公开(公告)号：CN113678261B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN201980095117.3

申请日：2019-04-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西村一广 ,  上野诚 ,  荒木慎太郎 ,  河本厚信 ,  富冈昌则

IPC: H10D30/60 ,  H10D12/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置，其具有：半导体基板，其具有流过主电流的有源区域、有源区域的周围的末端区域；聚酰亚胺膜，其设置于有源区域之上及末端区域之上；以及钝化膜，其是作为聚酰亚胺膜的下层膜而设置的，末端区域包含从有源区域侧依次设置的耐压保持区域及最外周区域，聚酰亚胺膜是将最外周区域的切割残留部排除在外而设置的，钝化膜至少在设置有聚酰亚胺膜的区域被设置作为下层膜。

公开(公告)号：CN113678261A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN201980095117.3

申请日：2019-04-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西村一广 ,  上野诚 ,  荒木慎太郎 ,  河本厚信 ,  富冈昌则

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明涉及半导体装置，其具有：半导体基板，其具有流过主电流的有源区域、有源区域的周围的末端区域；聚酰亚胺膜，其设置于有源区域之上及末端区域之上；以及钝化膜，其是作为聚酰亚胺膜的下层膜而设置的，末端区域包含从有源区域侧依次设置的耐压保持区域及最外周区域，聚酰亚胺膜是将最外周区域的切割残留部排除在外而设置的，钝化膜至少在设置有聚酰亚胺膜的区域被设置作为下层膜。