公开(公告)号：CN101101964B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200710091903.5

申请日：2007-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李殷洪 ,  赵重来 ,  斯蒂法诺维奇·金瑞克

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  G11C13/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/12 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/76 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供了一种包括可变电阻材料的非易失存储器件。所述非易失存储器件包括：下电极；缓冲层，形成在所述下电极上，并且在缓冲层与下电极之间的界面上形成了肖特基势垒；形成在缓冲层上的具有可变电阻特性的可变电阻材料层；和形成在可变电阻材料层上的上电极。

公开(公告)号：CN101097988B

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200610160399.5

申请日：2006-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵重来 ,  李殷洪 ,  斯蒂法诺维奇·金瑞克 ,  埃尔·M·鲍里姆

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  Y10S438/90

Abstract: 本发明提供一种具有n+界面层的可变电阻随机存取存储器。该可变电阻随机存取存储器包括下电极、形成在所述下电极上的n+界面层、形成在所述n+界面层上的缓冲层、形成在所述缓冲层上并具有可变电阻特性的氧化物层、及形成在所述氧化物层上的上电极。

公开(公告)号：CN101257089A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810092024.9

申请日：2008-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李明宰 ,  李殷洪 ,  朴泳洙

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明公开了一种包含具有金属氧化物和/或金属离子掺杂物的电阻层的电阻随机存取存储器及其制造方法，所述电阻随机存取存储器在室温沉积并且具有可变电阻特性。

公开(公告)号：CN101097988A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200610160399.5

申请日：2006-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵重来 ,  李殷洪 ,  斯蒂法诺维奇·金瑞克 ,  埃尔·M·鲍里姆

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  Y10S438/90

Abstract: 本发明提供一种具有n+界面层的可变电阻随机存取存储器。该可变电阻随机存取存储器包括下电极、形成在所述下电极上的n+界面层、形成在所述n+界面层上的缓冲层、形成在所述缓冲层上并具有可变电阻特性的氧化物层、及形成在所述氧化物层上的上电极。

公开(公告)号：CN1901224A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610054967.3

申请日：2006-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  金锡必 ,  朴允童 ,  李殷洪 ,  玄在雄 ,  李政勋 ,  边成宰

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10826 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/2436 ,  H01L29/785

Abstract: 提供了一种半导体器件和一种利用该半导体器件的随机存取存储器(RAM)，该半导体器件利用了SOI结构的优点，同时控制着主体偏压并具有高的工作电流和低的接触电阻的高性能。该半导体器件包括：在半导体衬底上以成对鳍形成的一对沟道区；对应于所述一对沟道区的栅电极；并行电连接到形成于所述一对鳍的每个上的源极的源极接触插塞；以及并行电连接到所述漏极的漏极接触插塞。该半导体器件还可以包括所述漏极接触插塞上的存储节点，或者位于所述沟道区和栅电极之间的存储节点。

公开(公告)号：CN1773709A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510103902.9

申请日：2005-09-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  朴允童 ,  李殷洪 ,  徐顺爱 ,  申尚旻 ,  李政勋 ,  张丞爀

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/112

CPC classification number: G11C11/5621 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/5607 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5657 ,  G11C13/025 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/28291 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/7923

Abstract: 公开了一种多位闪速存储器件及其操作方法。该多位闪速存储器件包括：堆叠结构，该堆叠结构包括：设置在衬底上具有台面形状的第一有源层；第二有源层，在第一有源层上形成且具有与第一有源层不同的导电类型；有源层间隔离层，插置在第一有源层与第二有源层之间以便将第一有源层从第二有源层电隔离；公共源极和公共漏极，在堆叠结构的一对相对的侧表面上形成；公共第一栅极和公共第二栅极，在堆叠结构的另外一对相对的侧表面上形成；隧道介质层，插置在第一和第二栅极与第一和第二有源层之间；以及电荷捕集层，插置在隧道介质层与第一和第二栅极之间，存储隧穿隧道介质层的电荷。

公开(公告)号：CN1638130A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200510003961.9

申请日：2005-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡熙顺 ,  李兆远 ,  金桢雨 ,  李殷洪

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L29/66833 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78615 ,  H01L29/792

Abstract: 为了存储器的稳定性和更高的运行速度，本发明提供一种半导体存储器及其制造方法。该存储器包括：在半导体基板上形成的一栅极叠层结构；通过掺杂导电杂质，在栅极叠层结构每边的旁边和半导体基板上形成第一和第二杂质区，第一和第二杂质区之间具有沟道区域；以及在第一或第二杂质区旁边的半导体区域上形成一接触层。

公开(公告)号：CN101068038B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200610159882.1

申请日：2006-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 埃尔·M·布里姆 ,  李殷洪 ,  赵重来

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供一种包括可变电阻材料的非易失性存储器件。该非易失性存储器件包括：下电极；形成在该下电极上的缓冲层，该缓冲层由氧化物构成；形成在该缓冲层上的氧化物层，该氧化物层具有可变电阻特性；以及形成在该氧化物层上的上电极。

公开(公告)号：CN1734773B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200510092281.9

申请日：2005-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴允童 ,  李兆远 ,  金桢雨 ,  李殷洪 ,  徐顺爱 ,  金元柱 ,  蔡熙顺 ,  蔡洙杜 ,  宋利宪

IPC: H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C11/5621 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551

Abstract: 提供了一种互补非易失性存储器件及其操作和制造方法，包括该器件的逻辑器件和半导体器件，以及用于该器件的读电路。所述互补非易失性存储器件包括第一非易失性存储器和第二非易失性存储器，它们被顺序的堆叠并具有互补关系，其中所述第二非易失性存储器被翻转，使得所述第一非易失性存储器和第二非易失性存储器的底部彼此相对，且所述第一非易失性存储器和第二非易失性存储器的顶部在所述底部之间彼此面对。

公开(公告)号：CN1963946B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610091210.1

申请日：2006-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  边成宰 ,  朴允童 ,  李殷洪 ,  金锡必 ,  玄在雄

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/02 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0004 ,  G11C16/0416 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568

Abstract: 本发明提供了一种混合型非易失性存储器，其可以处理高容量的数据，其中减少了用于处理单元位数据的单元面积。该存储器包括具有源极、漏极和控制栅极的晶体管。第一存储节点连接到晶体管以根据晶体管控制栅极的操作存储电荷。第一字线连接到晶体管的控制栅极，且第一位线连接到晶体管的漏极。二极管具有连接到晶体管的源极的一端以整流来自晶体管源极的电信号，且第二存储节点连接到二极管的另一端以存储电阻变化。第二位线连接到第二存储节点，且第二字线连接到晶体管的源极。