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公开(公告)号：CN110685009A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910980116.9
申请日：2019-10-15
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种外延生长装置和一种外延生长方法。所述外延生长装置的生长腔室上设置有允许用于在晶片上形成外延层的反应气体进入生长腔室内的进气口，当进行外延生长工艺的晶片的边缘部分具有晶向不同的较快区和较慢区且外延层在较快区比在较慢区生长更快时，进气口在较快区旋转经过时提供的反应气体的进气速率小于在较慢区旋转经过时提供的反应气体的进气速率。所述外延生长装置可以调节外延层在不同晶向上的沉积，有助于获得厚度均一的外延层，提高外延晶片的质量。所述外延生长方法与所述外延生长装置具有相同或类似的特点，可以不改变外延生长装置的结构而提高外延层的厚度均一性，降低外延晶片的局部平直度，灵活性高。
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公开(公告)号：CN113046833A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911381171.2
申请日：2019-12-27
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：坩埚，用以容纳硅熔体；和水平磁场施加装置，用以产生水平磁场；其中，所述水平磁场施加装置包括位于所述坩埚的相对的两侧的至少两个单线圈超导磁体，每一个所述单线圈超导磁体包括沿着所述水平磁场的方向绕制的线圈，以使所述单线圈超导磁体产生串联的所述水平磁场水平穿过所述坩埚内的硅熔体。根据本发明的半导体晶体生长装置，使单线圈超导磁体中线圈产生的水平磁场串联穿过坩埚内的硅熔体，串联的磁场使得磁场发生装置有较小的磁漏，提升磁场发生装置的电磁转换效率，减小了半导体晶体生长装置的制造和使用成本。同时，采用本发明，线圈绕制简单，也大大降低了半导体晶体生长装置的制造成本。
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公开(公告)号：CN110578166A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910979234.8
申请日：2019-10-15
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种外延生长设备和一种外延生长方法。所述外延生长设备的腔体上设置有第一进气口和第二进气口，第一进气口允许用于在晶片上形成外延层的反应气体进入腔体，第二进气口允许用于阻止外延层的沉积的刻蚀气体进入腔体，当晶片的边缘部分具有晶向不同的较快区和较慢区且外延层在较快区比在较慢区生长更快时，在外延过程中，随着晶片的旋转，第二进气口在较快区旋转经过时提供的刻蚀气体的进气速率大于在较慢区旋转经过时提供的刻蚀气体的进气速率，从而刻蚀气体对于较快区的外延层的去除效率更大，可以对较快区和较慢区的外延生长进行调节，有助于提高外延层的厚度均一性，降低局部平直度，提高外延晶片的质量。
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公开(公告)号：CN110189991A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910363973.4
申请日：2019-04-30
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , C30B25/02
Abstract: 本发明提供一种外延片的制造方法，所述制造方法包括：提供外延衬底；测试所述外延衬底的平坦度；对平坦度不符合标准的所述外延衬底执行气相刻蚀处理，以改善所述外延衬底的平坦度；在经过所述气相刻蚀处理后的所述外延衬底上生长外延层。本发明提供的外延片的制造方法通过气相刻蚀调整外延衬底的平坦度，相比传统的返工抛光方法而言，流程简单快速，可以节省产线产能。
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