装备有制作碳酸水的设备的冰箱

    公开(公告)号:CN105026860B

    公开(公告)日:2017-11-10

    申请号:CN201480011362.9

    申请日:2014-02-21

    CPC classification number: B01F3/04808 F25D23/126

    Abstract: 公开了一种冰箱。所述冰箱包括:主体;储藏室,限定在所述主体中,同时具有敞开的前侧;门,用于打开或关闭所述储藏室的敞开的前侧;水箱,用于储存净化水;碳酸水制作模块,安装到所述门的后表面,所述碳酸水制作模块包括储存有二氧化碳气体的二氧化碳气瓶、用于通过净化水与二氧化碳气体的混合来制作碳酸水的碳酸水箱以及用于调节从二氧化碳气瓶流动到碳酸水箱的二氧化碳气体的压力的气体调节器;安全装置,用于使二氧化碳气瓶朝向或远离气体调节器选择性地运动,从而使二氧化碳气瓶与气体调节器结合或分开。

    半导体存储器件
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118574410A

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202410205901.8

    申请日:2024-02-26

    Abstract: 一种半导体存储器件可以包括:由器件隔离层限定在衬底上的有源区,每个有源区包括第一杂质区和第二杂质区;在有源区上并沿第一方向延伸的字线;分别覆盖字线的顶表面的覆盖绝缘图案;在字线上并沿与第一方向交叉的第二方向延伸的位线;在位线之间并连接到第二杂质区域的接触插塞;以及分别在接触插塞上的数据存储部。每条字线可以包括第一金属氮化物层和在第一金属氮化物层上的第二金属氮化物层。第二金属氮化物层的电阻率可以小于第一金属氮化物层的电阻率。

    具有接触插塞的半导体器件
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118431192A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202410078972.6

    申请日:2024-01-19

    Abstract: 一种半导体器件包括具有有源区的衬底。栅极结构设置在衬底中,并在第一水平方向上延伸以横穿有源区。位线结构横穿栅极结构并在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸。栅栏结构设置在位线结构之间。栅栏结构在第二水平方向上彼此间隔开。接触插塞设置在位线结构之间和栅栏结构之间。接触插塞包括在第二水平方向上彼此间隔开的第一侧表面和第二侧表面以及在第一水平方向上彼此间隔开的第三侧表面和第四侧表面。第一侧表面的掺杂浓度高于第三侧表面的掺杂浓度。

    用于在无线通信系统中放大发送信号的装置和方法

    公开(公告)号:CN112534715B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN201980049751.3

    申请日:2019-07-25

    Abstract: 本公开涉及用于支持比第四代(4G)通信系统(诸如长期演进(LTE))更高的数据传输速率的第五代(5G)或预5G通信系统。本公开是为了在无线通信系统中放大发送信号,并且发送设备可以包括天线阵列(该天线阵列包括多个天线元件)、用于放大通过多个天线元件发送的信号的多个放大链、以及用于向多个放大链供应电力的电源线。这里,包括在多个放大链中的至少一个放大链中的功率放大器所使用的电力可以通过滤波或者通过独立的焊盘和支线来分隔。

    半导体封装件
    20.
    发明公开
    半导体封装件 审中-实审

    公开(公告)号:CN116110868A

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN202211393664.X

    申请日:2022-11-08

    Abstract: 提供了半导体封装件,其中,第一绝缘层包括在第一方向上与第一焊盘间隔开的第一凹部,并且第二绝缘层包括在第一方向上与第二焊盘间隔开并且在与第一方向垂直的第二方向上与第一凹部的至少一部分交叠以与第一凹部一起提供气隙的第二凹部。半导体封装件还包括第一接合表面和第二接合表面,第一接合表面在气隙的一侧由彼此接触的第一绝缘层和第二绝缘层限定,并且与第一焊盘和第二焊盘相邻,第二接合表面在气隙的与所述一侧相对的另一侧由彼此接触的第一绝缘层和第二绝缘层限定。

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