公开(公告)号：CN101009482A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610121686.5

申请日：2006-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪硕佑 ,  宋寅相 ,  河炳柱 ,  朴海锡 ,  黄俊式 ,  李周浩

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/46 ,  H03H9/66 ,  H03H3/00

CPC classification number: H03H9/0547 ,  H01L2924/0002 ,  H03H9/587 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种能够通过在单个芯片内封装多个元件而在晶片上制造的射频(RF)模块、包括所述RF模块的多RF模块和制造所述RF模块的方法。所述RF模块包括：基础衬底；第一元件，其形成于所述基础衬底上，其处理RF信号；第二元件，其设置在所述第一元件之上并与之隔开，其处理RF信号；盖顶衬底，其与所述基础衬底耦合，以封装所述第一和第二元件，并且其包括多个将所述第一和第二元件与外部电连接的导通电极；以及密封垫，其封装并接合所述基础衬底和所述盖顶衬底，并且其将所述第一和第二元件电连接至所述导通电极。

公开(公告)号：CN118173570A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410184077.2

申请日：2019-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孔基毫 ,  崔濬熙 ,  郑得锡 ,  黄俊式

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/50

Abstract: 提供一种显示装置。该显示装置包括：在衬底的第一区域上的发射层；驱动层，包括用于使从发射层发射光的多个驱动元件；在衬底的第二区域上的曝光线，曝光线电连接到驱动层；和在发射层上的颜色转换层，其中向曝光线施加信号，以从发射层的与曝光线相对应的区域发射光到颜色转换层的与曝光线相对应的区域。

公开(公告)号：CN116344711A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211627492.8

申请日：2022-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  金铉埈 ,  朴俊勇 ,  洪硕佑 ,  黄俊式

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/48 ,  H01L33/60 ,  H01L25/16

Abstract: 提供了颜色转换结构、显示装置以及制造它们的方法。颜色转换结构包括：堤结构，包括凹槽；颜色转换层，容纳在凹槽中；以及覆盖层，提供在颜色转换层上。

公开(公告)号：CN115036339A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210197693.2

申请日：2022-03-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪硕佑 ,  黄京旭 ,  金铉埈 ,  黄俊式

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/46 ,  H01L33/54

Abstract: 提供一种显示装置，该显示装置包括驱动基板、设置在驱动基板的上表面上并包括多个凹陷的阻隔层、设置在所述多个凹陷中的每个中的微型半导体发光器件、以及设置在阻隔层中并邻近所述多个凹陷中的每个的侧壁提供的侧反射结构。

公开(公告)号：CN114864776A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210066267.5

申请日：2022-01-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪硕佑 ,  金铉埈 ,  朴俊勇 ,  黄京旭 ,  黄俊式

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/42 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L27/15 ,  H01L27/12

Abstract: 提供了一种发光器件和包括其的显示装置，该发光器件包括：主体，包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极和第二电极，提供在主体的第一表面上，第一电极和第二电极分别与第一半导体层和第二半导体层接触；以及第三电极和第四电极，提供在主体的第二表面上，第三电极和第四电极分别与第一半导体层和第二半导体层接触。

公开(公告)号：CN114639668A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202111477272.7

申请日：2021-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  黄俊式 ,  朴俊勇 ,  洪硕佑

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/50

Abstract: 提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法。该显示装置包括转移基板和在转移基板上以子像素为单位彼此间隔开的微显示元件，其中每个微显示元件包括微发光单元和驱动单元，其中驱动单元包括驱动电极并驱动微发光单元。

公开(公告)号：CN112864288A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202010434777.4

申请日：2020-05-21

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 黄京旭 ,  姜承镇 ,  尹义埈 ,  黄俊式 ,  金钟明 ,  吴制鸿 ,  刘晶日 ,  李承盿

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/22 ,  H01L33/26 ,  H01L33/44 ,  H01L33/54

Abstract: 提供了发光二极管(LED)器件、制造该LED器件的方法和包括该LED器件的显示装置。该LED器件包括具有核‑壳结构的发光层、提供为覆盖第一半导体层的顶表面的一部分的钝化层、提供在发光层上的第一电极以及提供在发光层下方的第二电极。发光层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。第一电极被提供为接触第一半导体层，第二电极被提供为接触第二半导体层。

公开(公告)号：CN105577135A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510977914.8

申请日：2006-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪硕佑 ,  宋寅相 ,  河炳柱 ,  朴海锡 ,  黄俊式 ,  李周浩

IPC: H03H9/05 ,  H03H9/58

Abstract: 提供了一种能够通过在单个芯片内封装多个元件而在晶片上制造的射频(RF)模块、包括所述RF模块的多RF模块和制造所述RF模块的方法。所述RF模块包括：基础衬底；第一元件，其形成于所述基础衬底上，其处理RF信号；第二元件，其设置在所述第一元件之上并与之隔开，其处理RF信号；盖顶衬底，其与所述基础衬底耦合，以封装所述第一和第二元件，并且其包括多个将所述第一和第二元件与外部电连接的导通电极；以及密封垫，其封装并接合所述基础衬底和所述盖顶衬底，并且其将所述第一和第二元件电连接至所述导通电极。

公开(公告)号：CN102006540B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201010230193.1

申请日：2010-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄俊式 ,  金东均 ,  郑锡焕 ,  郑秉吉

IPC: H04R17/00 ,  H04R31/00

CPC classification number: H04R17/00 ,  H04R31/003 ,  H04R2201/003 ,  H04R2440/07

Abstract: 本发明提供一种具有活塞膈膜的压电微扬声器及其制造方法。该压电微扬声器包括：基板，具有形成在其中的腔室；振动膜，设置在基板上并至少覆盖腔室的中心部分；压电致动器，设置在振动膜上，从而使振动膜振动；以及活塞隔膜，设置在腔室中并通过振动膜的振动进行活塞运动。当振动膜由于压电致动器而振动时，通过活塞杆连接到振动膜的活塞隔膜在腔室中进行活塞运动。

公开(公告)号：CN119317142A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202410889478.8

申请日：2024-07-04

Applicant: 三星电子株式会社 ,  崇实大学校产学协力团

Inventor： 吴映泽 ,  柳建旭 ,  黄京旭 ,  朴昌根 ,  宋相勋 ,  廉旼宰 ,  李圭炯 ,  黄俊式

IPC: H10D30/47 ,  H10D62/10 ,  H10D64/23 ,  H10D64/27 ,  H10D62/824 ,  H10D84/40

Abstract: 本公开提供一种半导体器件以及包括该半导体器件的电子装置。一种半导体器件包括：沟道层，包括第一III‑V族半导体材料；势垒层，提供在沟道层的上表面上，势垒层包括与第一III‑V族半导体材料不同的第二III‑V族半导体材料；多个源极/漏极，在势垒层的上表面上彼此间隔开；栅极绝缘层，覆盖势垒层的上表面和所述多个源极/漏极的上表面；栅极，提供在栅极绝缘层的上表面上，栅极不与所述多个源极/漏极重叠；多个源/漏电极，电连接到所述多个源极/漏极当中的对应源极/漏极；以及栅电极，电连接到栅极，其中所述多个源/漏电极具有对角对称的布置。