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公开(公告)号：CN111164475B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201780095438.4
申请日：2017-10-03
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及的半导体光集成元件具有：导电性基板；激光器，其设置于导电性基板；半绝缘性半导体层，其设置于导电性基板之上；光电二极管，其设置于半绝缘性半导体层之上；以及波导，其设置于导电性基板之上，将激光器的输出光引导至光电二极管，光电二极管的阳极与光电二极管的阴极是从光电二极管的上表面侧引出的，波导与光电二极管通过半绝缘性半导体层隔离。
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公开(公告)号：CN105977787A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610141486.X
申请日：2016-03-11
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 松本启资
CPC classification number: H01S5/2081 , G02B6/00 , G02B6/136 , G02B2006/12078 , G02B2006/12097 , H01L21/308 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/2226 , H01S5/2275 , H01S5/3219 , H01S5/34386 , H01S5/223
Abstract: 防止在形成填埋型光元件的脊部时高台面脊型光元件的Al类材料飞溅附着至芯层的侧面，改善可靠性。在形成调制器的区域，形成在内侧具有镂空部(9)的第2绝缘膜(8)，将该第2绝缘膜用作掩模而进行蚀刻，从而在镂空部(9)的下方，在透明波导层(6)以及p-InP上包层(7)形成凹部(10)。接着，形成具有Al类材料的调制器层(11)，在将形成在凹部内的调制器层(11)利用第3绝缘膜(13)覆盖的状态下进行蚀刻而将除形成在凹部内的调制器层以外的调制器层(11)去除。在将形成在凹部内的调制器层(11)利用第4绝缘膜(14)覆盖的状态下进行蚀刻，形成半导体激光器的脊部，而不使形成在凹部内的调制器层(11)露出。
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公开(公告)号：CN101527429B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200910126691.9
申请日：2009-03-05
Applicant: 三菱电机株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: H01S5/12 , B82Y20/00 , H01S5/105 , H01S5/1203 , H01S5/32391 , H01S5/3403
Abstract: 本发明提供半导体激光器及其制造方法。在同一衬底上形成发生光的激活部分和用于从发生的光得到激光的谐振器外周部分。衬底为InP衬底。激活部分具有由AlInAs或AlGaInAs构成的第一导电型的包层、包含由AlGaInAs或InGaAsP构成的激活层的芯层、以及由AlInAs或AlGaInAs构成的第二导电型的包层。外周部分具有将第一导电型的包层氧化的第一包层、芯层、以及将第二导电型的包层氧化的第二包层。在外周部分形成以规定周期排列多个空穴的二维光子晶体。
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公开(公告)号：CN115023869A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202080094364.4
申请日：2020-01-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/227
Abstract: 本发明的光半导体装置具备：台面条带(8)，在n型InP基板(1)的表面依次层叠n型InP包覆层(2)、活性层(3)以及p型InP包覆层(4)而成；Fe掺杂半绝缘性InP层(9)，以比台面条带的高度高的方式埋入到台面条带的两侧；n型InP阻挡层(10)，在与活性层(3)的中央部分对应的区域隔开比活性层窄的间隔而层叠于台面条带的两侧的Fe掺杂半绝缘性InP层的表面；p型InP包覆层(6)，形成于n型InP阻挡层的台面条带侧的两端部的背面；以及p型InP包覆层(12)，埋入台面条带的顶部、p型InP包覆层以及n型InP阻挡层，p型InP包覆层设为载流子浓度比p型InP包覆层以及p型InP包覆层高，而降低漏电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113841310A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201980094951.0
申请日：2019-05-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/026
Abstract: 光半导体装置(1)具备：多个半导体激光器(2)，它们从前端侧输出第一光，并且从与前端侧相反的一侧即后端侧输出第二光；光合波电路(4)，其对从多个半导体激光器(2)输出的第一光进行合波并将输出光(7)输出；多个波导路(8)，它们将第二光分别向该光半导体装置(1)的一端面(12)侧导波；以及多个光检测器(9)，它们接收在波导路(8)中进行了导波的第二光分别在一端面(12)或在形成于一端面(12)的多个凹部(14)的倾斜端面(35)反射后的各个反射光(11)。光检测器(9)配置于半导体激光器(2)的后端侧与一端面(12)或倾斜端面(35)之间，从波导路(8)输出的第二光相对于一端面(12)或倾斜端面(35)的垂线倾斜地输出。
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公开(公告)号：CN111164475A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201780095438.4
申请日：2017-10-03
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及的半导体光集成元件具有：导电性基板；激光器，其设置于导电性基板；半绝缘性半导体层，其设置于导电性基板之上；光电二极管，其设置于半绝缘性半导体层之上；以及波导，其设置于导电性基板之上，将激光器的输出光引导至光电二极管，光电二极管的阳极与光电二极管的阴极是从光电二极管的上表面侧引出的，波导与光电二极管通过半绝缘性半导体层隔离。
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公开(公告)号：CN103633555A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310307818.3
申请日：2013-07-22
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G02B6/0001 , B82Y20/00 , G02B6/122 , G02B6/2813 , G02B2006/1215 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/227 , H01S5/34306 , H01S5/4031
Abstract: 本发明的课题是得到能够减小分别驱动多个半导体激光器时的输出光的线宽的波动的光半导体装置。解决的手段是，MMI耦合器（2）将来自分离配置的两组半导体激光器（1a～1l）的输出光耦合。SOA（3）将来自MMI耦合器（2）的输出光放大。多条弯曲波导路（4a～4l）将两组半导体激光器（1a～1l）分别连接于MMI耦合器（2）。多条弯曲波导路（4a～4l）的曲率半径完全相同。
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公开(公告)号：CN102445769A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110215013.7
申请日：2011-07-29
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G02F1/025 , G02F1/2255
Abstract: 本发明的目的在于得到一种能够充分地扩大调制频带的光调制器。在半导体芯片（10）内设置有波导（12）。经由第一导线（18）将供电线（20）连接到行波型电极（14）的输入部（14a）。经由第二导线（22）以及终端线（24）将终端电阻（26）连接到行波型电极（14）的输出部（14b）。输出部（14b）和接地点之间的电容比输入部（14a）和接地点之间的电容大。
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公开(公告)号：CN101527429A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910126691.9
申请日：2009-03-05
Applicant: 三菱电机株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: H01S5/12 , B82Y20/00 , H01S5/105 , H01S5/1203 , H01S5/32391 , H01S5/3403
Abstract: 本发明提供半导体激光器及其制造方法。在同一衬底上形成发生光的激活部分和用于从发生的光得到激光的谐振器外周部分。衬底为InP衬底。激活部分具有由AlInAs或AlGaInAs构成的第一导电型的包层、包含由AlGaInAs或InGaAsP构成的激活层的芯层、以及由AlInAs或AlGaInAs构成的第二导电型的包层。外周部分具有将第一导电型的包层氧化的第一包层、芯层、以及将第二导电型的包层氧化的第二包层。在外周部分形成以规定周期排列多个空穴的二维光子晶体。
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