公开(公告)号：CN1798874A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200480014911.4

申请日：2004-11-09

Applicant: 先进显示股份有限公司 ,  三菱化学株式会社

Inventor： 齐藤范之 ,  吉田卓司 ,  井上和式 ,  石川诚 ,  上原口好夫

IPC: C23F1/16 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  H01L21/306

CPC classification number: C23F1/20 ,  C23F1/16 ,  C23F1/26 ,  H01L21/32134

Abstract: 仅通过一次蚀刻操作，同时蚀刻构成多层膜的两层而形成精度令人满意的微细配线形状，同时防止上方层形成悬伸物；所述多层膜包括由铝合金制成的第一层和形成在该第一层上的由钼－铌合金制成的第二层。对于包括形成在基板上的铝合金层和形成在所述铝合金层上的铌含量为2重量％～19重量％的钼－铌合金层的多层膜，用于蚀刻该多层膜的蚀刻剂包含磷酸、硝酸和有机酸的酸混合物的水溶液；以及使用该蚀刻剂实施所述蚀刻方法。优选所述蚀刻剂的磷酸浓度Np为50重量％～75重量％，硝酸浓度Nn为2重量％～15重量％，由Np+(98/63)Nn定义的酸成分的浓度为55重量％～85重量％。

公开(公告)号：CN1320608C

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN03124018.6

申请日：2003-04-24

Applicant: 三菱化学株式会社 ,  先进显示股份有限公司

Inventor： 齐藤范之 ,  吉田卓司 ,  井上和武 ,  石川诚 ,  上原口好夫

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/465 ,  C23F1/20

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C23F1/20

Abstract: 一种用于通过湿蚀刻对金属薄膜形成图案的蚀刻剂，尤其用于生产诸如半导体元件和液晶显示器元件的半导体器件的一种蚀刻剂，是要应用于一种多层膜上，这种多层膜具有由铝铝合金构成的第一层和其上形成的由各含至少一种选自氮，氧、硅和碳元素的铝或铝合金构成的第二层，和含有磷酸量35～65重量%及硝酸量0.5～15重量%；和利用该蚀刻剂进行蚀刻。

公开(公告)号：CN1453829A

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN03124018.6

申请日：2003-04-24

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 齐藤范之 ,  吉田卓司 ,  井上和武 ,  石川诚 ,  上原口好夫

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/465 ,  C23F1/20

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C23F1/20

Abstract: 一种用于通过湿蚀刻对金属薄膜形成图案的蚀刻剂，尤其用于生产诸如半导体元件和液晶显示器元件的半导体器件的一种蚀刻剂，是要应用于一种多层膜上，这种多层膜具有由铝或铝合金构成的第一层和其上形成的由各含至少一种选自氮，氧、硅和碳元素的铝或铝合金构成的第二层，和含有磷酸量35～65重量％及硝酸量0.5～15重量％；和利用该蚀刻剂进行蚀刻。