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公开(公告)号：CN102034829A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010299123.1
申请日：2010-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11578 , H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 本发明提供一种垂直型非易失性存储器件及其制造方法。在该垂直型非易失性存储器件中，绝缘层图案设置在衬底上，该绝缘层图案具有线形状。单晶半导体图案设置在衬底上以接触绝缘层图案的两个侧壁，单晶半导体图案具有在关于衬底的垂直方向上延伸的柱形。隧穿氧化物层设置在单晶半导体图案上。下电极层图案设置在隧穿氧化物层上以及在衬底上。多个绝缘中间层图案设置在下电极层图案上，绝缘中间层图案沿单晶半导体图案彼此间隔开一距离。电荷俘获层和阻挡电介质层依次形成在绝缘中间层图案之间的隧穿氧化物层上。多个控制栅极图案设置在绝缘中间层图案之间的阻挡电介质层上。上电极层图案设置在隧穿氧化物层上以及在绝缘中间层图案的最上部上。
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公开(公告)号：CN1772842A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200510120297.6
申请日：2005-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K13/00 , H01L21/311
CPC classification number: C09K13/08 , H01L21/31111
Abstract: 本发明公开一种用于蚀刻基底上的低－k电介质层的蚀刻溶液，该溶液包含有效比例的用于氧化低－k电介质层的氧化剂及有效比例的用于除去氧化物的氧化物蚀刻剂。利用该蚀刻溶液，通过单步骤处理工艺，可容易地除去低－k电介质层。
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公开(公告)号：CN110911278B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN201910879827.7
申请日：2019-09-18
IPC: H01L21/306 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/20 , C23F1/28
Abstract: 公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。
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公开(公告)号：CN111300258A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201910948775.4
申请日：2019-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种化学机械抛光(CMP)装置包括：抛光台板上的抛光垫；抛光垫上的抛光头，该抛光头具有用于将晶片保持在抛光垫上的隔膜、以及用于馈送抛光浆料的抛光浆料馈送线；以及保持环，围绕隔膜并与抛光垫接触以防止晶片脱离，该保持环包括连接到抛光浆料馈送线的抛光浆料馈送入口，以将抛光浆料馈送到抛光垫上。
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公开(公告)号：CN110872473A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910813838.5
申请日：2019-08-30
Applicant: 三星电子株式会社 , 凯斯科技股份有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 本申请提供一种用于化学机械抛光工艺的浆料组合物，包括：约0.1％的重量到约10％的重量的抛光颗粒；约0.001％的重量到约1％的重量的胺化合物；约0.001％的重量到约1％的重量的第一阳离子化合物，其中，所述第一阳离子化合物是氨基酸；约0.001％的重量到约1％的重量的第二阳离子化合物，其中，所述第二阳离子化合物是有机酸；以及约1％的重量到约5％的重量的非离子多元醇，其中，所述非离子多元醇包括至少两个羟基。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102117698A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201010605685.4
申请日：2010-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01G4/00 , H01G4/002 , H01G4/005 , H01G4/06 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L28/87
Abstract: 本发明公开形成电容器及动态随机存取存储器器件的方法。在电容器的形成方法中，包括第一绝缘材料的第一模层图案可以形成在衬底上。第一模层图案可以具有沟槽。包括第二绝缘材料的支撑层可以形成在沟槽中。第二绝缘材料可以相对于第一绝缘材料具有蚀刻选择性。第二模层可以形成在第一模层图案和支撑层图案上。下电极可以形成为穿过第二模层和第一模层图案。下电极可以接触支撑层图案的侧壁。可以去除第一模层图案和第二模层。电介质层和上电极可以形成在下电极和支撑层图案上。
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公开(公告)号：CN101728329A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910206176.1
申请日：2009-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/43
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L21/82345 , H01L21/823462 , H01L21/823857
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。该方法可以包括在衬底上形成金属氧化物层和在该金属氧化物层上形成牺牲氧化物层。在衬底上执行退火工艺。在退火工艺的工艺温度下，牺牲氧化物层的生成自由能大于金属氧化物层的生成自由能。
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公开(公告)号：CN117448824A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311566341.0
申请日：2019-09-18
Abstract: 公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。
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公开(公告)号：CN116891748A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310350734.1
申请日：2023-04-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K13/00 , C09K13/06 , C23F1/20 , C23F1/26 , C23F1/30 , C23F1/36 , C23F1/38 , C23F1/40 , C23F1/02 , H01L21/3213
Abstract: 提供蚀刻组合物、通过使用其蚀刻含有金属的膜的方法、和通过使用其制造半导体器件的方法，所述蚀刻组合物包括氧化剂、铵盐、含水溶剂、和加速剂。所述铵盐包括铵阳离子和有机阴离子，和所述加速剂包括由式1‑1表示的化合物、由式1‑2表示的化合物、由式1‑3表示的化合物、由式1‑4表示的化合物、由式1‑5表示的化合物、由式1‑6表示的化合物、由式1‑7表示的化合物、由式1‑8表示的化合物、或其任意组合，其中，在式1‑1至1‑8中，CY1、X1至X6、T1、T1a、R2、Z1和a1各自如说明书中所定义的。#imgabs0#
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