公开(公告)号：CN111223834A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201910800057.2

申请日：2019-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭大荣 ,  金志睿 ,  千正焕 ,  郭玟灿 ,  卢东贤 ,  李珍旭 ,  玄尚镇

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了集成电路装置。所述集成电路装置包括：鳍型有源区，从基底的顶表面突出，并在与基底的顶表面平行的第一方向上延伸；栅极结构，与鳍型有源区交叉，并在基底上沿与第一方向垂直的第二方向延伸；源区/漏区，在鳍型有源区中位于栅极结构的第一侧上；第一接触结构，位于源区/漏区上；以及接触盖层，位于第一接触结构上。第一接触结构的顶表面在第一方向上具有第一宽度，接触盖层的底表面在第一方向上具有比上述第一宽度大的第二宽度，并且接触盖层包括从第一接触结构的侧壁向外延伸的突出部分。

公开(公告)号：CN109411536A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201810891561.3

申请日：2018-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹九荣 ,  郭大荣 ,  金信惠 ,  柳庚玟 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包含从衬底突出的有源图案及围绕有源图案的下部部分的绝缘结构。绝缘结构包含与衬底的顶部表面及有源图案的侧壁共形的绝缘层以及在绝缘层上的掩埋绝缘图案。本发明的半导体装置具有增强的可靠性。