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公开(公告)号：CN119604969A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202280096633.X
申请日：2022-06-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/60 , B23K26/352 , H01L21/3205 , H01L21/56 , H01L21/768 , H01L23/522 , H10D30/60
Abstract: 本公开涉及一种半导体装置及其制造方法，其目的在于提供一种半导体装置及其制造方法，通过激光照射对表面电极的最外层表面进行改性，从而能够实现半导体装置的低成本化及组装性提高。包括本公开的表面电极焊料接合部、焊料、树脂密封材料以及安装于表面电极焊料接合部之下的半导体元件。表面电极焊料接合部具有将最外层表面氧化及粗糙化后的第一激光改性部、和与所述焊料相接合的第一焊料接合区域，激光改性部被树脂密封材料覆盖。
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公开(公告)号：CN109155302B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201680086053.7
申请日：2016-05-31
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 高压电极(5)的一端与半导体元件(1)的高压端子连接。低压电极(6)的一端与半导体元件(1)的低压端子连接。树脂(15)对半导体元件(1)、高压电极(5)的一端及低压电极(6)的一端进行封装。第1放电电极(16)及第2放电电极(17)分别设置于高压电极(5)及低压电极(6)的未被树脂(15)覆盖的部分，以彼此相对的方式凸出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113195885B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201880100341.2
申请日：2018-12-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 山本刚司
IPC: F02P17/12
Abstract: 离子电流检测电路(101～104)用于对在内燃机用的火花塞(92)流动的离子电流(Iion)进行检测。检测端子(T2)与火花塞(92)电连接。基准端子(T1)被供给基准电位。至少1个保护二极管(161、162；160)设置于检测端子(T2)和基准端子(T1)之间。电流检测部(120)使检测电流(Idtc)向检测端子(T2)与至少1个保护二极管(161、162；160)之间流动。电流补偿部(110)使补偿电流(Icmp)向检测端子(T2)与至少1个保护二极管之间流动。
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公开(公告)号：CN106463537B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201480080154.4
申请日：2014-06-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/3205 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/04 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/739
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够消除面内的电流分布的偏差的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置是具有晶体管单元区域(37)的半导体装置(1)，该晶体管单元区域(37)是在半导体衬底(9)之上配置有多个晶体管的单元的区域，该半导体装置的特征在于，具有电极焊盘(2)，该电极焊盘(2)避开晶体管单元区域(37)而配置在半导体衬底(9)之上，且与各单元的一个电流电极电连接，晶体管单元区域(37)由电流驱动能力依赖于与电极焊盘(2)相距的距离而不同的多个区域(6、7、8)构成。
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公开(公告)号：CN109155302A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201680086053.7
申请日：2016-05-31
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 高压电极(5)的一端与半导体元件(1)的高压端子连接。低压电极(6)的一端与半导体元件(1)的低压端子连接。树脂(15)对半导体元件(1)、高压电极(5)的一端及低压电极(6)的一端进行封装。第1放电电极(16)及第2放电电极(17)分别设置于高压电极(5)及低压电极(6)的未被树脂(15)覆盖的部分，以彼此相对的方式凸出。
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公开(公告)号：CN105144580B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201380075414.4
申请日：2013-04-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/08 , F02P3/055 , H03K17/695
CPC classification number: H03K17/687 , F02P3/055 , F02P3/08 , F02P3/096 , H03K17/0828 , H03K17/168
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种具有保护功能且能够实现小型化及低成本化的半导体装置。本发明的半导体装置具有开关元件(Q1)、驱动电路(11)和控制电路(30)。如果从驱动电路(11)输出高电平的驱动控制信号，则控制电路(30)使开关元件(Q1)的驱动停止，并对电荷蓄积用电容器(C1)进行充电。如果从驱动电路(11)输出了低电平的驱动控制信号，则控制电路(30)使用蓄积在电荷蓄积用电容器(C1)中的电荷，对开关元件(Q1)进行驱动。
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公开(公告)号：CN106463537A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201480080154.4
申请日：2014-06-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/3205 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/04 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/739
CPC classification number: H01L24/05 , F02P3/055 , F02P3/0552 , H01L23/4824 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L27/04 , H01L27/0629 , H01L27/0664 , H01L29/06 , H01L29/0619 , H01L29/0638 , H01L29/0696 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/1095 , H01L29/12 , H01L29/1608 , H01L29/40 , H01L29/402 , H01L29/417 , H01L29/739 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/78 , H01L2224/04042 , H01L2224/05013 , H01L2224/05015 , H01L2224/0502 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/0556 , H01L2224/45124 , H01L2224/4847 , H01L2224/85205 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够消除面内的电流分布的偏差的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置是具有晶体管单元区域(37)的半导体装置(1)，该晶体管单元区域(37)是在半导体衬底(9)之上配置有多个晶体管的单元的区域，该半导体装置的特征在于，具有电极焊盘配置在半导体衬底(9)之上，且与各单元的一个电流电极电连接，晶体管单元区域(37)由电流驱动能力依赖于与电极焊盘(2)相距的距离而不同的多个区域(6、7、8)构成。(2)，该电极焊盘(2)避开晶体管单元区域(37)而
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