公开(公告)号：CN101431049A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200810184264.1

申请日：2008-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔庆寅 ,  崔吉铉 ,  李钟鸣 ,  洪琮沅 ,  李贤培

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76877 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/03602 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了包括扩散阻挡膜的半导体器件的形成方法。该扩散阻挡膜包括金属氮化物，该金属氮化物利用金属有机化学气相沉积工艺形成并部分地通过等离子体处理来处理。从而，扩散阻挡膜的电阻率能够被减小，并且扩散阻挡膜可以具有突出的阻挡特性。