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公开(公告)号：CN118102722A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311554634.7
申请日：2023-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。所述半导体装置包括第一基底结构和连接到第一基底结构的第二基底结构，第一基底结构包括基底、在基底上的电路元件、在电路元件上的第一互连结构以及在第一互连结构上的第一金属接合层，第二基底结构包括板层、在板层下方沿第一方向彼此堆叠并间隔开的栅电极、穿过栅电极并在第一方向上延伸的沟道结构、穿过栅电极并在第二方向上延伸的分离区域、在栅电极和沟道结构下方的第二互连结构、在第二互连结构下方并连接到第一金属接合层的第二金属接合层以及在第二金属接合层之间、在第二方向上延伸并包括绝缘材料的虚设图案层。
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公开(公告)号：CN117374092A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310839733.3
申请日：2023-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
Abstract: 一种图像传感器包括双竖直栅极和器件隔离层，双竖直栅极包括在第一方向上通过隔离区域彼此隔开并且竖直地延伸至衬底中的两个竖直部分、被配置为在两个竖直部分上将两个竖直部分彼此连接的连接部分，器件隔离层在竖直部分的在第一方向上的侧表面上，其中，两个竖直部分中的每一个包括上竖直部分和下竖直部分，上竖直部分的侧壁与在第一方向上延伸的线形成第一倾角，下竖直部分的侧壁与在第一方向上延伸的线形成第二倾角，并且第一倾角与第二倾角不同。
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公开(公告)号：CN116978917A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310456714.2
申请日：2023-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：像素分离部，在基板中并配置为分离像素，像素包括第一像素，像素分离部包括至少部分地限定第一像素的第一至第四侧壁；第一源极跟随器栅电极，在第一像素上并与第一侧壁和第二侧壁相邻；第一杂质区，与第一侧壁和第二侧壁相遇的第一拐角相邻；第二杂质区，与第二侧壁和第三侧壁相遇的第二拐角相邻；以及第三杂质区，与第一侧壁和第四侧壁相遇的第三拐角相邻。第一至第三杂质区与第一源极跟随器栅电极相邻。第二杂质区和第三杂质区彼此电连接。
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公开(公告)号：CN115701221A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202210411018.5
申请日：2022-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B41/35 , H10B41/27 , H10B43/35 , H10B43/27 , G11C11/401
Abstract: 提供了半导体器件和包括该半导体器件的电子系统。所述半导体器件包括：电极结构，所述电极结构包括堆叠在基板上的电极和位于所述电极中的最上电极上的绝缘图案；垂直结构，所述垂直结构穿透所述电极结构并且连接到所述基板；第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述电极和所述垂直结构上；导电图案，所述导电图案穿透所述第一绝缘层并且连接到所述垂直结构；上水平电极，所述上水平电极位于所述导电图案上；以及上半导体图案，所述上半导体图案穿透所述上水平电极并且连接到所述导电图案。所述导电图案具有位于所述垂直结构上的第一侧表面和位于所述绝缘图案上的第二侧表面。
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公开(公告)号：CN115605024A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210392231.6
申请日：2022-04-14
Applicant: 三星电子株式会社(KR)
Abstract: 提供一种三维半导体器件，该三维半导体器件包括：衬底；堆叠结构，包括在衬底上的栅电极和在栅电极上彼此间隔开的串选择电极；第一分离结构，跨过堆叠结构在第一方向上延伸并位于串选择电极之间；竖直沟道结构，穿透堆叠结构；以及位线，连接到竖直沟道结构并在第二方向上延伸。竖直沟道结构的第一子集共同连接到位线之一。第一子集的竖直沟道结构可以跨过第一分离结构在第二方向上彼此相邻。串选择电极中的每一个可以围绕第一子集的竖直沟道结构中的每一个竖直沟道结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112446167A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010876227.8
申请日：2020-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/27 , G06F119/18 , G06K9/62 , G06N3/02 , G06N20/00
Abstract: 一种指导半导体制造过程的方法包括：接收与目标半导体产品对应的半导体制造过程数据；通过使用技术计算机辅助设计(TCAD)模型来生成与半导体制造过程数据对应的第一半导体特性数据，该TCAD模型是基于包括TCAD模拟数据的训练数据通过机器学习进行训练的；通过使用紧凑模型来生成与半导体制造过程数据对应的第二半导体特性数据，该紧凑模型是基于第一半导体产品的至少一个半导体特性的测量信息来生成的；基于第一半导体特性数据和第二半导体特性数据，通过使用多个对策模型生成分别与多个对策参考对应的多个过程策略；以及基于多个过程策略提供与目标半导体产品对应的最终过程策略。
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公开(公告)号：CN111146289A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201910763096.X
申请日：2019-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 一种功率器件包括：第二导电类型的漂移层，位于第一导电类型的半导体层上；第二导电类型的第一源极区域和第二导电类型的第二源极区域，在漂移层上安置为彼此分开；以及栅电极，在第一源极区域和第二源极区域之间的漂移层上，栅极绝缘层在栅电极和漂移层之间，其中栅电极包括分别与第一源极区域和第二源极区域相邻的第一栅电极和第二栅电极、以及在第一栅电极和第二栅电极之间的第三栅电极，其中第三栅电极浮置或接地。
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公开(公告)号：CN100565885C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200580047811.6
申请日：2005-09-26
Applicant: 三星电子株式会社 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: H01L27/115
CPC classification number: G11C13/0016 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , H01L45/10 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/1608
Abstract: 本发明涉及一种非易失性存储器件及其制造方法，该器件使用嵌入到没有源极和漏极区域的聚合物薄膜中的多层自组装Ni1-xFex纳米晶体阵列。根据本发明可以比现有方法更简单地制造纳米晶体。更具体地，可以控制纳米晶体的尺寸和密度，而不需要晶体的结块，因为具有一致分布的晶体被聚合物层包围。此外，本发明提供了非易失性双稳态存储器件，具有比现有的具有纳米浮栅的闪存存储器件更高效率和更低成本的化学的和电的稳定性。另外，在本发明的器件中，源极和漏极区不是必需的，这可以减少生产时间和成本。
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公开(公告)号：CN101133494A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200580047811.6
申请日：2005-09-26
Applicant: 三星电子株式会社 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: H01L27/115
CPC classification number: G11C13/0016 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , H01L45/10 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/1608
Abstract: 本发明涉及一种非易失性存储器件及其制造方法，该器件使用嵌入到没有源极和漏极区域的聚合物薄膜中的多层自组装Ni1－xFex纳米晶体阵列。根据本发明可以比现有方法更简单地制造纳米晶体。更具体地，可以控制纳米晶体的尺寸和密度，而不需要晶体的结块，因为具有一致分布的晶体被聚合物层包围。此外，本发明提供了非易失性双稳态存储器件，具有比现有的具有纳米浮栅的闪存存储器件更高效率和更低成本的化学的和电的稳定性。另外，在本发明的器件中，源极和漏极区不是必需的，这可以减少生产时间和成本。
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公开(公告)号：CN118213377A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311717461.6
申请日：2023-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括具有多个像素的基板。每个像素包括：在基板中的光电转换区和浮置扩散区；在基板的第一表面上的包括像素栅极的像素晶体管；第一传输栅极，在光电转换区和浮置扩散区之间，延伸到基板中，并在水平方向上具有第一宽度；以及第二传输栅极，在光电转换区和浮置扩散区之间，当在平面图中观看时布置在像素栅极和第一传输栅极之间，并在水平方向上具有小于第一宽度的第二宽度。
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