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公开(公告)号：CN1983491A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610163108.8
申请日：2006-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01H59/0009 , H01H1/20
Abstract: 本发明涉及一种MEMS(微机电系统)开关，其包括：基板；形成在基板上侧的固定电极；形成在固定电极两侧的信号线；与所述固定电极间隔一定距离地形成在信号线上侧并接触信号线边缘部分的接触部件；支承接触部件可移动的支承部件；以及设置在支承部件上侧的移动电极。
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公开(公告)号：CN1595798B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200410078536.1
申请日：2004-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03H9/173 , H03H3/04 , H03H2003/021
Abstract: 本发明公开了一种薄膜谐振器，其包括：形成在衬底上的隔膜层，形成在隔膜层的部分顶表面上的下电极，形成在下电极上的压电层，形成在压电层上的上电极，以及置于下电极和隔膜层之间并具有一预定质量的质量加载层。这种结构能够更精确地调节薄膜谐振器的谐振频率，从而提供更精确的滤波器。
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公开(公告)号：CN101088911A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200710001784.X
申请日：2007-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B26/0841 , B81B3/0086 , B81B2203/0136 , B81C1/00698
Abstract: 本发明提供了一种微机电系统(MEMS)装置及形成该MEMS装置的梳状电极的方法。该方法包括：在第一硅衬底的一侧以规则的间隔形成多个平行的沟槽，从而在第一硅衬底的一侧上交替界定高度不同的第一区域和第二区域；氧化第一硅衬底以在高度不同的第一区域和第二区域中形成氧化层；在氧化层上形成多晶硅层以至少填满沟槽从而使具有不同高度的氧化层平化；将第二衬底结合到多晶硅层的顶表面上；使用第一掩模选择性地蚀刻第二硅衬底和多晶硅层，从而形成与第一区域垂直对齐的上梳状电极；使用第二掩模选择性地蚀刻第一硅衬底以形成与第二区域垂直对齐的下梳状电极；以及去除在上梳状电极和下梳状电极之间夹置的氧化层。
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公开(公告)号：CN1845281A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610051309.9
申请日：2006-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01H59/0009 , H01H2001/0042 , H01P1/127
Abstract: 一种三态射频微机电系统开关，包括：第一井，其形成在第一基板上；形成第一间隙的第一输入信号线和第一输出信号线；与第一井中的信号线隔绝的射频接地；形成在第一井中的第一驱动电极；具有第二井和第三井的第二基板；在第二基板中的第二井和第三井之间形成分界的分界栏；第二输入信号线和第二输出信号线、第三输入信号线和第三输出信号线，分别形成第二间隙和第三间隙；与在第二井和第三井中的信号线隔绝射频接地；第二驱动电极和第三驱动电极；隔膜，其设置在第一基板和第二基板之间，以在第一、第二及第三间隙之上穿过，并具有分别与其上的第一间隙、第二间隙和第三间隙相对的第一金属焊盘、第二金焊盘和第三金属焊盘。
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公开(公告)号：CN1595798A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410078536.1
申请日：2004-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03H9/173 , H03H3/04 , H03H2003/021
Abstract: 本发明公开了一种薄膜谐振器，其包括：形成在衬底上的隔膜层，形成在隔膜层的部分顶表面上的下电极，形成在下电极上的压电层，形成在压电层上的上电极，以及置于下电极和隔膜层之间并具有一预定质量的质量加载层。这种结构能够更精确地调节薄膜谐振器的谐振频率，从而提供更精确的滤波器。
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