公开(公告)号：CN117238919A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202310568902.4

申请日：2023-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵真英 ,  边晓训 ,  李南玹 ,  林圣根 ,  曺裕英

IPC: H01L27/092

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一晶体管结构，在基底上，第一晶体管结构包括彼此间隔开的第一沟道层、围绕第一沟道层的第一栅电极、在第一栅电极的第一侧连接到第一沟道层的第一源极/漏极区以及在第一栅电极的与第一栅电极的第一侧相对的第二侧连接到第一沟道层的第二源极/漏极区；以及第二晶体管结构，在第一晶体管结构上，第二晶体管结构包括彼此间隔开的第二沟道层、围绕第二沟道层的第二栅电极、在第二栅电极的第一侧连接到第二沟道层的第三源极/漏极区以及在第二栅电极的与第二栅电极的第一侧相对的第二侧连接到第二沟道层的第四源极/漏极区。

公开(公告)号：CN110600472A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201910427945.4

申请日：2019-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵真英 ,  金锡勋 ,  柳廷昊 ,  李承勋 ,  郑根熙

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明公开了一种集成电路器件以及制造集成电路器件的方法，其中该集成电路器件包括：鳍型有源区，在衬底上沿着平行于衬底的顶表面的第一方向延伸；栅极结构，在鳍型有源区上延伸，并且沿着平行于衬底的顶表面且不同于第一方向的第二方向延伸；以及源极/漏极区，在从栅极结构的一侧延伸到鳍型有源区中的凹入区域中，源极/漏极区包括：在凹入区域的内壁上的上半导体层，具有第一杂质浓度，并且包括间隙；以及间隙填充半导体层，其填充间隙并且具有大于第一杂质浓度的第二杂质浓度。

公开(公告)号：CN103094207A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210330245.1

申请日：2012-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  金相秀 ,  高铤槿 ,  李善佶 ,  赵真英

IPC: H01L21/8232

CPC classification number: H01L29/7847 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26593 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明提供一种采用应力记忆技术制造半导体器件的方法。所述方法包括：提供支撑栅电极的衬底；通过执行预非晶化注入（PAI）工艺并且在PAI工艺中或与PAI工艺分离地将C或N注入源/漏区中而将位于栅电极两侧的源/漏区非晶化和掺杂；在衬底上形成引力诱导层以覆盖非晶化的源/漏区；以及随后通过对衬底进行退火而使源/漏区再结晶。然后，可去除应力诱导层。此外，在源/漏区已经非晶化之后可将C或N注入整个源/漏区中，或者仅注入非晶化的源/漏区的上部分。