公开(公告)号：CN106952892B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201610934242.7

申请日：2016-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金洛焕 ,  金秉熙 ,  金镇南 ,  白宗玟 ,  李来寅 ,  郑恩志

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及一种制造该半导体器件的方法。所述半导体器件包括层间绝缘膜、具有第一宽度的第一沟槽和具有第二宽度的第二沟槽，第二沟槽包括上部和下部，第二宽度大于第一宽度，第一导线基本上填充第一沟槽并包括第一金属，并且第二导线基本上填充第二沟槽并包括下导线和上导线，下导线基本上填充第二沟槽的下部并包括第一金属，并且上导线基本上填充第二沟槽的上部并包括与第一金属不同的第二金属。

公开(公告)号：CN112447641A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010511762.3

申请日：2020-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄载元 ,  金镇南 ,  文光辰 ,  朴建相 ,  朴明珠

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L25/07

Abstract: 本公开的多个方面涉及一种半导体器件，所述半导体器件包括：晶体基底，具有在竖直方向上彼此背对的第一表面和第二表面；以及绝缘层，设置在晶体基底的第一表面上。半导体器件还可以包括：蚀刻停止层，插置在晶体基底与绝缘层之间并且接触晶体基底和绝缘层；以及导电通孔结构，穿透晶体基底和绝缘层。半导体器件还可以包括绝缘分隔层，所述绝缘分隔层与导电通孔结构水平相邻地设置，并具有内壁和外壁。绝缘分隔层可以包括设置在导电通孔结构与晶体基底之间的第一部分和设置在导电通孔结构与蚀刻停止层之间的第二部分。

公开(公告)号：CN111490023A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201910948277.X

申请日：2019-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镇南 ,  金泰成 ,  罗勋奏 ,  文光辰

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片具有第一结合层；以及第二半导体芯片，所述第二半导体芯片堆叠在所述第一半导体芯片上，并且具有第二结合层。所述第一结合层包括第一结合焊盘、多个第一内部通路以及连接所述第一结合焊盘和所述多个第一内部通路的第一互连。所述第二结合层包括结合到所述第一结合焊盘的第二结合焊盘。所述第一互连的上表面和所述第一结合焊盘的上表面与所述第一结合层的上表面共面。所述第一互连通过所述多个第一内部通路电连接到多条不同的第一内部线。