公开(公告)号：CN107452688B

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN201710258116.9

申请日：2017-04-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 村上晴彦 ,  米山玲 ,  木村义孝 ,  白滨孝之

IPC: H01L23/04 ,  H01L23/367

Abstract: 半导体装置(100)具有基座板(1)、壳体(3)、功率半导体元件(5)和控制用半导体元件(6)。壳体(3)设置于基座板(1)之上。功率半导体元件(5)配置于壳体(3)内的基座板(1)之上。控制用半导体元件(6)配置于壳体(3)的内部。在壳体(3)的与基座板(1)相反侧形成有开口部(21)。还具有将壳体(3)的开口部(21)闭塞的盖(23)。在盖(23)处，在俯视时与控制用半导体元件(6)重叠的区域的至少一部分形成有孔部(25)。

公开(公告)号：CN106057743B

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201610237132.5

申请日：2016-04-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木村义孝 ,  米山玲 ,  后藤亮 ,  山下秋彦

IPC: H01L23/10

Abstract: 目的在于提供能够针对不同大小的基座板共用壳体，基座板的稳定性高的功率半导体模块。本发明的功率半导体模块具有：基座板(2)；绝缘基板(3)，其配置在基座板(2)的第1主面(2A)之上；半导体芯片(4)，其配置在绝缘基板(3)之上；壳体(1)，除了基座板(2)的与第1主面(2A)相对的第2主面(2B)之外，该壳体(1)围绕基座板(2)、绝缘基板(3)及半导体芯片(4)；以及衬垫(6)，其在基座板(2)的外周和壳体(1)的内周之间与两者接触而设置。衬垫(6)具有在与基座板(2)的外周接触时与基座板(2)的侧面(2C)及第1主面(2A)接合的接合面。

公开(公告)号：CN106057743A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610237132.5

申请日：2016-04-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木村义孝 ,  米山玲 ,  后藤亮 ,  山下秋彦

IPC: H01L23/10

CPC classification number: H01L23/049 ,  H01L23/10 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L2224/48139

Abstract: 目的在于提供能够针对不同大小的基座板共用壳体，基座板的稳定性高的功率半导体模块。本发明的功率半导体模块具有：基座板(2)；绝缘基板(3)，其配置在基座板(2)的第1主面(2A)之上；半导体芯片(4)，其配置在绝缘基板(3)之上；壳体(1)，除了基座板(2)的与第1主面(2A)相对的第2主面(2B)之外，该壳体(1)围绕基座板(2)、绝缘基板(3)及半导体芯片(4)；以及衬垫(6)，其在基座板(2)的外周和壳体(1)的内周之间与两者接触而设置。衬垫(6)具有在与基座板(2)的外周接触时与基座板(2)的侧面(2C)及第1主面(2A)接合的接合面。

公开(公告)号：CN111403351A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201911328204.7

申请日：2019-12-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木村义孝

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H02M1/00 ,  H02M7/00 ,  H02M7/48 ,  H02M7/483

Abstract: 得到能够抑制模块的翘曲的半导体模块、其制造方法以及电力变换装置。在基座板(1)之上设置有半导体芯片(5)。封装树脂(9)将半导体芯片(5)封装。封装树脂(9)的线膨胀系数从半导体芯片(5)朝向封装树脂(9)的上表面而连续地增加。

公开(公告)号：CN106252292B

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201610424290.1

申请日：2016-06-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木村义孝 ,  米山玲 ,  山下秋彦

IPC: H01L23/053 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01R12/585 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49838 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01R12/7064 ,  H01L2924/00014

Abstract: 提供能够使压接部的面朝向希望的角度且具有高强度的压接端子及具有该压接端子的半导体装置、电力变换装置、以及压接端子的制造方法。制作出压接端子用板材(60)后，接着将其根部(51)和主体部(53)弯折。在根部(51)的端部处使得主体部(53)从根部(51)立起，且使得折痕(52)相对于根部(51)的长度方向轴而倾斜。由此，能够形成图3示出的压接端子(50)。根据本实施方式，通过将利用模具而冲裁出的压接端子(50)如图3所示地弯折，从而无需实施扭转加工，能够得到根部(51)的长度方向和折痕(52)形成的角度(θ)不是90°的压接端子(50)。

公开(公告)号：CN109599372A

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201811139732.3

申请日：2018-09-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石桥秀俊 ,  浅田晋助 ,  木村义孝 ,  江草稔

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498

Abstract: 抑制半导体装置整体的高度尺寸扩大，且兼顾半导体装置的电绝缘性和压接端子的变形容许度。半导体装置具备绝缘基板、设于绝缘基板上的半导体元件、壳体框、压接端子、设于绝缘基板上的内壁部内侧而封装半导体元件的封装材料。壳体框在绝缘基板的俯视观察时以包围半导体元件的方式设于绝缘基板周缘。壳体框由绝缘物构成，具备外壁部、与外壁部相比设于绝缘基板中央侧的内壁部、夹在外壁部和内壁部间而与外壁部及内壁部一起构成凹部的凹部底面。压接端子具备经由配线与半导体元件连接的根部、从根部立起的主体部、设于主体部上端的压入部，根部埋入至凹部底面，主体部从凹部底面立起，从而主体部在内壁部和外壁部之间延伸，压入部凸出至凹部的上方。

公开(公告)号：CN106252292A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610424290.1

申请日：2016-06-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木村义孝 ,  米山玲 ,  山下秋彦

IPC: H01L23/053 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01R12/585 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49838 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01R12/7064 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/053 ,  H01L23/562 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供能够使压接部的面朝向希望的角度且具有高强度的压接端子及具有该压接端子的半导体装置、电力变换装置、以及压接端子的制造方法。制作出压接端子用板材(60)后，接着将其根部(51)和主体部(53)弯折。在根部(51)的端部处使得主体部(53)从根部(51)立起，且使得折痕此，能够形成图3示出的压接端子(50)。根据本实施方式，通过将利用模具而冲裁出的压接端子(50)如图3所示地弯折，从而无需实施扭转加工，能够得到根部(51)的长度方向和折痕(52)形成的角度(θ)不是90°的压接端子(50)。(52)相对于根部(51)的长度方向轴而倾斜。由

公开(公告)号：CN103985691A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410050259.7

申请日：2014-02-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木村义孝 ,  小野真理子 ,  后藤章

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H01L23/495 ,  H01L23/049 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4006 ,  H01L25/065 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其可以抑制导电性材料图案从绝缘层剥离。半导体装置（10）具有金属基板（11）、半导体元件（30、32）、导线（35、36、37、38）、控制端子（40）、主电极端子（42）、控制基板（44）、盖（45）、封装树脂（50）、壳体（20）以及绝缘物（18）。金属基板（11）具有金属板（12）、形成在金属板（12）上表面的绝缘层（14）以及设置在绝缘层（14）上的电极图案（16）。半导体元件（30、32）经由焊料（34）安装在电极图案（16）上。封装树脂（50）对半导体元件（30、32）等的壳体（20）内的结构进行封装。绝缘物（18）覆盖绝缘层（14）的表面的一部分以及电极图案（16）的端面（16b）的至少一部分。

公开(公告)号：CN112750801B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202011146157.7

申请日：2020-10-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石桥秀俊 ,  木村义孝 ,  江草稔 ,  浅地伸洋 ,  勅使河原一成

IPC: H01L23/49 ,  H01L25/16

Abstract: 功率半导体装置(100)具有：功率半导体元件(10)；控制电路(50)，其对功率半导体元件(10)进行控制；控制基板(51)，其安装有控制电路(50)；盖(60)，其以在第1方向(A)上与控制基板(51)的至少一部分重叠的方式配置；以及至少一个外部连接端子(70)，其具有与控制基板(51)连接的第1部分(71)、与外部设备连接的第2部分(72)、以及位于第1部分(71)与第2部分(72)之间且与盖(60)固定的第3部分(73)，第1部分(71)构成为压配合部。

公开(公告)号：CN117673017A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311123545.7

申请日：2023-09-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木村义孝

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/488 ,  H01L23/053 ,  H02M1/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置、半导体装置的制造方法及电力变换装置。目的在于提供能够减小半导体装置的自感的技术。半导体装置具有：绝缘基板(4a、4b)，其在上表面形成有电路图案(3b)；半导体元件(5a、5b)，其搭载于电路图案(3a)的上表面；以及多个电极端子(6、7、8)，它们的一个端部接合于电路图案(3a)的上表面。多个电极端子(6、7、8)中的具有彼此相邻的部分的电极端子(6、7)至少在所述部分涂覆有厚度比100μm薄的绝缘膜(11)。