公开(公告)号：CN102285660B

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201110164676.0

申请日：2011-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晟熏 ,  徐顺爱 ,  禹轮成 ,  郑现钟 ,  许镇盛

IPC: C01B35/00 ,  H01L29/167

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

Abstract: 提供被氮和硼代替的石墨烯、其制造方法及具有其的晶体管，该石墨烯包括碳(C)原子被硼(B)原子和氮(N)原子部分地代替的结构。该石墨烯具有带隙。被硼和氮代替的石墨烯可用作场效应晶体管的沟道。该石墨烯可通过使用环硼氮烷或氨硼烷作为氮化硼(B-N)前体进行化学气相沉积(CVD)方法形成。

公开(公告)号：CN102050442A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN201010504291.X

申请日：2010-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹轮成 ,  戴维·徐 ,  徐顺爱 ,  郑现钟 ,  姜世拉 ,  许镇盛

IPC: C01B31/04

CPC classification number: C01B31/0453 ,  B01J23/755 ,  B01J37/347 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C01B2204/04 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明提供一种利用合金催化剂制造石墨烯的方法，该方法可以包括在衬底上形成包括镍的合金催化剂层以及通过将碳氢气体提供到合金催化剂层上来形成石墨烯层。合金催化剂层可以包括从由镍、铜、铂、铁和金构成的组中选出的至少两种。当制造石墨烯时，减少碳在Ni中的溶解性的催化剂金属可以在合金催化剂层中与Ni一起使用。可以调整碳被溶解的量，并且可以制造均匀的石墨烯单层。

公开(公告)号：CN118401010A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410108648.4

申请日：2024-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔德铉 ,  许镇盛 ,  李泫宰 ,  南胜杰 ,  朴允相 ,  柳时正

IPC: H10B51/30 ,  H10B53/30 ,  G11C11/22

Abstract: 提供存储器器件、存储器器件的操作方法和存储器设备。存储器器件包括半导体基底、设置在半导体基底上的栅电极、以及在垂直于半导体基底的第一方向上层叠在半导体基底和栅电极之间并且包括至少一个第一铁电层和至少一个第二铁电层的多个铁电层。第一铁电层具有其中掺杂浓度在第一方向上增加的掺杂浓度梯度，并且第二铁电层具有其中掺杂浓度在第一方向上减少的掺杂浓度梯度。存储器器件配置为根据操作电压实施多位。

公开(公告)号：CN116632042A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310180204.7

申请日：2023-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文泰欢 ,  崔悳铉 ,  许镇盛 ,  李泫宰

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  G06N3/06 ,  G06N3/0464

Abstract: 提供了铁电场效应晶体管、神经网络装置和电子装置。铁电场效应晶体管包括：基板；源极，在第一方向上从基板的上表面突出；漏极，在第一方向上从基板的上表面突出；沟道，与基板的上表面间隔开并在源极和漏极之间在不同于第一方向的第二方向上延伸；铁电膜，围绕沟道的外周表面；以及栅电极，围绕铁电膜，其中沟道具有拥有不同的曲率的弯曲的剖面。

公开(公告)号：CN115440805A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210624256.4

申请日：2022-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔悳铉 ,  许镇盛 ,  文泰欢 ,  赵常玹

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种薄膜结构、包括该薄膜结构的半导体器件和包括该半导体器件的半导体装置。薄膜结构包括基板和在基板上的铁电层。铁电层包括具有萤石结构的化合物，其中 晶向在基板的法线方向上取向，并且具有正交相并包含氟。铁电层可以具有铁电性。

公开(公告)号：CN115117172A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210185515.8

申请日：2022-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔德铉 ,  许镇盛 ,  李润姓 ,  赵常玹

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/51

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；在衬底上或衬底中的至少一个处的沟道层；在衬底上的绝缘层；在绝缘层上的铁电层；在绝缘层和铁电层之间的界面上的固定电荷层，固定电荷层包括第一极性的电荷；以及在铁电层上的栅极。

公开(公告)号：CN113345795A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202011319958.9

申请日：2020-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李润姓 ,  许镇盛 ,  金尚昱 ,  文泰欢 ,  赵常玹

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 提供一种铁电薄膜结构以及包括该铁电薄膜结构的电子器件，该铁电薄膜结构包括半导体基板、在半导体基板上的第一铁电层和在半导体基板上的第二铁电层。第二铁电层与第一铁电层间隔开并具有与第一铁电层不同的介电常数。第一铁电层和第二铁电层可以在其中包含的掺杂剂的量方面彼此不同，并可以在应用于晶体管时表现出不同的阈值电压。

公开(公告)号：CN112635561A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202011013829.7

申请日：2020-09-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  金尚昱 ,  李润姓 ,  赵常玹

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及畴切换器件、制造其的方法及系统及制造电子装置的方法。该畴切换器件包括：沟道区、连接到沟道区的源极和漏极、与沟道区不接触的栅电极、在沟道区和栅电极之间的反铁电层、在栅电极和反铁电层之间以接触反铁电层的导电层以及在反铁电层和沟道区之间的阻挡层。

公开(公告)号：CN110854198A

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201910438194.6

申请日：2019-05-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  李润姓 ,  赵常玹

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种逻辑开关器件及其制造方法。逻辑开关器件可以包括与栅电极相邻的畴转变层。畴转变层可以包括铁电材料区域和反铁电材料区域。畴转变层可以是非存储元件。逻辑开关器件可以包括沟道、都连接到沟道的源极和漏极、布置为面对沟道的栅电极、以及提供在沟道和栅电极之间的畴转变层。

公开(公告)号：CN105280813B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201510423238.X

申请日：2015-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  李基荣 ,  朴晟准

IPC: H01L45/00 ,  H01L41/08

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/028 ,  H01L31/113 ,  H01L33/04 ,  H01L33/26 ,  H01L33/34 ,  H01L45/04 ,  Y02E10/547

Abstract: 示例实施方式涉及石墨烯器件及其制造和操作方法以及包括该石墨烯器件的电子装置。石墨烯器件是多功能的器件。石墨烯器件可以包括石墨烯层和功能材料层。石墨烯器件可以在开关器件/电子器件的结构内具有存储器器件、压电器件和光电器件中的至少一种的功能。功能材料层可以包括电阻变化材料、相变材料、铁电材料、多铁性材料、多稳态分子、压电材料、发光材料和光敏材料中的至少一种。