-
公开(公告)号:CN102006540A
公开(公告)日:2011-04-06
申请号:CN201010230193.1
申请日:2010-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04R17/00 , H04R31/003 , H04R2201/003 , H04R2440/07
Abstract: 本发明提供一种具有活塞膈膜的压电微扬声器及其制造方法。该压电微扬声器包括:基板,具有形成在其中的腔室;振动膜,设置在基板上并至少覆盖腔室的中心部分;压电致动器,设置在振动膜上,从而使振动膜振动;以及活塞隔膜,设置在腔室中并通过振动膜的振动进行活塞运动。当振动膜由于压电致动器而振动时,通过活塞杆连接到振动膜的活塞隔膜在腔室中进行活塞运动。
-
-
公开(公告)号:CN110032289B
公开(公告)日:2024-11-22
申请号:CN201811462967.6
申请日:2018-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种触摸指纹复合传感器及其操作方法以及包括触摸指纹复合传感器的电子装置。触摸指纹复合传感器可以包括在触摸板中沿第一方向延伸的多个第一电极,以及沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个第二电极。多个第一电极可以包括以规则的间隔布置的多个第一触摸电极,以及多个第一触摸电极中的相邻第一触摸电极之间的多个第一子电极。多个第二电极可以包括以规则的间隔布置的多个第二触摸电极,以及多个第二触摸电极中的相邻第二触摸电极之间的多个第二子电极。多个第一触摸电极可以包括第一单元组,所述第一单元组包括电极,并且多个第一子电极中的至少一个可以布置在第一单元组的电极中的相邻电极之间。
-
-
公开(公告)号:CN111091042A
公开(公告)日:2020-05-01
申请号:CN201911010875.9
申请日:2019-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06K9/00
Abstract: 提供了可变形指纹识别设备和使用该可变形指纹识别设备的指纹认证方法以及电子装置。可变形指纹识别设备可以包括:指纹传感器,被配置为形状能够变形;以及应变传感器,设置在指纹传感器的表面上以测量指纹传感器的变形分布。可变形指纹识别设备可以通过反映应变传感器测量的指纹传感器的变形分布来识别用户指纹。可变形指纹识别设备可以包括多个第一像素区域以检测用户指纹,并且应变传感器可以包括多个第二像素区域以测量指纹传感器的变形分布。
-
公开(公告)号:CN106175823B
公开(公告)日:2019-12-13
申请号:CN201510213001.9
申请日:2015-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: A61B8/00
Abstract: 一种超声诊断装置可以包括:探测器,包括换能器,该换能器被配置为向对象发送信号,并被配置为接收来自该对象的回声信号;控制器,被配置为控制该超声探测器;和/或图像产生单元,被配置为基于该回声信号产生该对象的图像。该控制器可以进一步被配置为,驱动该换能器以使得所发送的信号同时包括基频和至少一个谐波。一种产生超声图像的方法可以包括:通过使用换能器向对象发送信号;通过使用该换能器接收来自该对象的回声信号;和/或基于该回声信号产生该对象的图像。所述向对象发送信号可以包括:驱动该换能器以使得所发送的信号同时包括基频和至少一个谐波。
-
-
公开(公告)号:CN104620603A
公开(公告)日:2015-05-13
申请号:CN201380047262.7
申请日:2013-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 郑锡焕
CPC classification number: A61B8/4483 , B06B1/0292 , H01L29/84
Abstract: 一种超声换能器包括:设置在上衬底和支撑物上的第一电极层;设置在上衬底的下表面上且与第一电极层分离的第二电极层;设置在膜的上表面上以接触第一电极层的上表面的上电极;穿过上电极、膜、支撑物和上衬底形成的沟槽;以及设置在上衬底下面且包括分别电连接到第一和第二电极层的接合焊盘的焊盘衬底。
-
公开(公告)号:CN101088911A
公开(公告)日:2007-12-19
申请号:CN200710001784.X
申请日:2007-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B26/0841 , B81B3/0086 , B81B2203/0136 , B81C1/00698
Abstract: 本发明提供了一种微机电系统(MEMS)装置及形成该MEMS装置的梳状电极的方法。该方法包括:在第一硅衬底的一侧以规则的间隔形成多个平行的沟槽,从而在第一硅衬底的一侧上交替界定高度不同的第一区域和第二区域;氧化第一硅衬底以在高度不同的第一区域和第二区域中形成氧化层;在氧化层上形成多晶硅层以至少填满沟槽从而使具有不同高度的氧化层平化;将第二衬底结合到多晶硅层的顶表面上;使用第一掩模选择性地蚀刻第二硅衬底和多晶硅层,从而形成与第一区域垂直对齐的上梳状电极;使用第二掩模选择性地蚀刻第一硅衬底以形成与第二区域垂直对齐的下梳状电极;以及去除在上梳状电极和下梳状电极之间夹置的氧化层。
-
公开(公告)号:CN111091042B
公开(公告)日:2024-11-05
申请号:CN201911010875.9
申请日:2019-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06V40/13
Abstract: 提供了可变形指纹识别设备和使用该可变形指纹识别设备的指纹认证方法以及电子装置。可变形指纹识别设备可以包括:指纹传感器,被配置为形状能够变形;以及应变传感器,设置在指纹传感器的表面上以测量指纹传感器的变形分布。可变形指纹识别设备可以通过反映应变传感器测量的指纹传感器的变形分布来识别用户指纹。可变形指纹识别设备可以包括多个第一像素区域以检测用户指纹,并且应变传感器可以包括多个第二像素区域以测量指纹传感器的变形分布。
-
-
-
-
-
-
-
-
-