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公开(公告)号：CN117393588A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311324353.2
申请日：2023-10-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/30 , C30B29/06 , C30B33/02 , C30B33/00 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶圆及其形成方法，单晶硅晶圆包括上表面以及距离上表面预定距离内的第一区域，所述第一区域内无自间隙型缺陷。采用无自间隙型缺陷的单晶硅晶圆制作的半导体器件，降低了器件漏电流以及提高击穿电压，提高了半导体器件的性能。进一步的，单晶硅晶圆的形成方法通过热处理工艺消除单晶硅晶圆汇总的自间隙型缺陷，热处理工艺包括快速热处理工艺和/或长时间热处理工艺。也即通过热处理工艺能够获得一种无自间隙型缺陷的单晶硅晶圆，提高了半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN116145238A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211734788.X
申请日：2022-12-31
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种晶体生长方法、装置及RF‑SOI基材，应用于晶体生长技术领域，其中晶体生长方法包括：控制第一超导线圈产生第一电流，以及控制第二超导线圈产生第二电流，其中第一电流的数值与第二电流的数值不相等，第一超导线圈和第二超导线圈为相对设置地分布于坩埚外且用于在坩埚内部产生磁场的超导线圈；基于所述第一电流和所述第二电流在所述坩埚内产生的非对称磁场进行单晶直拉生长。通过调整线圈电流比为1:n来获得非对称水平磁场，进而可以通过采用非对称水平磁场来抑制熔体流动，进而基于非对称水平磁场对熔体不同抑制作用可获得非对称对流结构，能够显著降低直拉法单晶硅晶体中的氧含量。
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公开(公告)号：CN114023667A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111247647.0
申请日：2021-10-26
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66 , G01N21/88 , G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种硅晶体原生缺陷的检测方法，包括：提供硅晶体，所述硅晶体具有原生缺陷；在所述硅晶体上生长外延层，所述外延层包括基于所述原生缺陷形成的一级外延缺陷；对所述外延层的表面进行刻蚀，以将所述一级外延缺陷放大形成二级外延缺陷；通过显微镜表征所述二级外延缺陷。根据本发明提供的硅晶体原生缺陷的检测方法，利用外延生长将在硅晶体表面无法被探测的原生缺陷延伸至外延层表面，并对外延层的表面进行刻蚀以放大外延缺陷，从而实现对原生缺陷的定位、确定原生缺陷的类型和缺陷范围。
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公开(公告)号：CN113721076A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110910092.7
申请日：2021-08-09
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种硅片电阻率的测量方法，所述测量方法包括：选取待测量的硅片；对所述硅片进行热处理，去除所述硅片中的热施主；对所述硅片进行氧化处理，以在所述硅片上形成氧化表面；测量所述硅片的电阻率。在所述方法中首先对硅片进行氧化处理，以在所述硅片上得到氧化表面，从而在后续的放置过程中其表面变化很小，因此硅片表面测量的电阻率变化很小。
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公开(公告)号：CN113394126A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110407842.9
申请日：2021-04-15
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66 , H01L21/3065 , H01L21/311
Abstract: 本申请公开了一种检测半导体材料中缺陷的方法，所述方法包括：通过HF蚀刻液对半导体材料的表面进行清洗，以去除所述半导体材料表面的氧化层；对去除所述氧化层的所述半导体材料进行蚀刻，以显现所述半导体材料中的缺陷；对蚀刻后的所述半导体材料的水平表面进行光散射扫描，以确定所述半导体材料中存在的缺陷。在所述方法中先通过HF清洗去除半导体材料表面氧化层，然后再对所述半导体材料进行蚀刻，以显现半导体材料中的原生缺陷，通过所述方法可以探测到目前H2高温烘焙中未被显现的缺陷，半导体材料的区域缺陷密度大幅提高，可以提高气相刻蚀方法的探测精度。
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公开(公告)号：CN112599470A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011445232.X
申请日：2020-12-08
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供的一种绝缘体上硅结构的方法包括以下步骤：提供一键合结构，键合结构包括第一衬底、第二衬底和绝缘埋层，绝缘埋层位于第一衬底和第二衬底之间；从键合结构上剥离去除部分厚度的第一衬底，以得到第一薄膜；在第一温度下第一次刻蚀第一薄膜，以去除第一厚度的第一薄膜；在第二温度下第二次刻蚀第一薄膜，以平坦化处理第一薄膜，并去除第二厚度的第一薄膜，第一温度小于第二温度，第一厚度大于第二厚度，第一厚度和第二厚度为第一薄膜的总刻蚀厚度。本发明通过先在第一温度下刻蚀减薄第一薄膜，再在第二温度下平坦化处理所述第一薄膜，同时达到第一薄膜的目标厚度，使得在平坦化处理顶层硅的同时还可以提高顶层硅厚度均匀性。
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公开(公告)号：CN111876822A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010629650.8
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅生长炉热屏及单晶硅生长炉，所述热屏设置在所述单晶硅生长炉的熔体坩埚的上部，所述热屏包括屏壁和屏底，所述屏底具有供熔体提拉通过的窗口，所述屏底包括上层、下层和侧壁，所述侧壁连接与所述上层和所述下层之间且围成所述窗口，所述下层朝向所述熔体的液面，所述下层设为齿状结构，用于将外部热能反射到所述熔体液面时不会继续反射到单晶硅晶体侧壁；通过将屏底的下层设置为齿状结构，可以避免外部热能量被单晶硅晶体吸收，从而避免晶体表面热补偿过高，有效优化晶体纵向温度梯度，提高硅片径向的质量均匀性。
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公开(公告)号：CN114280069B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202111574828.4
申请日：2021-12-21
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/892 , C30B29/06 , C30B33/02 , C30B33/12 , C30B15/20
Abstract: 本发明提供一种晶体缺陷的检测方法及晶棒生长方法，所述晶体缺陷的检测方法包括：对一具有晶体缺陷的硅片依次进行热处理和气相刻蚀，以使得所述晶体缺陷显现出来；对所述硅片的表面进行观察，若所述硅片的表面形成有凹坑，则所述硅片中的晶体缺陷为位错环缺陷；若所述硅片的表面形成有凹坑以及位于所述凹坑中的沉淀物，则所述硅片中的晶体缺陷为自间隙原子团聚体缺陷。本发明的技术方案使得能够准确分辨出位错环缺陷带与自间隙原子团聚体缺陷带。
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公开(公告)号：CN113125854B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202110376796.0
申请日：2021-04-07
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种硅片导电类型的判定方法，包括：提供待测硅片，对所述待测硅片进行刻蚀处理；在所述刻蚀处理前后分别对所述待测硅片进行第一次电阻率测试和第二次电阻率测试，得到相应的第一电阻率和第二电阻率，通过对比所述第一电阻率和所述第二电阻率判断所述待测硅片的导电类型；或者，在所述刻蚀处理后测量所述待测硅片中不同深度的电阻率变化情况，根据所述待测硅片中不同深度的电阻率变化情况判断所述待测硅片的导电类型。本发明用于判断具有高电阻率的硅片的导电类型，且测试结果不受硅片的表面电荷的影响，操作简单，对设备的要求低，成本低廉。
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公开(公告)号：CN113655094B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202110902930.6
申请日：2021-08-06
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种确定硅片导电类型的方法。所述方法包括：测量所述硅片的电阻率，以得到第一电阻率；将所述硅片在空气中放置预设时间；放置预设时间之后再次测量所述硅片的电阻率，以得到第二电阻率；通过比较所述第一电阻率和所述第二电阻率，判断所述硅片的导电类‑cm型。所述方法对于高电阻率(高于500ohm )可以快速准确的判断硅片导电类型，测试结果准确，操作简单，对设备要求低，成本低。
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