公开(公告)号：CN116462637A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202211605758.9

申请日：2022-12-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔世荣 ,  金龙国 ,  沈秀姸 ,  黄慈英 ,  金廷熙 ,  赵娟振

IPC: C07D249/18 ,  C07D249/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/48

Abstract: 公开了一种式1的重氮类化合物或其盐、包含所述化合物的化学机械抛光浆料组合物和使用所述化学机械抛光浆料组合物的抛光方法。

公开(公告)号：CN115305010B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202210262803.9

申请日：2022-03-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 沈秀姸 ,  李知虎 ,  李贤玗 ,  李锺元

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明提供一种用于抛光钨图案晶片的化学机械抛光浆料组合物和使用其抛光钨图案晶片的方法。化学机械抛光组合物包含：溶剂；研磨剂；以及含有末端氨基的树枝状聚(酰氨基胺)。本发明可改进钨图案晶片的平整度，同时降低腐蚀速率。

公开(公告)号：CN115710463A

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202211011094.3

申请日：2022-08-23

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李知虎 ,  李泳基 ,  沈秀姸 ,  李贤玗 ,  李锺元

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明公开一种用于图案化钨晶片的CMP浆料组成物和使用其的钨抛光方法。CMP浆料组成物包含：溶剂；磨料；以及非树枝状聚(酰胺基胺)。

公开(公告)号：CN115141549A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210299492.3

申请日：2022-03-25

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 南沇希 ,  金龙国 ,  沈秀姸 ,  张根三 ,  黄慈英 ,  金廷熙 ,  李贤玗 ,  姜东宪 ,  李锺元

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明提供一种用于抛光钨图案晶片的化学机械抛光浆料组合物和使用其抛光钨图案晶片的方法。化学机械抛光组合物包含：溶剂；以及满足关系式1和关系式2的二氧化硅。关系式1和关系式2与说明书所定义的相同。本发明确保抛光速率和平整度的改进。

公开(公告)号：CN108164711B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201710636140.1

申请日：2017-07-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 沈秀姸 ,  裵鎭希 ,  郭泽秀 ,  金龙国 ,  金眞敎 ,  卢健培 ,  尹熙灿 ,  李知虎 ,  黄丙奎

IPC: C08G77/62 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种用于形成硅氧层的组成物、一种制造硅氧层的方法及一种电子装置，所述用于形成硅氧层的组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中含硅聚合物的重量平均分子量在2,000到100,000范围内，并且由方程式1计算的含硅聚合物的分支比(a)在0.25到0.50范围内。η＝k×Ma[方程式1]在方程式1中，η是含硅聚合物的固有粘度，M是含硅聚合物的绝对分子量，a是分支比，以及k是固有常数。因此，使用用于形成硅氧层的组成物制造的硅氧层具有密集型结构，并且因此减少损耗和层应力以及改良抗蚀刻性和平面化特征。