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公开(公告)号：CN101098989A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200580046553.X
申请日：2005-03-29
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C23F1/18 , C09K13/06 , H01L21/308
CPC classification number: C23F1/34 , H01L21/32134
Abstract: 本发明提供铜的蚀刻液和蚀刻方法，其即使在其他金属共存的情况下，也能选择对铜或铜合金均匀地进行蚀刻。所述铜的蚀刻液至少含有草酸铵、过氧化氢和表面活性剂，并且表面张力为45mN/m以下，pH为6.0～8.5。草酸铵作为与铜形成铜络合物而使铜溶解的络合剂发挥作用，过氧化氢作为对铜表面进行氧化的氧化剂发挥作用，通过含有表面活性剂，使蚀刻液的表面张力为45mN/m以下。由此提高对基板的润湿性，提高蚀刻液对基板结构中高位部的浸渗性，在配线或电极用的具有优异导电性的金属共存的情况下，能均匀且选择性地蚀刻铜或铜合金。
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公开(公告)号：CN101035931A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200580033894.3
申请日：2005-09-29
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C25D11/06
Abstract: 本发明提供电解质溶液及用其形成氧化物膜的方法、层叠体及其制造方法和金属氧化物膜。在主要成分为金属的待处理材料的表面上，通过阳极氧化形成不具有细孔和粗糙表面的光洁的高品质氧化物膜。所述电解质溶液用于通过阳极氧化在主要成分为金属的待处理材料表面上形成氧化物膜，所述电解质溶液含有作为主要溶剂的非水性溶剂，所述非水性溶剂含有醇羟基并具有大于或等于4个碳原子。所述非水性溶剂优选含有两个以上醇羟基，并特别优选是选自由二乙二醇、三乙二醇和聚乙二醇组成的组中的一种或两种以上溶剂。所述方法包括在所述电解质溶液中阳极氧化主要成分为金属的待处理材料的步骤。
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公开(公告)号：CN1294631C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN02160227.1
申请日：2002-11-28
IPC: H01L21/3213 , C23F1/10
CPC classification number: C23F1/14 , C11D1/523 , C11D7/10 , C11D7/261 , C11D11/0047 , H01L21/32134
Abstract: 一种蚀刻液，含作为溶质的碘、碘化物和醇，和诸如水这样的溶剂。该蚀刻液均匀蚀刻在半导体器件或液晶装置用基片的表面上形成的金或金合金层。在该层上形成多个金或金合金柱。用该蚀刻液几乎不蚀刻这些柱。该蚀刻液均匀蚀刻柱之间存在的金或金合金层。该蚀刻液可以进一步含表面活性剂。
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公开(公告)号：CN1836061A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200480023396.6
申请日：2004-08-06
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C23F1/26
Abstract: 本发明提供含钛层用蚀刻液和含钛层蚀刻方法，所述蚀刻液是蚀刻形成在硅基板上或硅酸类玻璃基板上的以选自钛、钛氧化物、钛氮化物以及钛氧氮化物中的1种或2种或2种以上为主要成分的含钛层的蚀刻液，是含有氟硅酸的含钛层用蚀刻液，能够以快的蚀刻速度且不会侵蚀基板地选择性地进行蚀刻。所述蚀刻方法是使用该蚀刻液蚀刻硅基板或硅酸类玻璃基板上的含钛层的蚀刻方法。氟硅酸是氢氟酸和硅或氧化硅反应生成的物质，对于硅或硅酸类玻璃是非活性的，而对于钛、钛氧化物、钛氮化物或钛氧氮化物具有充分的蚀刻性能，对于硅基板上或硅酸类玻璃基板上含钛层的蚀刻具有充分的选择性。
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公开(公告)号：CN1453829A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03124018.6
申请日：2003-04-24
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/465 , C23F1/20
CPC classification number: H01L21/32134 , C23F1/20
Abstract: 一种用于通过湿蚀刻对金属薄膜形成图案的蚀刻剂，尤其用于生产诸如半导体元件和液晶显示器元件的半导体器件的一种蚀刻剂，是要应用于一种多层膜上，这种多层膜具有由铝或铝合金构成的第一层和其上形成的由各含至少一种选自氮，氧、硅和碳元素的铝或铝合金构成的第二层，和含有磷酸量35～65重量％及硝酸量0.5～15重量％；和利用该蚀刻剂进行蚀刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1421906A
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN02160227.1
申请日：2002-11-28
IPC: H01L21/3213 , C23F1/10
CPC classification number: C23F1/14 , C11D1/523 , C11D7/10 , C11D7/261 , C11D11/0047 , H01L21/32134
Abstract: 一种蚀刻液，含作为溶质的碘、碘化物和醇，和诸如水这样的溶剂。该蚀刻液均匀蚀刻在半导体器件或液晶装置用基片的表面上形成的金或金合金层。在该层上形成多个金或金合金柱。用该蚀刻液几乎不蚀刻这些柱。该蚀刻液均匀蚀刻柱之间存在的金或金合金层。该蚀刻液可以进一步含表面活性剂。
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公开(公告)号：CN101198726B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200680021492.6
申请日：2006-05-09
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 三菱化学株式会社
IPC: C25D11/04 , C25D11/06 , C25D11/18 , H01L21/3065
CPC classification number: C25D11/06 , C25D11/18 , Y10T428/265
Abstract: 提供一种适用于保护以铝为主成分的金属的金属氧化物膜。是由以铝为主成分的金属的氧化物构成的膜，膜厚为10nm以上，从所述膜放出的水分量为1E18分子/cm2以下。还提供一种金属氧化物膜的制造方法，在pH4～10的化成液中，对以铝为主成分的金属进行阳极氧化而获得金属氧化物膜。
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公开(公告)号：CN101681824A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880015508.1
申请日：2008-05-16
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/0206 , C11D3/2075 , C11D11/0047 , H01L21/02074
Abstract: 本发明提供一种半导体器件用基板清洗液，其对基板表面附着的颗粒或有机物的污染、金属污染以及有机物和金属导致的复合污染的去除性和防止再附着性优异，不会腐蚀基板表面，能够高度洁净化。特别是提供低介电常数(Low-k)材料的清洗性优异的清洗液，低介电常数(Low-k)材料因疏水性而容易排斥试剂，并且颗粒去除性差。所述半导体器件用基板清洗液的特征在于，其含有(A)有机酸和(B)HLB值为5以上且小于13的非离子型表面活性剂。
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公开(公告)号：CN1320608C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN03124018.6
申请日：2003-04-24
Applicant: 三菱化学株式会社 , 先进显示股份有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/465 , C23F1/20
CPC classification number: H01L21/32134 , C23F1/20
Abstract: 一种用于通过湿蚀刻对金属薄膜形成图案的蚀刻剂，尤其用于生产诸如半导体元件和液晶显示器元件的半导体器件的一种蚀刻剂，是要应用于一种多层膜上，这种多层膜具有由铝铝合金构成的第一层和其上形成的由各含至少一种选自氮，氧、硅和碳元素的铝或铝合金构成的第二层，和含有磷酸量35～65重量%及硝酸量0.5～15重量%；和利用该蚀刻剂进行蚀刻。
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