公开(公告)号：CN119604969A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202280096633.X

申请日：2022-06-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西村一广 ,  境纪和 ,  上野诚 ,  东幸干 ,  山本刚司

IPC: H01L21/60 ,  B23K26/352 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H10D30/60

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置及其制造方法，其目的在于提供一种半导体装置及其制造方法，通过激光照射对表面电极的最外层表面进行改性，从而能够实现半导体装置的低成本化及组装性提高。包括本公开的表面电极焊料接合部、焊料、树脂密封材料以及安装于表面电极焊料接合部之下的半导体元件。表面电极焊料接合部具有将最外层表面氧化及粗糙化后的第一激光改性部、和与所述焊料相接合的第一焊料接合区域，激光改性部被树脂密封材料覆盖。

公开(公告)号：CN111684677B

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN201880088565.6

申请日：2018-02-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 上野诚 ,  西村一广 ,  山本刚司

IPC: H02H7/20 ,  F02P3/055

Abstract: 第1钳位电路(4)将开关元件(Q1)的栅极与第1端子之间的电压钳位为小于或等于第1钳位电压。对开关元件(Q1)进行控制的控制电路(2)具有：驱动部(5)，其对开关元件(Q1)进行驱动；异常检测部(9)，其在检测出动作异常时使驱动部(5)停止；以及第2钳位电路(10)。在异常检测部(9)使驱动部(5)停止时，第2钳位电路(10)将栅极与第1端子之间的电压钳位为小于或等于比第1钳位电压低的第2钳位电压。

公开(公告)号：CN111684677A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN201880088565.6

申请日：2018-02-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 上野诚 ,  西村一广 ,  山本刚司

IPC: H02H7/20 ,  F02P3/055

Abstract: 第1钳位电路(4)将开关元件(Q1)的栅极与第1端子之间的电压钳位为小于或等于第1钳位电压。对开关元件(Q1)进行控制的控制电路(2)具有：驱动部(5)，其对开关元件(Q1)进行驱动；异常检测部(9)，其在检测出动作异常时使驱动部(5)停止；以及第2钳位电路(10)。在异常检测部(9)使驱动部(5)停止时，第2钳位电路(10)将栅极与第1端子之间的电压钳位为小于或等于比第1钳位电压低的第2钳位电压。

公开(公告)号：CN113678261B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN201980095117.3

申请日：2019-04-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西村一广 ,  上野诚 ,  荒木慎太郎 ,  河本厚信 ,  富冈昌则

IPC: H10D30/60 ,  H10D12/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置，其具有：半导体基板，其具有流过主电流的有源区域、有源区域的周围的末端区域；聚酰亚胺膜，其设置于有源区域之上及末端区域之上；以及钝化膜，其是作为聚酰亚胺膜的下层膜而设置的，末端区域包含从有源区域侧依次设置的耐压保持区域及最外周区域，聚酰亚胺膜是将最外周区域的切割残留部排除在外而设置的，钝化膜至少在设置有聚酰亚胺膜的区域被设置作为下层膜。

公开(公告)号：CN116888740A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202180093686.1

申请日：2021-02-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 上野诚 ,  西村一广

IPC: H01L29/78

Abstract: 提供一种能够以短时间进行具有可靠性的筛选的半导体装置。半导体装置具有开关元件、控制电路、齐纳二极管、第1端子以及第2端子。开关元件形成于半导体基板。控制电路形成于包含开关元件的半导体基板，对开关元件的状态进行控制。齐纳二极管包含连接至输入端子与控制电路之间的电源电压线的阴极，该输入端子被输入用于对控制电路进行驱动的电源电压。齐纳二极管形成于半导体基板。第1端子作为齐纳二极管的阳极而设置于半导体基板的主面。第2端子作为开关元件的发射极以及源极之中的任意一者而设置于半导体基板的主面，在半导体基板内与第1端子绝缘。

公开(公告)号：CN113678261A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN201980095117.3

申请日：2019-04-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西村一广 ,  上野诚 ,  荒木慎太郎 ,  河本厚信 ,  富冈昌则

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明涉及半导体装置，其具有：半导体基板，其具有流过主电流的有源区域、有源区域的周围的末端区域；聚酰亚胺膜，其设置于有源区域之上及末端区域之上；以及钝化膜，其是作为聚酰亚胺膜的下层膜而设置的，末端区域包含从有源区域侧依次设置的耐压保持区域及最外周区域，聚酰亚胺膜是将最外周区域的切割残留部排除在外而设置的，钝化膜至少在设置有聚酰亚胺膜的区域被设置作为下层膜。