规曝光光刻法的选择性曝光步骤和曝光后烘焙(PEB)步骤之间插入有使用于所述浸渍光刻的溶剂与所述抗蚀剂膜接触的步骤。还提供了负性抗蚀剂组合物的适用性评价方法。
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公开(公告)号：CN1742234A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200480002955.5
申请日：2004-01-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 提供抗蚀剂组合物和使用该抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法，所述抗蚀剂组合物对于在浸渍光刻法中使用的溶剂是稳定的，并表现出优异的灵敏度和抗蚀剂图案轮廓。该抗蚀剂组合物符合预定的参数，或者是正性抗蚀剂组合物，所述正性抗蚀剂组合物包括含有可酸解溶解抑制基团并表现出在酸作用下碱溶解性增加的树脂组分(A)、酸生成剂组分(B)和有机溶剂(C)，其中所述组分(A)包含衍生自含可酸解溶解抑制基团的(甲基)丙烯酸酯的结构单元(a1)，但所述组分(A)不包含结构单元(a0)，而所述结构单元(a0)又包括含二羧酸酐的结构单元(a0－1)和含酚羟基的结构单元(a0－2)。
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公开(公告)号：CN1666155A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN03815397.1
申请日：2003-06-26
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40 , H01L2051/0063
Abstract: 本发明提供一种用于图案细微化的涂膜形成剂，是一种用于按以下方式形成细微图案的涂膜形成剂：在具有光致抗蚀剂图案的基板上涂敷该涂膜形成剂，利用其热收缩作用缩小光致抗蚀剂图案的间隔后，实质上完全除去该涂膜，形成细微图案，其特征在于该涂膜形成剂含有水溶性聚合物和含酰胺基的单体，或者含有至少含有(甲基)丙烯酰胺作为构成单体的水溶性聚合物。本发明还提供一种使用上述任何一种用于图案细微化的涂膜形成剂形成细微图案的方法。利用本发明，可以显著提高加热处理时用于图案细微化的涂膜形成剂的热收缩率，能够得到外形良好、具备现有半导体器件所要求特性的细微图案。
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