公开(公告)号：CN109643661B

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN201780046968.X

申请日：2017-07-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 曾田真之介 ,  横山吉典 ,  小林浩

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 提供即使在功率半导体元件的可动作温度充分高的情况下，仍具有高的可靠性的功率半导体装置。具备：功率半导体元件(1)，包括形成于第1面(1A)上的电极(2)；第1应力缓和部(6)，与电极(2)经由第1接合部(5)连接；以及布线部连接。第1接合部(5)的接合强度高于第2接合部(7)的接合强度。(8)，与第1应力缓和部(6)经由第2接合部(7)电

公开(公告)号：CN114846598A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN201980103160.X

申请日：2019-12-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 横山吉典 ,  根岸哲 ,  山崎浩次

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/40 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L21/52

Abstract: 得到降低从半导体元件至底板的热阻并实现了接合部的应力缓和的功率模块。功率模块具备：半导体元件(1)；绝缘基板(11)，具有绝缘层(5)，在绝缘层(5)的上表面设置了电路层(3、7)并在下表面设置了金属层(4、6)；以及烧结性接合构件(2)，将半导体元件(1)的背面和绝缘层(5)的上表面侧的电路层(3)的上表面接合，具有比半导体元件(1)的背面侧的外周更大的上表面。

公开(公告)号：CN114792671A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210065866.5

申请日：2022-01-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田洋辅 ,  佐藤祐司 ,  横山吉典

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 得到能够容易地提高绝缘耐量的半导体装置、功率模块及半导体装置的制造方法。第2导体板(2)与第1导体板(1)分离。多个半导体元件(3)的背面电极与第1导体板连接。中继基板(7)设置于第2导体板之上。中继基板(7)具有多个第1中继焊盘(10)和与多个第1中继焊盘连接的第2中继焊盘(11)。多个半导体元件的控制电极(4)与多个第1中继焊盘分别连接。第1导体块(13)与多个半导体元件(3)的表面电极(5)连接。第2导体块(14)与第2中继焊盘(11)连接。第1导体板(1)从封装材料(15)的第1主面(S1)露出。第2导体板(2)不从第1主面(S1)露出。第1及第2导体块(14)从第2主面(S2)露出。

公开(公告)号：CN117497522A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202310938619.6

申请日：2023-07-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田洋辅 ,  境纪和 ,  佐藤祐司 ,  横山吉典

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/12 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。目的在于提供一种能够容易地从半导体装置取出子模块，重新利用子模块的技术。半导体装置具有：子模块(1)，其将导体板(21)和经由第1接合材料(13)搭载于导体板(21)的上表面的半导体元件(11)通过第1封装材料(24)封装；绝缘基板(31)，其经由第2接合材料(12)接合至子模块(1)的下表面；壳体(33)，其包围绝缘基板(31)以及子模块(1)的周围；以及第2封装材料(34)，其以至少使子模块(1)的上表面露出的方式封装由壳体(33)围出的区域。

公开(公告)号：CN110383439B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201880015536.7

申请日：2018-01-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 横山吉典 ,  藤田淳 ,  筱原利彰 ,  小林浩

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/50 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 得到抑制在搬送薄的半导体元件时发生缺损的半导体装置。半导体装置具备：薄的半导体元件(1)，在正面侧具有表面电极(2)并在背面侧具有背面电极(3)；金属部件(4、8)，厚度是半导体元件(1)的厚度以上，形成于表面电极(2)或者背面电极(3)的至少一方；以及树脂部件(5)，使半导体元件(1)的正面的一部分露出，与金属部件(4、8)的侧面相接地包围金属部件(4、8)的周围。

公开(公告)号：CN109075159B

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN201680084542.9

申请日：2016-10-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉田基 ,  末广善幸 ,  须贺原和之 ,  中西洋介 ,  横山吉典 ,  曾田真之介 ,  林功明

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/52 ,  H01L23/40 ,  H01L25/18

Abstract: 提供导热性高、且工作性优异的半导体装置。半导体装置(101)具备绝缘基板(13)、半导体元件(11)、管芯接合材料(22)、接合材料(23)以及冷却构件(12)。绝缘基板(13)具有绝缘陶瓷(6)、设置于绝缘陶瓷(6)的一个面的导板(5)以及设置于另一个面的导板(7)。半导体元件(11)经由管芯接合材料(22)设置在导板(5)上。在管芯接合材料(22)中采用烧结金属。半导体元件(11)的弯曲强度为700MPa以上，其厚度为0.05mm以上且0.1mm以下。冷却构件(12)经由接合材料(23)接合于导板(7)。

公开(公告)号：CN108475666A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680079449.9

申请日：2016-11-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 横山吉典 ,  曾田真之介 ,  太田成人 ,  西川和康 ,  福本晃久

IPC: H01L23/40 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36

CPC classification number: H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L23/40 ,  H01L2224/32225

Abstract: 功率模块(101)具备：绝缘电路基板(1)、半导体元件(3)、第一缓冲板(5)、第一及第二接合材料(11)、及散热构件(7)。半导体元件(3)配置于绝缘电路基板(1)的一方的主表面(1a)侧。第一缓冲板(5)配置于绝缘电路基板(1)与半导体元件(3)之间，第一接合材料(11)配置于绝缘电路基板(1)与第一缓冲板(5)之间，第二接合材料(11)配置于半导体元件(3)与第一缓冲板(5)之间。散热构件(7)配置于绝缘电路基板(1)的一方的主表面(1a)侧的相反侧的另一方的主表面(1b)侧。第一接合材料(11)在俯视时被分割成多个。第一缓冲板(5)的线膨胀系数比半导体元件(3)的线膨胀系数大且比绝缘电路基板(1)的线膨胀系数小。第一缓冲板(5)的杨氏模量比半导体元件(3)的杨氏模量小。