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公开(公告)号:CN100440467C
公开(公告)日:2008-12-03
申请号:CN200410098022.2
申请日:2004-12-03
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/76843 , H01L21/76898 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05548 , H01L2224/05554 , H01L2224/05569 , H01L2224/0557 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/73257 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06582 , H01L2225/06586 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/04941 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/45099 , H01L2224/05552 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体芯片的制造方法,包括:从具有表面及背面并在上述表面形成有功能元件的半导体基板的上述表面,形成向该半导体基板的厚度方向延伸的凹部的工序;向上述凹部的内壁面供给不活泼的第1金属材料而形成氧化防止膜的工序;在该形成氧化防止膜的工序后,向上述凹部内供给含有比上述第1金属材料易氧化的金属的第2金属材料的工序;电连接上述第2金属材料与上述功能元件的工序;在残留上述氧化防止膜的状态下,从其背面去除上述半导体基板,使之变得比上述凹部的深度薄,将上述凹部形成为贯通基板的贯通孔,将上述第2金属材料形成为电连接上述表面侧与上述背面侧的贯通电极,同时形成为从上述背面侧突出的背面侧突起电极的薄型化工序。
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公开(公告)号:CN1795558A
公开(公告)日:2006-06-28
申请号:CN200480014803.7
申请日:2004-05-28
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: H01L24/06 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L29/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05554 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2225/06562 , H01L2225/06593 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01055 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10155 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/3011
Abstract: 本发明的目的在于,提供一种能够以相同结构层叠为多层以组装成模块的电子部件。以预定的设定次数的旋转对称或者以与包含所述旋转对称及对称轴线的面对称地形成各端子组(31~36)的各端子。公共连接端子组(32,36)的各端子(A0~A7,RFCG)在层叠方向两侧的表面部形成连接部。个别连接端子组(31,33)的各端子中,一个特定端子(CS;KEY)在层叠方向两侧的表面部的至少一方形成连接部,余下的相关端子(NC;DMY)在层叠方向两侧的表面部形成连接部。通过将这样的电子部件(20)分别相互错开规定角度或者进一步翻转以进行层叠,能够采用相同的电子部件(20)较佳地组装模块,其中,规定角度是指将360度除以所述设定次数得到的角度。
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