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公开(公告)号：CN119604969A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202280096633.X
申请日：2022-06-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/60 , B23K26/352 , H01L21/3205 , H01L21/56 , H01L21/768 , H01L23/522 , H10D30/60
Abstract: 本公开涉及一种半导体装置及其制造方法，其目的在于提供一种半导体装置及其制造方法，通过激光照射对表面电极的最外层表面进行改性，从而能够实现半导体装置的低成本化及组装性提高。包括本公开的表面电极焊料接合部、焊料、树脂密封材料以及安装于表面电极焊料接合部之下的半导体元件。表面电极焊料接合部具有将最外层表面氧化及粗糙化后的第一激光改性部、和与所述焊料相接合的第一焊料接合区域，激光改性部被树脂密封材料覆盖。
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公开(公告)号：CN118922939A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202280094111.6
申请日：2022-03-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/58
Abstract: 本发明涉及半导体装置，具有：第1主端子，其被赋予第1电位；第2主端子，其被赋予低于第1电位的第2电位；控制端子，其与设置于外部的过电流检测电路连接；至少1个半导体元件，其具有在第1主端子与第2主端子之间连接的MOS晶体管；以及至少1个二极管，其阴极与第1主端子电连接，阳极与控制端子电连接，对过电流检测电路进行保护，至少1个半导体元件搭载于导体板上，至少1个半导体元件以及所述至少1个二极管由绝缘树脂封装。
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公开(公告)号：CN119725322A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411317813.3
申请日：2024-09-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/544
Abstract: 半导体芯片(1)具有：半导体基板(2)，其具有第1面(2A)，在该半导体基板形成有半导体元件；以及多个焊盘(3)，它们与半导体元件电连接，在第1面之上彼此隔开间隔地配置。多个焊盘包含第1控制焊盘(6)及第2控制焊盘(7)。在俯视观察时，第2控制焊盘包含与第1控制焊盘相比外形为异形的异形部(7A)。
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公开(公告)号：CN115038859B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202080095123.1
申请日：2020-02-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供能够实现小型化的电力半导体装置。本发明涉及的电力半导体装置具有：半导体开关元件，其对流过构成点火线圈的初级侧线圈的电流进行控制；以及控制电路，其对半导体开关元件的驱动进行控制，控制电路具有：第1恒流源；第1晶体管，其输出端子与半导体开关元件的控制端子连接；电阻，其一端与第1晶体管的控制端子连接，另一端与恒流源连接；电容器，其一端与第1晶体管的控制端子连接，另一端接地；以及第2晶体管，其输入端子与电阻的另一端连接，输出端子接地。
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公开(公告)号：CN115038859A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202080095123.1
申请日：2020-02-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供能够实现小型化的电力半导体装置。本发明涉及的电力半导体装置具有：半导体开关元件，其对流过构成点火线圈的初级侧线圈的电流进行控制；以及控制电路，其对半导体开关元件的驱动进行控制，控制电路具有：第1恒流源；第1晶体管，其输出端子与半导体开关元件的控制端子连接；电阻，其一端与第1晶体管的控制端子连接，另一端与恒流源连接；电容器，其一端与第1晶体管的控制端子连接，另一端接地；以及第2晶体管，其输入端子与电阻的另一端连接，输出端子接地。
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