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公开(公告)号：CN108026888B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201580082680.9
申请日：2015-08-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体开关元件的控制电路对半导体开关元件进行控制，该半导体开关元件具备控制端子、主电极端子及电流感测端子，在所述主电极端子或所述电流感测端子连接有二极管。该控制电路具备过热检测电路、电流检测电路以及切断电路。过热检测电路在基于所述二极管的输出而检测出的温度大于或等于预先确定的设定温度时发出过热检测信号。电流检测电路在所述电流感测端子的输出值大于或等于预先确定的设定电流值时发出电流检测信号。切断电路在被输入了来自所述过热检测电路的所述过热检测信号和来自所述电流检测电路的所述电流检测信号这两者的情况下将所述半导体开关元件断开。
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公开(公告)号：CN103077946B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210416161.X
申请日：2012-10-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/06
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/0716
Abstract: 本发明即便在半导体装置中流过负电流的情况下，也抑制半导体衬底（3）的电位相对于构成电路元件（2）的深半导体层的电位变低，不使寄生元件动作，防止半导体装置的误动作。本发明包括n型半导体衬底（3）、电力元件（1）、电路元件（2）和外部电路。外部电路具有电源、将一端与电源连接的电阻元件、和将阳极电极与电阻元件的另一端连接并且阴极电极GND接地的二极管，将半导体层（4）与电阻元件的另一端连接。
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公开(公告)号：CN102170284B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201010609297.3
申请日：2010-12-14
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: F02P3/0442 , F02D2041/2048 , F02D2041/2051 , F02P3/0554
Abstract: 本发明提供一种不妨碍整个装置的小型化或精简化而以简单的结构实现电源的过电压保护，且可靠性高的点火器用功率半导体装置。对点火线圈(6)的初级电流进行通电/切断的第一半导体开关元件(4)并联连接，使搭载于集成电路(3)上的第二半导体开关元件(35)先通电而使第三半导体开关元件(300)导通，从而监视电源的过电压，并保护所述第一半导体开关元件(4)免受过电压。
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公开(公告)号：CN113678261A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201980095117.3
申请日：2019-04-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明涉及半导体装置，其具有：半导体基板，其具有流过主电流的有源区域、有源区域的周围的末端区域；聚酰亚胺膜，其设置于有源区域之上及末端区域之上；以及钝化膜，其是作为聚酰亚胺膜的下层膜而设置的，末端区域包含从有源区域侧依次设置的耐压保持区域及最外周区域，聚酰亚胺膜是将最外周区域的切割残留部排除在外而设置的，钝化膜至少在设置有聚酰亚胺膜的区域被设置作为下层膜。
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公开(公告)号：CN103077946A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201210416161.X
申请日：2012-10-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/06
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/0716
Abstract: 本发明即便在半导体装置中流过负电流的情况下，也抑制半导体衬底（3）的电位相对于构成电路元件（2）的深半导体层的电位变低，不使寄生元件动作，防止半导体装置的误动作。本发明包括n型半导体衬底（3）、电力元件（1）、电路元件（2）和外部电路。外部电路具有电源、将一端与电源连接的电阻元件、和将阳极电极与电阻元件的另一端连接并且阴极电极GND接地的二极管，将半导体层（4）与电阻元件的另一端连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109155302B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201680086053.7
申请日：2016-05-31
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 高压电极(5)的一端与半导体元件(1)的高压端子连接。低压电极(6)的一端与半导体元件(1)的低压端子连接。树脂(15)对半导体元件(1)、高压电极(5)的一端及低压电极(6)的一端进行封装。第1放电电极(16)及第2放电电极(17)分别设置于高压电极(5)及低压电极(6)的未被树脂(15)覆盖的部分，以彼此相对的方式凸出。
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公开(公告)号：CN101174619B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710185160.8
申请日：2007-10-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/488
CPC classification number: H01L25/18 , H01L27/0259 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48145 , H01L2224/48247 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2225/06568 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H02M7/003 , Y10T307/944 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种能够提高集成电路的性能以及集成度、不损失放热性地可实现开关元件与集成电路的一体化的功率半导体装置。本发明的功率半导体装置具有导电板(3)、安装在导电板(3)上并电连接的开关元件(1)、与开关元件(1)隔离地安装在导电板(3)上并电连接的集成电路(4)。开关元件(1)相应输入到控制电极的控制信号使第一、第二主电极间的连接导通、截止。检测集成电路(4)具有控制开关元件(1)的导通和截止的控制电路(72)和检测集成电路(4)的背面的电压的背面电压检测元件(31)。
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公开(公告)号：CN101174619A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710185160.8
申请日：2007-10-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/488
CPC classification number: H01L25/18 , H01L27/0259 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48145 , H01L2224/48247 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2225/06568 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H02M7/003 , Y10T307/944 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种能够提高集成电路的性能以及集成度、不损失放热性地可实现开关元件与集成电路的一体化的功率半导体装置。本发明的功率半导体装置具有导电板(3)、安装在导电板(3)上并电连接的开关元件(1)、与开关元件(1)隔离地安装在导电板(3)上并电连接的集成电路(4)。开关元件(1)相应输入到控制电极的控制信号使第一、第二主电极间的连接导通、截止。检测集成电路(4)具有控制开关元件(1)的导通和截止的控制电路(72)和检测集成电路(4)的背面的电压的背面电压检测元件(31)。
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公开(公告)号：CN108026888A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201580082680.9
申请日：2015-08-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体开关元件的控制电路对半导体开关元件进行控制，该半导体开关元件具备控制端子、主电极端子及电流感测端子，在所述主电极端子或所述电流感测端子连接有二极管。该控制电路具备过热检测电路、电流检测电路以及切断电路。过热检测电路在基于所述二极管的输出而检测出的温度大于或等于预先确定的设定温度时发出过热检测信号。电流检测电路在所述电流感测端子的输出值大于或等于预先确定的设定电流值时发出电流检测信号。切断电路在被输入了来自所述过热检测电路的所述过热检测信号和来自所述电流检测电路的所述电流检测信号这两者的情况下将所述半导体开关元件断开。
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公开(公告)号：CN102810852A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210066405.6
申请日：2012-03-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02H9/04
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L23/49575 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0688 , H01L29/0619 , H01L2224/05553 , H01L2224/0603 , H01L2224/32145 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/4846 , H01L2224/49111 , H01L2924/00014 , H01L2924/12035 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H02M2001/344 , H01L2924/00 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及半导体装置，目的在于提供能有效利用浪涌电压的能量的技术。半导体装置具有：并联连接体(1)，包括在第一和第二连接点(71、72)间并联连接的IGBT(1a)及恢复二极管(1b)；第一缓冲器件(SD1)，具有IGBT(1a)的耐压以下的钳位电平；第二缓冲器件(SD2)，具有向IGBT(1a)的驱动电路(53)提供电力的电力提供部(54)的输出电压以上的钳位电平。第一缓冲器件(SD1)的一个端子经第一连接点(71)与并联连接体(1)的一端连接，第一缓冲器件(SD1)的另一个端子经第三连接点(73)与第二缓冲器件(SD2)的一个端子连接，第二缓冲器件(SD2)的另一个端子经第二连接点(72)与并联连接体(1)的另一端连接。半导体装置经第二及第三连接点(72、73)向电力提供部(54)反馈电力。
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