公开(公告)号：CN111656498B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN201880087810.1

申请日：2018-02-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 津波大介

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 具有：源极电极(13)，其形成于半导体基板接触区域的源极电极(13a)和处于非欧姆接触等的接触的区域处的第二接触区域的源极电极(13b)这两者与半导体基板(11)接合；背面电极(16)，其形成于半导体基板(11)的背面；以及贯通孔(17)，在贯通孔(17)设置有将源极电极(13)的第二接触区域的源极电极(13b)与背面电极(16)连接的配线，由此，得到不仅能够提高耐腐蚀性，还能够降低泄漏电流，适于高频工作的可靠性高的半导体装置。(11)的表面，通过处于欧姆接触的区域处的第一

公开(公告)号：CN110914745A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201880040231.1

申请日：2018-08-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 福永圭吾 ,  堀口裕一郎 ,  前田和弘 ,  津波大介

IPC: G02F1/025

Abstract: 包括：在半导体基板上依次堆积活性层、包层及接触层的工序；对所述层进行蚀刻而形成台面结构的工序；形成绝缘膜而将台面结构覆盖的工序；将绝缘膜的膜厚减少至接触层的上表面露出为止，将残留的绝缘膜作为侧壁的工序；形成电介质树脂层而埋入台面结构及侧壁的工序；对电介质树脂层选择性地进行蚀刻而形成开口部，使接触层的上表面露出的工序；在开口部内形成电极的工序。

公开(公告)号：CN103789764B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201310518846.X

申请日：2013-10-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 津波大介 ,  西泽弘一郎

IPC: C23C28/00 ,  C25D7/12 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L21/76874 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/31 ,  C23C18/34 ,  C23C18/36 ,  C23C18/54 ,  C25D3/16 ,  C25D3/18 ,  C25D3/38 ,  C25D3/50 ,  C25D5/10 ,  C25D7/123 ,  C25D15/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/4875 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体元件的制造方法、半导体元件。本发明的目的在于提供一种在基板与金属层之间具有覆盖性好的层并且用该层能抑制作为金属层的成分的Cu等向基板扩散的半导体元件的制造方法及半导体元件。具备：将基板（10）浸渍在包含金属离子的液体中，使金属催化剂（12a）附着在该基板的表面的工序；将附着有该金属催化剂的该基板浸渍在无电解电镀液中以在该基板形成无电解电镀层（14）的工序；将该基板浸渍在电解电镀液中，将该无电解电镀层作为供电层在该无电解电镀层上形成电解电镀层（16）的工序；以及在该电解电镀层上用Cu或Ag形成金属层（18）的工序。该电解电镀层用与该金属层不同的材料形成。