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公开(公告)号：CN109477221A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780036633.X
申请日：2017-06-16
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/505 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H05H1/46
Abstract: 课题：提供一种能够实现缩短返回电流路径和确保对称性的等离子体处理装置。解决手段：本发明的一实施方式涉及的等离子体处理装置具备腔室主体、载物台、高频电极、多个接地部件、可动单元。上述腔室主体具有侧壁，所述侧壁的一部分包括能够使基板通过的开口部。上述多个接地部件配置在上述载物台的周围，电连接上述侧壁与上述载物台之间。上述可动单元具有支撑体，所述支撑体支撑作为上述多个接地部件的一部分的第一接地部件。上述可动单元构成为，能够使上述支撑体在上述第一接地部件间隔上述开口部而与上述开口部的内周面对置的第一位置和上述第一接地部件电连接于上述内周面的第二位置之间移动。
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公开(公告)号：CN109477221B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201780036633.X
申请日：2017-06-16
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/505 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H05H1/46
Abstract: 提供一种能够实现缩短返回电流路径和确保对称性的等离子体处理装置。本发明的一实施方式涉及的等离子体处理装置具备腔室主体、载物台、高频电极、多个接地部件、可动单元。上述腔室主体具有侧壁，所述侧壁的一部分包括能够使基板通过的开口部。上述多个接地部件配置在上述载物台的周围，电连接上述侧壁与上述载物台之间。上述可动单元具有支撑体，所述支撑体支撑作为上述多个接地部件的一部分的第一接地部件。上述可动单元构成为，能够使上述支撑体在上述第一接地部件间隔上述开口部而与上述开口部的内周面对置的第一位置和上述第一接地部件电连接于上述内周面的第二位置之间移动。
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公开(公告)号：CN102301487A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080005941.4
申请日：2010-01-29
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04
CPC classification number: C23C16/54 , C23C16/24 , H01L31/076 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 该光电转换装置的制造方法为在基板(1)上形成的透明导电膜(2)上依次层压第一光电转换单元(3)和第二光电转换单元(4)的光电转换装置(10)的制造方法，在多个第一等离子体CVD反应室(62、63、64、65)中，分别形成第一p型半导体层(31)、第一i型半导体层(32)、第一n型半导体层(33)和第二p型半导体层(41)，将所述第二p型半导体层(41)暴露在大气气氛中，在形成第二i型半导体层(42)之前，向第二等离子体CVD反应室(72)内供给含p型杂质的气体，在所述第二等离子体CVD反应室(72)中，在大气中暴露过的所述第二p型半导体层(41)上形成所述第二i型半导体层(42)，在所述第二i型半导体层(42)上形成所述第二n型半导体层(43)。
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公开(公告)号：CN113039308A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201980075217.X
申请日：2019-12-20
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明涉及一种成膜装置，具有：具有成膜室的腔室、支承基板的工作台、光源单元、气体供给部以及加热部。上述光源单元具有照射能量射线的照射源，并且与所述成膜室相向地配置。上述气体供给部具有喷淋板和气体扩散室。上述喷淋板使上述能量射线进行透射，包括与上述光源单元相向的第一面、与上述工作台相向的第二面以及贯通上述第一面和上述第二面的多个贯通孔。上述气体扩散室面向上述第一面并使含有受到上述能量射线的照射而固化的能量射线固化树脂的原料气体扩散。上述气体供给部将上述原料气体从上述气体扩散室供给至上述成膜室。上述加热部加热上述喷淋板的上述第一面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112334595A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201980043138.0
申请日：2019-08-29
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种以良好的膜厚分布在基板上形成树脂层的成膜装置。在成膜装置中，冷却台具有支承基板的支承面和与支承面相连的侧面部，构成为被支承面支承的上述基板的外周端从侧面部突出。防附着框部为环状，配置成包围冷却台的侧面部，在与基板的上述外周端相向的位置设有凹部，侧面部被凹部包围。气体供给部向支承面供给含有能量束固化树脂的原料气体。照射源与支承面相向，并向上述支承面照射使能量束固化树脂固化的能量束。真空槽容纳有冷却台、防附着框部、气体供给部以及照射源。
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公开(公告)号：CN102132418A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980133228.5
申请日：2009-08-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/077 , C23C16/24 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L31/076 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 该光电转换装置的制造方法中，在减压气氛内连续形成构成第一光电转换单元(3)的第一p型半导体层(31)、第一i型半导体层(32)和第一n型半导体层(33)以及由结晶质的硅系薄膜形成的、构成第二光电转换单元(4)的第二p型半导体层(41)，将所述第二p型半导体层(41)暴露在大气气氛中，将构成所述第二光电转换单元(4)的第二i型半导体层(42)和第二n型半导体层(43)形成在暴露在大气气氛中的所述第二光电转换单元(4)的所述p型半导体层(41)上。
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公开(公告)号：CN112334595B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN201980043138.0
申请日：2019-08-29
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种以良好的膜厚分布在基板上形成树脂层的成膜装置。在成膜装置中，冷却台具有支承基板的支承面和与支承面相连的侧面部，构成为被支承面支承的上述基板的外周端从侧面部突出。防附着框部为环状，配置成包围冷却台的侧面部，在与基板的上述外周端相向的位置设有凹部，侧面部被凹部包围。气体供给部向支承面供给含有能量束固化树脂的原料气体。照射源与支承面相向，并向上述支承面照射使能量束固化树脂固化的能量束。真空槽容纳有冷却台、防附着框部、气体供给部以及照射源。
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公开(公告)号：CN112424389A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980043051.3
申请日：2019-09-10
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明的一个方式涉及的成膜装置具有腔室、工作台、光源单元、气体供给部以及清洗单元。所述腔室具有：腔室主体，其具有成膜室；顶板，其安装在所述腔室主体，具有窗部。所述工作台配置在所述成膜室，具有支承基板的支承面。所述光源单元设置在所述顶板，具有经由所述窗部向所述支承面照射能量束的照射源。所述气体供给部将原料气体供给至所述成膜室，所述原料气体包含受所述能量束的照射而固化的能量束固化树脂。所述清洗单元连接至所述腔室，向所述成膜室导入清洗气体，所述清洗气体去除附着在所述顶板、腔室的所述能量束固化树脂。
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公开(公告)号：CN102132416A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980132750.1
申请日：2009-08-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/077 , C23C16/24 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L31/076 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 该光电转换装置的制造方法中，在各不相同的减压室内连续形成构成第一光电转换单元(3)的第一p型半导体层(31)、第一i型半导体层(32)和第一n型半导体层(33)以及构成第二光电转换单元(4)的第二p型半导体层(41)，将所述第二p型半导体层(41)暴露在大气气氛中，在相同的减压室内将构成所述第二光电转换单元的第二i型半导体层(42)和第二n型半导体层(43)形成在暴露在所述大气气氛中的所述第二光电转换单元(4)的所述p型半导体层(41)上。
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