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公开(公告)号：CN101622719B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880006731.X
申请日：2008-02-08
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/0463 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供一种能够以低成本获得更高性能的光电变换装置及其制造方法。具备被层叠的至少二层光电变换层、和介于所述二层光电变换层之间且对该二层光电变换层进行电连接及光学连接的中间层(93)的光电变换装置(90)，在所述中间层(93)表面上具有等离子体抗性保护层(93A)。
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公开(公告)号：CN102414842A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080018506.5
申请日：2010-06-23
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , C23C14/08 , C23C14/54
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/0036 , H01L31/022483 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种制造通过抑制可见光短波长区域的光吸收而具有高的光电转换效率的光电转换装置的方法。该光电转换装置(100)的制造方法，在基板(1)上形成基板侧透明电极层(2)的工序、在邻接的两个电池层(91、92)之间形成中间接触层(5)的工序、及、在光电转换层(3)上形成背面侧透明电极层(6)的工序中，作为基板侧透明电极层(2)、中间接触层(5)、及背面侧透明电极层(6)，控制N2气体分压来制膜以掺杂了Ga的ZnO为主的透明导电膜，以使透明导电膜每单位膜厚的N2气体分压相对惰性气体分压之比在规定值以下。
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公开(公告)号：CN102341915A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201080010026.4
申请日：2010-02-25
Applicant: 三菱重工业株式会社
CPC classification number: C23C14/185 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/056 , H01L31/076 , H01L31/1804 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供激光蚀刻容易且具有高的发电效率的光电转换装置的制造方法。光电转换装置(100)的制造方法包括在基板(1)上形成2个光电转换层(3)和背面电极层(4)的工序，该光电转换装置(100)的制造方法中，所述背面电极层形成工序包括背面透明电极层形成工序和Cu薄膜形成工序，所述Cu薄膜形成工序依次包括排气工序和成膜工序，所述排气工序的到达压力为2×10-4Pa以下，所述成膜工序的温度为120℃以上且240℃以下。
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公开(公告)号：CN102113127A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980129888.6
申请日：2009-08-20
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: C23C14/086 , B23K26/0622 , B23K26/0853 , B23K26/36 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , C23C14/3407 , H01L31/022483 , H01L31/0547 , H01L31/0687 , H01L31/076 , H01L31/1884 , Y02E10/52 , Y02E10/544 , Y02E10/548
Abstract: 提供一种通过将暴露于氢等离子体后的导电率设定在适当的范围而抑制漏电流并提高转换效率的光电转换装置。一种光电转换装置(100)，在基板(1)上包括至少具备2层发电单元层(91、92)的光电转换层(3)和夹在所述发电单元层(91、92)之间的中间接触层(5)，所述光电转换装置的特征在于，所述中间接触层(5)主要包含由Zn1-xMgxO2(0.096≤x≤0.183)表示的化合物。
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公开(公告)号：CN101627478B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200780032376.9
申请日：2007-08-06
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/077 , H01L31/0236 , H01L31/056 , H01L31/076 , H01L31/182 , H01L31/1884 , Y02E10/52 , Y02E10/546 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种光电转换装置及其制造方法，其兼容高的光电转换效率和高的生产性，该光电转换装置(90)至少具有在透明绝缘性基板(1)上设置透明电极层(2)而形成的带透明电极基板、以及在该带透明电极基板的透明电极层(2)一侧上依次形成的主要具有结晶硅类半导体的光电转换层(92)以及背面电极层(4)，其中所述带透明电极基板的透明电极层(2)的表面为混合存在大小凹凸的形状，并且光谱模糊率在550nm以上800nm以下的波长时为20％以上，主要具有所述结晶硅类半导体的光电转换层的膜厚为1.2μm以上2μm以下，喇曼比为3.0以上8.0以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102197493B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN200980142652.6
申请日：2009-10-02
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/0262 , H01L21/02532 , H01L31/03921 , H01L31/076 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种进行高品质的晶体硅层的制膜并制造高性能的光电转换装置的方法及用于进行高品质的晶体硅层的制膜的制膜装置。该光电转换装置的制造方法利用等离子体CVD法在基板上形成包含i层的晶体硅类光电转换层，所述i层的形成工序具有初始层制膜阶段和块体i层制膜阶段，在所述初始层制膜阶段，所述初始层制膜阶段下的硅烷类气体流量比所述块体i层制膜阶段下的硅烷类气体流量低，将所述初始层制膜阶段的制膜时间设为所述i层的全部制膜时间的0.5％以上20％以下，将所述初始层制膜阶段下的SiH*发光强度设为所述块体i层制膜阶段中的稳定后的SiH*发光强度的80％以下，以上述条件进行所述初始层的制膜。
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公开(公告)号：CN101981431B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200980111369.7
申请日：2009-07-02
Applicant: 三菱重工业株式会社
CPC classification number: G01N21/9501 , G01N21/3563 , G01N21/55 , G01N21/8422 , G01R31/2831 , H01L31/1884 , Y10T29/53126
Abstract: 以非破坏、非接触、高效率且高精度计测透明导电膜的电阻率为目的。提供一种电阻率检查装置，具备：光照射装置(3)，其将具有通过事先进行的检查条件选定方法选定的波长的P偏振光的照明光以通过该方法选定的入射角对在制造生产线上输送的透光性基板上成膜的透明导电膜从膜面侧进行照射；光检测装置(2)，其检测在透明导电膜反射的反射光；信息处理装置(7)，其基于检测到的光的强度，算出与该波长有关的反射光的光量的评价值，使用将评价值与电阻率预先建立关联的相关特性，由算出的所述评价值求出电阻率。
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公开(公告)号：CN102197493A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980142652.6
申请日：2009-10-02
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/0262 , H01L21/02532 , H01L31/03921 , H01L31/076 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种进行高品质的晶体硅层的制膜并制造高性能的光电转换装置的方法及用于进行高品质的晶体硅层的制膜的制膜装置。该光电转换装置的制造方法利用等离子体CVD法在基板上形成包含i层的晶体硅类光电转换层，所述i层的形成工序具有初始层制膜阶段和块体i层制膜阶段，在所述初始层制膜阶段，所述初始层制膜阶段下的硅烷类气体流量比所述块体i层制膜阶段下的硅烷类气体流量低，将所述初始层制膜阶段的制膜时间设为所述i层的全部制膜时间的0.5％以上20％以下，将所述初始层制膜阶段下的SiH*发光强度设为所述块体i层制膜阶段中的稳定后的SiH*发光强度的80％以下，以上述条件进行所述初始层的制膜。
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公开(公告)号：CN102165282A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980138478.8
申请日：2009-07-02
Applicant: 三菱重工业株式会社
CPC classification number: G01N21/8422 , G01B11/06 , G01B11/30 , G01N2021/8928
Abstract: 本发明目的在于能够降低薄膜的基板面内的膜厚变动的影响，实现计测精度的提高。包括：对在璃基板上形成有薄膜的被检查基板(W)从该玻璃基板侧照射单波长的光的光源；以受光轴相对于从光源射出的照明光的光轴以预定的倾斜角度交叉的方式配置，对透过被检查基板(W)的扩散透过光进行受光的受光元件；和基于由受光元件接受的光的强度求出薄膜的雾度率的计算机(7)。计算机(7)具有将雾度率与扩散透过光的光强度建立关联而成的雾度率特性，利用该雾度率特性和由上述受光元件接受的光强度求出雾度率。
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公开(公告)号：CN102165281A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980138578.0
申请日：2009-07-02
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: G01B11/06 , H01L21/205
CPC classification number: G01B11/0625
Abstract: 薄膜检查装置包括：存储部(14)，该存储部保存有至少2个特征量特性，所述2个特征量特性由以下方式得到：从因第1透明薄膜和第2透明薄膜的至少一方的膜厚变动而受到影响的分光反射光谱的特征量中选择至少2个特征量，并将所选择的该特征量中的每一个特征量与第1透明薄膜的膜厚和第2透明薄膜的膜厚分别建立关联；对被检查基板(S)从透明玻璃基板侧照射白色光的光照射部(11)；接受来自被检查基板(S)的反射光的受光部(12)；和运算部(15)，从基于受光的反射光的分光反射光谱求出在存储部(14)中保存的各特征量的实测值，使用求出的各特征量的实测值和在存储部(14)中保存的特征量特性，分别求出第1透明薄膜和第2透明薄膜的膜厚。
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