公开(公告)号：CN114582868A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202111305971.3

申请日：2021-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李恩英 ,  金度亨 ,  金泽中 ,  朴承钟 ,  朴在花 ,  赵润宰

IPC: H01L27/108

Abstract: 提供了半导体器件，所述器件包括：衬底，所述衬底包括元件隔离膜和由所述元件隔离膜限定的有源区；字线，所述字线在第一方向上与所述有源区交叉；以及位线结构，所述位线结构位于所述衬底上并连接到所述有源区，所述位线结构在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，其中，所述位线结构包括包含非晶材料或钌的第一单元互连膜、位于所述第一单元互连膜上并沿着所述第一单元互连膜延伸并包含钌的第二单元互连膜以及位于所述第二单元互连膜上并沿着所述第二单元互连膜延伸的单元覆盖膜。

公开(公告)号：CN118574410A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410205901.8

申请日：2024-02-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善铁 ,  权兑姸 ,  赵润宰 ,  金志勋 ,  文洪盛

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件可以包括：由器件隔离层限定在衬底上的有源区，每个有源区包括第一杂质区和第二杂质区；在有源区上并沿第一方向延伸的字线；分别覆盖字线的顶表面的覆盖绝缘图案；在字线上并沿与第一方向交叉的第二方向延伸的位线；在位线之间并连接到第二杂质区域的接触插塞；以及分别在接触插塞上的数据存储部。每条字线可以包括第一金属氮化物层和在第一金属氮化物层上的第二金属氮化物层。第二金属氮化物层的电阻率可以小于第一金属氮化物层的电阻率。