公开(公告)号：CN108695377B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201711321445.X

申请日：2017-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵南奎 ,  权台纯 ,  林青美 ,  李正允

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  B82Y40/00

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：鳍型有源区，从基底突出并且在第一方向上延伸；至少一个纳米片，与鳍型有源区的上表面分隔开并且面对鳍型有源区的上表面，所述至少一个纳米片具有沟道区；栅极，在鳍型有源区上沿与第一方向交叉的第二方向延伸并且围绕所述至少一个纳米片的至少一部分；源/漏区，在所述至少一个纳米片的两侧上位于鳍型有源区上；源极/漏极保护层，位于所述至少一个纳米片的侧壁上并且位于源/漏区与所述至少一个纳米片之间。

公开(公告)号：CN109427783B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201810253757.X

申请日：2018-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵南奎 ,  林青美 ,  成金重 ,  李承勋

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种集成电路装置包括：第一鳍有源区，在与衬底的顶表面平行的第一方向上延伸；第二鳍有源区，在所述第一方向上延伸且在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第一鳍有源区间隔开；栅极线，与所述第一鳍有源区及所述第二鳍有源区交叉；第一源极/漏极区，在所述第一鳍有源区中位于所述栅极线的一侧；以及第二源极/漏极区，在所述第二鳍有源区中位于所述栅极线的一侧且面对所述第一源极/漏极区，其中所述第一源极/漏极区的与所述第一方向垂直的横截面相对于所述第一源极/漏极区在所述第二方向上的中心线具有不对称形状，所述中心线在与所述衬底的所述顶表面垂直的第三方向上延伸。

公开(公告)号：CN108231765B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN201711394204.8

申请日：2017-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成金重 ,  李正允 ,  洪承秀 ,  闵庚石 ,  朴胜周 ,  吴怜默 ,  林青美

IPC: H01L27/088

Abstract: 本发明构思涉及一种半导体器件。有源图案从衬底突出。有源图案包括第一有源图案、与第一有源图案间隔开第一距离的第二有源图案、以及与第二有源图案间隔开大于第一距离的第二距离的第三有源图案。栅极间隔物设置在跨越有源图案的栅电极的侧壁上。源极/漏极区域包括设置在有源图案中的一个的区域上的第一源极/漏极区域至第三源极/漏极区域。有源图案中的一个的所述区域邻近于栅电极的一侧设置。第一保护绝缘图案和第二保护绝缘图案分别设置在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域下面的第一有源图案与第二有源图案之间以及在第二源极/漏极区域和第三源极/漏极区域下面的第二有源图案与第三有源图案之间的衬底上。

公开(公告)号：CN108695377A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201711321445.X

申请日：2017-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵南奎 ,  权台纯 ,  林青美 ,  李正允

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/0607 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696 ,  H01L2029/7858 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1033

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：鳍型有源区，从基底突出并且在第一方向上延伸；至少一个纳米片，与鳍型有源区的上表面分隔开并且面对鳍型有源区的上表面，所述至少一个纳米片具有沟道区；栅极，在鳍型有源区上沿与第一方向交叉的第二方向延伸并且围绕所述至少一个纳米片的至少一部分；源/漏区，在所述至少一个纳米片的两侧上位于鳍型有源区上；源极/漏极保护层，位于所述至少一个纳米片的侧壁上并且位于源/漏区与所述至少一个纳米片之间。

公开(公告)号：CN108461494A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810087764.7

申请日：2018-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑铉澔 ,  李正允 ,  权台纯 ,  闵庚石 ,  成金重 ,  林青美 ,  池雅凜 ,  洪承秀

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/4236 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/10 ,  H01L29/0653 ,  H01L27/092 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878

Abstract: 半导体器件可以包括衬底上的第一有源图案，第一有源图案包括从衬底突出的多个第一有源区。第二有源图案可以在衬底上，包括从衬底突出的多个第二有源区。第一栅电极可以包括以第一高度在第一有源图案上延伸的上部，并且包括以比第一栅电极的第一高度低的第二高度在第一有源图案上延伸的凹入部分。第二栅电极可以包括以第一高度在第二有源图案上延伸的上部，并且包括以比第二栅电极的第一高度低的第二高度在第二有源图案上延伸的凹入部分。绝缘图案可以位于第一栅电极的凹入部分和第二栅电极的凹入部分之间，并且与第一栅电极的凹入部分和第二栅电极的凹入部分直接相邻，绝缘图案使第一栅电极和第二栅电极彼此电隔离。

公开(公告)号：CN108231765A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711394204.8

申请日：2017-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成金重 ,  李正允 ,  洪承秀 ,  闵庚石 ,  朴胜周 ,  吴怜默 ,  林青美

IPC: H01L27/088

Abstract: 本发明构思涉及一种半导体器件。有源图案从衬底突出。有源图案包括第一有源图案、与第一有源图案间隔开第一距离的第二有源图案、以及与第二有源图案间隔开大于第一距离的第二距离的第三有源图案。栅极间隔物设置在跨越有源图案的栅电极的侧壁上。源极/漏极区域包括设置在有源图案中的一个的区域上的第一源极/漏极区域至第三源极/漏极区域。有源图案中的一个的所述区域邻近于栅电极的一侧设置。第一保护绝缘图案和第二保护绝缘图案分别设置在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域下面的第一有源图案与第二有源图案之间以及在第二源极/漏极区域和第三源极/漏极区域下面的第二有源图案与第三有源图案之间的衬底上。

公开(公告)号：CN107785430A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710641779.9

申请日：2017-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴胜周 ,  李正允 ,  闵庚石 ,  成金重 ,  林青美 ,  洪承秀

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823468 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7855 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7853

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：第一有源鳍片阵列及第二有源鳍片阵列，在衬底上设置成在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上相互间隔开；一对第一栅极间隔壁，在第一及第二有源鳍片阵列上设置成在第二方向上延伸，且一对第一栅极间隔壁中的每一个包括具有第一宽度的第一区、具有第二宽度的第二区、及位于第一区与第二区之间且具有第三宽度的第三区；其中一对第一栅极间隔壁的第一区位于第一有源鳍片阵列上，一对第一栅极间隔壁的第二区位于第二有源鳍片阵列上，一对第一栅极间隔壁的第三区位于第一有源鳍片阵列与第二有源鳍片阵列之间；第一宽度及第二宽度中的每一个大于第三宽度。所述半导体装置可改善生产良率。