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公开(公告)号：CN112795984B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202011324456.5
申请日：2020-11-23
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于计算晶体生长过程中固液界面形状的方法，包括：提供晶片；在所述晶片上选取多个采样点，分别测量所述多个采样点的电阻率；基于所述多个采样点的电阻率计算所述多个采样点之间的高度差；基于所述多个采样点之间的高度差绘制固液界面形状。根据本发明提供的用于计算晶体生长过程中固液界面形状的方法，通过测量晶片表面多个采样点的电阻率，并基于测得的电阻率计算多个采样点之间的高度差，从而绘制固液界面的形状，操作简单方便，成本低。
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公开(公告)号：CN119753813A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411853712.8
申请日：2024-12-13
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本申请涉及晶体加工的领域，具体涉及一种拉晶炉装置，所述装置包括：炉体，所述炉体中设置有容纳硅熔体的坩埚；磁场部件，所述磁场部件设于所述炉体外部，用于生成穿过所述坩埚及所述硅熔体的水平磁场；驱动件，所述驱动件设于所述炉体外部，所述驱动件用于驱动所述所述磁场部件旋转，使所述水平磁场以所述炉体的竖向轴线为中心进行旋转。本申请能够使硅熔体的各部位受到相同的磁场抑制效果，从而实现提升晶体的稳定性、保证晶体的质量的效果。
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公开(公告)号：CN118910717A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411010375.6
申请日：2024-07-25
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 上海新昇晶睿半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种单晶硅收尾控制方法，包括以下步骤：设定收尾速度并设定晶棒收尾段的基础形状，以收尾速度匀速提拉晶棒；检测收尾段的生成位置的实时收尾直径；计算所述基础形状对应所述生成位置处的设定直径与所述实时收尾直径的直径偏差值，若所述直径偏差值超出直径偏差阈值范围，调整埚跟比和调整收尾温度以使得实时收尾直径趋近所述设定直径。上述的单晶硅收尾控制方法，可使得整个晶棒的缺陷单晶的区域几乎与变径段重合，即将缺陷单晶限定在变径段所在区域内，等径圆柱段底部分几乎为完美单晶，大大提高了完美单晶的比例。
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公开(公告)号：CN118773729A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410817357.2
申请日：2024-06-21
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 一种晶棒生长控制方法、装置、系统、存储介质和计算机程序产品，晶棒生长控制方法包括：获取当前晶棒生长过程中的实际坩埚位置和实际直径，以及获取多根历史晶棒生长过程中的实际坩埚位置；根据历史晶棒的实际坩埚位置确定当前晶棒生长过程中的目标坩埚位置；根据当前晶棒的实际坩埚位置和目标坩埚位置计算坩埚位置差值；根据坩埚位置差值对当前晶棒的实际直径进行修正，以得到当前晶棒的模拟直径；根据模拟直径和目标直径对当前晶棒的生长过程进行控制。本申请可以弥补晶棒生长过程中由于坩埚位置存在差异所导致的晶体缺陷偏差，使得根据模拟直径和目标直径控制生长得到的晶棒具有相同情况的晶体缺陷，从而有利于晶棒的规模化生产。
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公开(公告)号：CN118621426A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410660715.3
申请日：2024-05-24
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 一种晶棒生长控制方法、装置、系统、存储介质和计算机程序产品，晶棒生长控制方法包括：获取晶棒生长过程中晶棒的称重直径、人工测量直径和相机测量直径；计算称重直径和人工测量直径之间的差值是否处于预设差值范围；在差值不处于预设差值范围内时，直接根据相机测量直径对晶棒的生长过程进行控制；在差值处于预设差值范围内时，对称重直径和相机测量直径进行数据处理以得到模拟直径，并根据模拟直径对晶棒的生长过程进行控制。本申请可以确定晶棒称重系统是否正常工作，以及减少不同晶棒的直径偏差，增强拉晶等径阶段晶棒直径的控制精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112680788B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201910990351.4
申请日：2019-10-17
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内的所述硅熔体的上方；所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向的磁场；其中，在所述导流筒内壁底部开设有凹槽，以使所述导流筒在所述磁场的施加方向上与所述硅晶棒之间的距离大于在垂直于所述磁场的方向上与所述硅晶棒之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了半导体晶体生长的品质。
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公开(公告)号：CN112795984A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011324456.5
申请日：2020-11-23
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于计算晶体生长过程中固液界面形状的方法，包括：提供晶片；在所述晶片上选取多个采样点，分别测量所述多个采样点的电阻率；基于所述多个采样点的电阻率计算所述多个采样点之间的高度差；基于所述多个采样点之间的高度差绘制固液界面形状。根据本发明提供的用于计算晶体生长过程中固液界面形状的方法，通过测量晶片表面多个采样点的电阻率，并基于测得的电阻率计算多个采样点之间的高度差，从而绘制固液界面的形状，操作简单方便，成本低。
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公开(公告)号：CN110512276A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910841934.0
申请日：2019-09-06
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于晶体生长的坩埚底座装置，包括:底座本体，所述底座本体的上表面的一部分与坩埚相接触；连接机构，配置为将所述底座本体与所述坩埚固定连接。根据本发明提供的一种用于晶体生长的坩埚底座装置，通过使底座本体的上表面的一部分与坩埚相接触，减少坩埚底座装置与坩埚的接触面积，从而减少了通过固固传热的方式散失的热量，提高了热场的保温性，减少电能的消耗，延长了设备的使用寿命，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN119392352A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411519832.4
申请日：2024-10-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 一种单晶生长方法、控制装置和单晶生长装置，其中单晶生长方法包括：在长晶炉的坩埚中放置硅料；对所述坩埚进行加热，以使所述硅料熔融为硅熔体；将籽晶浸入所述硅熔体中，并以当前提拉速度向上旋转提拉所述籽晶，使所述硅熔体在所述籽晶下端凝固结晶，以得到晶棒；其中，通过所述坩埚的当前实际位置与当前目标位置的偏差值对预设提拉速度进行补偿，得到所述当前提拉速度，以控制所述坩埚当前的拉速与温度梯度比值。本申请的单晶生长方法，通过坩埚的当前实际位置与当前目标位置的偏差值对预设提拉速度进行补偿，控制坩埚的当前的拉速与温度梯度比值保持不变，进而减少了单晶缺陷，提高了单晶质量。
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公开(公告)号：CN116604410A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310711185.6
申请日：2023-06-15
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种半导体晶棒的滚磨机设备，涉及半导体晶棒的加工设备领域，其包括夹持装置、移动载台、FT‑IR红外光谱仪、滚磨机、喷水装置、干燥装置及X射线晶向检测装置；夹持装置包括第一夹持部、第二夹持部、第一驱动组件及第一旋转组件；滚磨机用于对工件滚磨；喷水装置用于工件喷水；干燥装置用于工件干燥；X射线晶向检测装置用于对工件进行晶向查找；FT‑IR红外光谱仪用于对工件进行间隙氧含量测量。通过将FT‑IR红外光谱仪、滚磨机、喷水装置、干燥装置及X射线晶向检测装置一同设置在移动载台上，能够在滚磨完成后，自动对晶棒进行间隙氧含量测量，以减少晶棒滚磨完成后的搬运，降低搬运风险，简化工作流程，提高生产效率。
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