公开(公告)号：CN101719510B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN200910177796.7

申请日：2009-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申在光 ,  徐顺爱 ,  金钟燮 ,  洪起夏 ,  郑现钟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7613 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66977

Abstract: 本发明公开了一种量子干涉晶体管及其制造和操作方法。一种量子干涉晶体管可以包括：源极；漏极；N个沟道(N≥2)，位于源极和漏极之间，并具有N-1个在源极和漏极之间的路径差；至少一个栅极，设置在N个沟道中的一个或多个沟道处。N个沟道中的一个或多个沟道可以形成在石墨烯片中。一种制造所述量子干涉晶体管的方法可以包括利用石墨烯片形成N个沟道中的一个或多个沟道。一种操作所述量子干涉晶体管的方法可以包括将电压施加到至少一个栅极。电压可以使穿过形成有所述至少一个栅极的沟道的电子波的相位移位。

公开(公告)号：CN103715259A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310221610.X

申请日：2013-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  朴晟准 ,  卞卿溵 ,  D.徐 ,  宋伣在 ,  李载昊 ,  郑现钟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/16 ,  B82Y99/00 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供包括石墨烯沟道的隧穿场效应晶体管（TFET）。该TFET包括：在基板上的第一电极；在第一电极上的半导体层；在半导体层上的石墨烯沟道，该石墨烯沟道朝向与第一电极间隔开的第一区域延伸；在石墨烯沟道上的第二电极，该第二电极在第一区域上；覆盖石墨烯沟道的栅绝缘层；以及在栅绝缘层上的栅电极。第一电极和石墨烯沟道设置为彼此面对，半导体层设置在其间。

公开(公告)号：CN103022106A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210344858.0

申请日：2012-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁喜准 ,  朴晟准 ,  郑现钟 ,  许镇盛

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/456 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了包括石墨烯的电极结构以及具有其的场效应晶体管。根据示例实施例，一种电极结构包括在半导体层上的石墨烯和在石墨烯上的电极金属。场效应晶体管（FET）可以包括该电极结构。

公开(公告)号：CN102569398A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110230441.7

申请日：2011-08-12

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 郑现钟 ,  李载泓 ,  李载昊 ,  申炯澈 ,  徐顺爱 ,  李晟熏 ,  许镇盛 ,  梁喜准

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了一种具有多个石墨烯沟道层的石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：基板；形成在基板上的栅电极；第一栅绝缘膜，覆盖基板上的栅电极；多个石墨烯沟道层，形成在基板上，并且在多个石墨烯沟道层之间具有第二栅绝缘膜；源电极和漏电极，连接到每个石墨烯沟道层的两边缘。

公开(公告)号：CN102285660A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110164676.0

申请日：2011-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晟熏 ,  徐顺爱 ,  禹轮成 ,  郑现钟 ,  许镇盛

IPC: C01B35/00 ,  H01L29/167

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

Abstract: 提供被氮和硼代替的石墨烯、其制造方法及具有其的晶体管，该石墨烯包括碳(C)原子被硼(B)原子和氮(N)原子部分地代替的结构。该石墨烯具有带隙。被硼和氮代替的石墨烯可用作场效应晶体管的沟道。该石墨烯可通过使用环硼氮烷或氨硼烷作为氮化硼(B-N)前体进行化学气相沉积(CVD)方法形成。

公开(公告)号：CN104103671B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201410175362.4

申请日：2014-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  卞卿溵 ,  宋伣在 ,  朴晟准 ,  D·许 ,  禹轮成 ,  李东郁 ,  李载昊 ,  郑现钟 ,  许镇盛 ,  柳寅敬

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78684 ,  H01L31/028 ,  H01L31/08 ,  H01L33/34 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0504 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/0562 ,  H01L51/0566 ,  H01L51/057 ,  H01L51/428 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明提供石墨烯器件和包括石墨烯器件的电子设备。根据示例实施例，石墨烯器件包括：包括源极、栅极和漏极的晶体管；有源层，载流子通过其移动；以及在栅极和有源层之间的石墨烯层。石墨烯层可被配置为既作为有源层的电极又作为晶体管的沟道层。

公开(公告)号：CN103064200B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210397252.3

申请日：2012-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵成豪 ,  郑现钟

IPC: G02F1/025

CPC classification number: G02F1/025 ,  G02F2001/0156 ,  G02F2202/02

Abstract: 本发明提供一种包括石墨烯的光学调制器，该光学调制器包括：第一石墨烯和第二石墨烯，在半导体层的上表面上；第一电极，在第一石墨烯上；以及第二电极，在第二石墨烯上。第一石墨烯和第二石墨烯各自的侧表面彼此分离。半导体层的第一脊部和第二石墨烯上的第二脊部构成光波导，且第一和第二石墨烯在垂直于半导体层的方向上位于光波导的中心部分。

公开(公告)号：CN102050442B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201010504291.X

申请日：2010-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹轮成 ,  戴维·徐 ,  徐顺爱 ,  郑现钟 ,  姜世拉 ,  许镇盛

IPC: C01B31/04

CPC classification number: C01B31/0453 ,  B01J23/755 ,  B01J37/347 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C01B2204/04 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明提供一种利用合金催化剂制造石墨烯的方法，该方法可以包括在衬底上形成包括镍的合金催化剂层以及通过将碳氢气体提供到合金催化剂层上来形成石墨烯层。合金催化剂层可以包括从由镍、铜、铂、铁和金构成的组中选出的至少两种。当制造石墨烯时，减少碳在Ni中的溶解性的催化剂金属可以在合金催化剂层中与Ni一起使用。可以调整碳被溶解的量，并且可以制造均匀的石墨烯单层。

公开(公告)号：CN102285660B

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201110164676.0

申请日：2011-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晟熏 ,  徐顺爱 ,  禹轮成 ,  郑现钟 ,  许镇盛

IPC: C01B35/00 ,  H01L29/167

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

Abstract: 提供被氮和硼代替的石墨烯、其制造方法及具有其的晶体管，该石墨烯包括碳(C)原子被硼(B)原子和氮(N)原子部分地代替的结构。该石墨烯具有带隙。被硼和氮代替的石墨烯可用作场效应晶体管的沟道。该石墨烯可通过使用环硼氮烷或氨硼烷作为氮化硼(B-N)前体进行化学气相沉积(CVD)方法形成。

公开(公告)号：CN103094346A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210425342.9

申请日：2012-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑现钟 ,  郑佑仁 ,  金奇南

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/772 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/0688 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/518 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78684 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/938

Abstract: 本发明提供了石墨烯晶体管、混合晶体管及其制造方法。该石墨烯晶体管包括：栅极电极，在衬底上；栅极绝缘层，在栅极电极上；石墨烯沟道，在栅极绝缘层上；源极电极和漏极电极，在石墨烯沟道上，源极电极和漏极电极彼此分离；以及盖，覆盖源极电极和漏极电极的上表面并在源极电极与漏极电极之间的石墨烯沟道之上形成空气间隙。