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公开(公告)号：CN107922620A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680049195.6
申请日：2016-08-01
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C08G77/04 , C08G59/30 , C08L83/04 , C08L63/00 , C09D183/04 , C09D163/00 , H01L51/50
CPC classification number: C08G59/306 , C08G59/30 , C08G59/4078 , C08G77/04 , C08L63/00 , C08L83/04 , C09D163/00 , C09D183/04 , H01L51/0034 , H01L51/50 , H01L51/5253
Abstract: 本发明提供一种低温固化组合物、一种通过对所述组合物进行固化而获得的固化膜、以及一种包括所述固化膜的电子装置，所述组合物包含：(A)由以下化学式1表示的含环氧基的硅氧烷化合物：[化学式1](R1R2R3SiO1/2)M(R4R5SiO2/2)D1(R65iO3/2)T1(R7R8SiO2/2)D2(R9SiO3/2)T2(在化学式1中，R1到R9中的每一者为独立地选自经取代或未经取代的C1到C6单价脂肪族烃基、经取代或未经取代的C6到C20单价环状脂肪族烃基、经取代或未经取代的C6到C20单价芳香族烃基、及经环氧基取代的单价有机基的有机基，R1到R6中的至少一者为经环氧基取代的单价有机基，0≤M＜1，0≤D1＜1，0＜T1≤1，0≤D2＜1，0≤T2＜1，且M+D1+T1+D2+T2＝1，其中由M、D1、T1、D2及T2表示的结构单元中的每一者可包括一种或多种类型的不同的结构单元)；以及(B)用于环氧化物的开环反应的阳离子热引发剂，引发剂为锍系阳离子与硼酸根系阴离子的盐，其中由化学式1表示的化合物为数量平均分子量介于100到1,000范围内的硅氧烷化合物与数量平均分子量介于1,000到10,000范围内的硅氧烷化合物的组合。
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公开(公告)号：CN114302930B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202080060553.X
申请日：2020-10-28
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/321
Abstract: 一种研磨钨图案晶圆的化学机械研磨(CMP)浆料组成物以及一种使用其研磨钨图案晶圆的方法。所述化学机械研磨浆料组成物包含：选自极性溶剂及非极性溶剂中的至少一者；磨蚀剂；由式1表示的化合物；及多羧酸，其中在化学机械研磨浆料组成物中，由式1表示的化合物以约0.001重量％至约2重量％的量存在，且多羧酸以约0.001重量％至约5重量％的量存在。
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公开(公告)号：CN107922620B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201680049195.6
申请日：2016-08-01
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C08G77/04 , C08G59/30 , C08L83/04 , C08L63/00 , C09D183/04 , C09D163/00 , H01L51/50
Abstract: 本发明提供一种低温固化组合物、一种通过对所述组合物进行固化而获得的固化膜、以及一种包括所述固化膜的电子装置，所述组合物包含：(A)由以下化学式1表示的含环氧基的硅氧烷化合物：[化学式1](R1R2R3SiO1/2)M(R4R5SiO2/2)D1(R6SiO3/2)T1(R7R8SiO2/2)D2(R9SiO3/2)T2在化学式1中，R1到R9、M、D1、T1、D2及T2与在本发明的以下详细说明中所定义的相同；以及(B)用于环氧化物的开环反应的阳离子热引发剂，引发剂为锍系阳离子与硼酸根系阴离子的盐，其中由化学式1表示的化合物为数量平均分子量介于100到1,000范围内的硅氧烷化合物与数量平均分子量介于1,000到10,000范围内的硅氧烷化合物的组合。
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公开(公告)号：CN108164711A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201710636140.1
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C08G77/62 , C09D183/16 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种用于形成硅氧层的组成物、一种制造硅氧层的方法及一种电子装置，所述用于形成硅氧层的组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中含硅聚合物的重量平均分子量在2,000到100,000范围内，并且由方程式1计算的含硅聚合物的分支比(a)在0.25到0.50范围内。η＝k×Ma [方程式1]在方程式1中，η是含硅聚合物的固有粘度，M是含硅聚合物的绝对分子量，a是分支比，以及k是固有常数。因此，使用用于形成硅氧层的组成物制造的硅氧层具有密集型结构，并且因此减少损耗和层应力以及改良抗蚀刻性和平面化特征。
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公开(公告)号：CN107778876A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710259297.7
申请日：2017-04-19
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C08L83/16 , C08L83/14 , C09D183/16 , C09D183/14 , H01L29/51
Abstract: 一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层和电子装置。用于形成二氧化硅层的组成物包含在1H-NMR光谱中满足等式1和2的含硅聚合物以及溶剂。等式1和2的定义与具体实施方式中相同。根据一个实施例的用于形成二氧化硅层的含硅聚合物具有极佳耐蚀刻性、间隙填充特征以及平面化特征。通过提供包含其的组成物，所获得的二氧化硅层可实现极佳耐蚀刻性和平面化特征。B/A＝0.2到0.4 [等式1](A+B)/C＝4.8到12.0 [等式2]。
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公开(公告)号：CN105273196A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510016411.4
申请日：2015-01-13
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种可固化有机聚硅氧烷组合物、封装物以及电子装置。所述可固化有机聚硅氧烷组合物包含(A)由化学式1表示的酰胺化合物、(B)至少一种包含硅键结烯基(Si-Vi)并且具有三维网状结构的第一硅氧烷化合物以及(C)至少一种具有硅键结氢(Si-H)的第二硅氧烷化合物：[化学式1]通过显著改良抗裂痕性以及保持高抗热与抗光性来确保发光装置的稳定性。
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公开(公告)号：CN115710463A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211011094.3
申请日：2022-08-23
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/3213 , H01L21/321
Abstract: 本发明公开一种用于图案化钨晶片的CMP浆料组成物和使用其的钨抛光方法。CMP浆料组成物包含：溶剂；磨料；以及非树枝状聚(酰胺基胺)。
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