公开(公告)号：CN111009601A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201910628665.X

申请日：2019-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东建 ,  金柱成 ,  徐钟旭 ,  卓泳助

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/08 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

Abstract: 半导体发光装置包括第一半导体层，其在衬底上并具有第一导电类型；有源层，其在第一半导体层上；第二半导体层，其在有源层上并具有第二导电类型，第二半导体层掺杂有镁，并且具有基本平行于衬底的上表面的上表面以及相对于衬底的上表面倾斜的侧表面；以及第三半导体层，其在第二半导体层上并具有第二导电类型，第三半导体层掺杂有不同于第二半导体层的镁浓度的镁浓度，并且第三半导体层具有基本平行于衬底的上表面的上表面，以及相对于衬底的上表面倾斜的侧表面。

公开(公告)号：CN106370314B

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201610590980.4

申请日：2016-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱成 ,  金赏镐 ,  金光镐

IPC: G01K1/00 ,  G11C29/12 ,  H03K19/08 ,  H03L1/02

Abstract: 提供了半导体装置、温度传感器和存储装置。所述半导体装置包括失配检测和校正电路(MDCC)。MDCC被包括在温度传感器中并且包括与温度传感器基本相同的布局图案。MDCC检测由工艺失配导致的晶体管的阈值电压(VTH)失配和源‑漏电导(GDS)失配，并且校正由失配导致的温度传感器中的错误。

公开(公告)号：CN110034214A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201811509616.6

申请日：2018-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓泳助 ,  姜三默 ,  金美贤 ,  金柱成 ,  朴永焕 ,  徐钟旭

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/46

Abstract: 一种半导体发光装置，包括：发光堆叠件，其包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；穿过第二导电半导体层和有源层的多个孔；沿着发光堆叠件的边缘延伸的沟槽，所述沟槽延伸穿过第二导电半导体层和有源层；以及位于所述多个孔内和沟槽内的反射金属层。

公开(公告)号：CN106370314A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610590980.4

申请日：2016-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱成 ,  金赏镐 ,  金光镐

IPC: G01K1/00 ,  G11C29/12 ,  H03K19/08 ,  H03L1/02

Abstract: 提供了半导体装置、温度传感器和存储装置。所述半导体装置包括失配检测和校正电路(MDCC)。MDCC被包括在温度传感器中并且包括与温度传感器基本相同的布局图案。MDCC检测由工艺失配导致的晶体管的阈值电压(VTH)失配和源-漏电导(GDS)失配，并且校正由失配导致的温度传感器中的错误。

公开(公告)号：CN118299481A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202311854676.2

申请日：2023-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东澈 ,  金柱成 ,  朴永焕 ,  崔浚熙

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L27/15

Abstract: 本发明提供一种氮化物基半导体发光器件和包括其的显示装置，该氮化物基半导体发光器件包括：第一半导体层，其中第一半导体层是氮化物基的并且具有第一导电类型；提供在第一半导体层上的发光层，其中发光层可以包括包含铟(In)的氮化物基半导体；提供在发光层上的第二半导体层，其中第二半导体层是氮化物基的并且具有第二导电类型；以及应变弛豫层，提供在第一半导体层和发光层之间，并且包括具有突起的AlGaN层，该突起的水平截面面积随着突起在从第二半导体层到第一半导体层的垂直方向上延伸而减小。

公开(公告)号：CN117790653A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311222202.6

申请日：2023-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔浚熙 ,  孔基毫 ,  金柱成 ,  李银圣 ,  韩周宪

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/06 ,  H01L27/15 ,  H01L33/46 ,  H01L33/00

Abstract: 本公开提供了发光器件、显示装置以及制造该发光器件的方法。一种发光器件包括：发光棒，其中多孔第一型半导体层、有源层和第二型半导体层依次布置；以及波长转变簇，嵌入在多孔第一型半导体层中并配置为将有源层中产生的第一光转变成具有不同波长的第二光。

公开(公告)号：CN117637945A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311105538.4

申请日：2023-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴珍珠 ,  金柱成 ,  朴永焕 ,  申东澈

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/02 ,  H01L33/00 ,  H01L27/15

Abstract: 本公开提供了多波长发光器件以及制造该多波长发光器件的方法。一种配置为发射第一波长的光、第二波长的光和第三波长的光的多波长发光器件包括：基板；提供在基板上的第一类型半导体层；提供在第一类型半导体层上的有源层；提供在有源层上的第二类型半导体层；以及提供在第二类型半导体层上的电极。有源层包括配置为发射第一波长的光的第一有源区、配置为发射第二波长的光的第二有源区以及配置为发射第三波长的光的第三有源区。

公开(公告)号：CN110243485B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN201811283439.4

申请日：2018-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李柱盛 ,  金柱成 ,  金光镐 ,  金赏镐

IPC: G01K7/01

Abstract: 提供一种CMOS温度传感器。所述CMOS温度传感器，包括：带隙基准电路，使用与温度成反比的第一电压和与温度成正比的第二电压输出与温度无关的恒定的带隙基准电压，并使用第二电压产生与温度成正比的第一电流；基准电压产生器，复制第一电流并输出使用第一电压和复制的第一电流产生的基准电压；温度信息电压产生器，复制第一电流并输出与温度成正比的温度信息电压。

公开(公告)号：CN110010740A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811486130.5

申请日：2018-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永焕 ,  金美贤 ,  金柱成

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44

Abstract: 一种紫外发光装置，包括：第一导电类型AlGaN半导体层；有源层，其设置在所述第一导电类型AlGaN半导体层上并且具有AlGaN半导体；第二导电类型AlGaN半导体层，其设置在所述有源层上，并且具有被划分为第一区域和第二区域的上表面；第二导电类型氮化物图案，其设置在所述第二导电类型AlGaN半导体层的第一区域上，并且所述第二导电类型氮化物图案的能带隙小于所述第二导电类型AlGaN半导体层的能带隙；透明电极层，其覆盖所述第二导电类型氮化物图案和所述第二导电类型AlGaN半导体层的第二区域；透光介电层，其设置在所述第二导电类型氮化物图案之间的透明电极层上；以及金属电极，其设置在覆于所述第二导电类型氮化物图案上的透明电极层上以及所述透光介电层上。

公开(公告)号：CN104425665B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201410431583.3

申请日：2014-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在均 ,  金柱成 ,  金峻渊 ,  朴永洙 ,  卓泳助

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32

Abstract: 根据示例实施例，一种半导体发光器件包括第一半导体层、第一半导体层上的凹坑扩大层、凹坑扩大层上的有源层、空穴注入层以及空穴注入层上的第二半导体层。第一半导体层掺杂有第一导电类型的掺杂物。凹坑扩大层的上表面和有源层的侧表面在位错上限定了具有斜表面的凹坑。凹坑为倒棱锥形空间。空穴注入层位于有源层的顶表面和凹坑的斜表面上。第二半导体层掺杂有与第一导电类型不同的第二导电类型的掺杂物。