成膜装置
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102473608A

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201080025630.4

    申请日:2010-07-28

    CPC classification number: C23C16/4587

    Abstract: 该成膜装置(10)包括:成膜室(11),在重力方向上具有上部(22),以基板(W)的被成膜面与重力方向平行的方式配置所述基板(W);电极单元(31),可装卸地设置于所述成膜室(11),并具有被施加电压的平板状的阴极(75)以及与所述阴极(75)分开并对置配置的阳极(67);装卸用轨道(41),设置在所述成膜室(11)的所述上部,并沿着从所述成膜室(11)引出所述电极单元(31)的方向设置,用于引导所述电极单元(31)。

    等离子体处理装置
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109477221B

    公开(公告)日:2020-12-29

    申请号:CN201780036633.X

    申请日:2017-06-16

    Abstract: 提供一种能够实现缩短返回电流路径和确保对称性的等离子体处理装置。本发明的一实施方式涉及的等离子体处理装置具备腔室主体、载物台、高频电极、多个接地部件、可动单元。上述腔室主体具有侧壁,所述侧壁的一部分包括能够使基板通过的开口部。上述多个接地部件配置在上述载物台的周围,电连接上述侧壁与上述载物台之间。上述可动单元具有支撑体,所述支撑体支撑作为上述多个接地部件的一部分的第一接地部件。上述可动单元构成为,能够使上述支撑体在上述第一接地部件间隔上述开口部而与上述开口部的内周面对置的第一位置和上述第一接地部件电连接于上述内周面的第二位置之间移动。

    处理装置
    16.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101786797B

    公开(公告)日:2014-04-02

    申请号:CN200910129866.1

    申请日:2009-03-30

    Abstract: 本发明提供运输方便且使用更紧凑的真空腔的处理装置。该处理装置具有真空腔,该真空腔具备:腔本体(21),该腔本体(21)由具有形成可将基板插入的贯通孔(24)的块状多个腔部件(25)构成,在邻接的腔部件的至少一个上,沿与另一个抵接的面的贯通孔的开口部的整个周围连续设置槽(27),各腔部件在夹着安装在槽中的密封部件(26)、分别紧靠的状态下被固定,腔本体(21)具有由多个贯通孔构成的处理空间(A);密封处理空间的一个开口的壁面部件(22);能开闭地塞住处理空间的另一开口的盖部件(23),在各处理空间中具有用辐射热加热基板的加热装置(40)和分别设置在该加热装置的上下、与加热装置相对向地支持各基板(S)的一对基板支持部件(30)。

    处理装置
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101786797A

    公开(公告)日:2010-07-28

    申请号:CN200910129866.1

    申请日:2009-03-30

    Abstract: 提供运输方便且使用更紧凑的真空腔的处理装置。该处理装置具有真空腔,该真空腔具备:腔本体(21),该腔本体(21)由具有形成可将基板插入的贯通孔(24)的块状多个腔部件(25)构成,在邻接的腔部件的至少一个上,沿与另一个抵接的面的贯通孔的开口部的整个周围连续设置槽(27),各腔部件在夹着安装在槽中的密封部件(26)、分别紧靠的状态下被固定,腔本体(21)具有由多个贯通孔构成的处理空间(A);密封处理空间的一个开口的壁面部件(22);能开闭地塞住处理空间的另一开口的盖部件(23),在各处理空间中具有用辐射热加热基板的加热装置(40)和分别设置在该加热装置的上下、与加热装置相对向地支持各基板(S)的一对基板支持部件(30)。

Patent Agency Ranking