公开(公告)号：CN112542768A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202010272729.X

申请日：2020-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  申昶均 ,  金善日 ,  朴晶铉 ,  郑秉吉

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/10 ,  H01S5/026

Abstract: 提供了一种用于放大入射光的强度并调制入射光的相位的光调制器。该光调制器包括：第一分布式布拉格反射器(DBR)层，具有第一反射率，并且包括具有彼此不同的折射率并重复地交替堆叠的至少两个第一折射率层；第二DBR层，具有第二反射率，并且包括具有彼此不同的折射率并重复地交替堆叠的至少两个第二折射率层；以及有源层，设置在第一DBR层与第二DBR层之间，并且包括量子阱结构。

公开(公告)号：CN112420697A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010715381.7

申请日：2020-07-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  申宪宗 ,  郭玟灿 ,  朴贤镐 ,  郑圣宪 ,  郑涌植 ,  池祥源 ,  黄寅灿

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/45

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括第一有源区和第二有源区；第一源极/漏极图案，在第一有源区上；第二源极/漏极图案，在第二有源区上；分隔电介质图案，在第一源极/漏极图案与第二源极/漏极图案之间的衬底上；以及第一接触图案，在第一源极/漏极图案上，其中第一接触图案包括：第一金属图案；第一阻挡图案，在第一金属图案与第一源极/漏极图案之间；以及第二阻挡图案，在第一阻挡图案与第一源极/漏极图案之间，其中第一阻挡图案接触分隔电介质图案并且沿着第一金属图案的与分隔电介质图案相邻的侧壁延伸。

公开(公告)号：CN106873051A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201611127786.9

申请日：2016-12-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善日 ,  申昶均 ,  李斗铉 ,  金桢佑

IPC: G02B1/00

Abstract: 本公开提供一种超器件以及导引光的方法。一种超器件包括：多个超结构，彼此间隔开并反射入射光的至少一部分；以及控制器，包括彼此间隔开的多个电极，并配置为采用施加到多个电极的电压来控制反射光的相位偏移。

公开(公告)号：CN101377618A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810130342.X

申请日：2008-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵恩亨 ,  左圣熏 ,  孙镇昇 ,  李斗铉

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供一种双面压印光刻系统，该双面压印光刻系统包括：介质支撑单元，支撑介质，其中，所述介质的两个表面涂覆有紫外(UV)硬化树脂；第一模具支撑单元和第二模具支撑单元，分别支撑第一模具和第二模具，并分别设置在介质支撑单元之上和之下；竖直运动装置，使介质支撑单元、第一模具支撑单元和第二模具支撑单元中的至少一个竖直地运动；第一UV照射装置，安装在第一模具支撑单元之上，以照射UV光线；第二UV照射装置，安装在第二模具支撑单元之下，以照射UV光线。

公开(公告)号：CN101144977A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200710096093.2

申请日：2007-04-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  孙镇升 ,  李丙圭 ,  赵恩亨

IPC: G03F7/00 ,  G03F1/14

CPC classification number: B29C59/022 ,  B29C33/424 ,  B29C33/56 ,  B29C35/0888 ,  B29C2035/0827 ,  B29C2059/023 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002

Abstract: 提供了一种纳米压印模子及其制造方法，其能够用于将纳米级结构复制到聚合物层。所述纳米压印模子包括：基板；形成在所述基板上的含有凸凹图案的图案部分；在所述图案部分的表面上的硬化层，所述硬化层由具有比所述图案部分更高的硬度的材料形成；以及形成在所述硬化层的表面上的分离层。在本发明的纳米压印模子中，甚至可以将原始图案均匀复制在具有不规则表面的基板上。此外，能够防止图案被压力所损坏以及被合成树脂所污染，导致了更高的精度和图案的耐久性。

公开(公告)号：CN118412338A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202311803297.0

申请日：2023-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴葰颖 ,  申宪宗 ,  张在兰 ,  李斗铉

IPC: H01L23/528 ,  H01L25/16 ,  H10B80/00 ,  H01L21/60

Abstract: 集成电路装置包括：第一衬底，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且在第一衬底中包括有源装置；BEOL结构，其设置在第一衬底的第一表面上，并且被配置为路由信号；第二衬底，其设置在第一衬底的第一表面上，且第一BEOL结构设置在第二衬底与第一衬底的第一表面之间，并且在第二衬底中包括无源装置；电力分布结构，其设置在第一衬底的第二表面上；第一接合结构，其位于第一BEOL结构上；以及第二接合结构，其设置在第一接合结构与第二衬底之间。

公开(公告)号：CN111381247B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN201910540781.6

申请日：2019-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴晶铉 ,  金善日 ,  李斗铉 ,  郑秉吉

IPC: G01S17/931

Abstract: 提供了一种波束扫描设备和包括波束扫描设备的系统。波束扫描设备包括：空间光调制器，被配置为针对多个像素中的对应像素调制光的相位；以及相位掩模，包括被布置在从空间光调制器输出的光的输出方向上的支撑板和针对多个像素中的每个像素不同地布置在支撑板上以控制光的相位的多个纳米结构。

公开(公告)号：CN117878120A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202310983480.7

申请日：2023-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘智旼 ,  申宪宗 ,  李斗铉

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/764

Abstract: 半导体装置包括：衬底；在衬底上在第一水平方向上延伸的第一有源图案和第二有源图案；分别在第一有源图案和第二有源图案上在第二水平方向上延伸的第一栅电极和第二栅电极；第一沟槽，其在第一栅电极与第二栅电极之间在第二水平方向上延伸，并且将第一有源图案和第二有源图案分离，第一沟槽的至少一部分位于衬底中；有源切口，其沿着第一沟槽的侧壁和底表面延伸并且接触第一有源图案和第二有源图案中的每一个；第二沟槽，其在第一沟槽中位于有源切口上；以及可流动材料层，其位于第二沟槽的至少一部分中，可流动材料层包括可流动绝缘材料，并且不与衬底以及第一有源图案和第二有源图案中的每一个接触。

公开(公告)号：CN117438428A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310881687.3

申请日：2023-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  申宪宗 ,  金善培 ,  张在兰

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/77

Abstract: 一种半导体装置包括：衬底，其包括单元区、在第一方向上与单元区间隔开的虚设区以及单元区与虚设区之间的边界区；单元区上的有源图案；衬底上的器件隔离层；有源图案上的源极/漏极图案和源极/漏极图案之间的沟道图案；单元栅电极，其在第二方向上与沟道图案交叉；有源接触件，其设置在单元区上以及单元栅电极之间并且耦接至源极/漏极图案；虚设栅电极，其在虚设区上和器件隔离层上；虚设接触件，其在虚设区上和虚设栅电极中的每一个的侧表面上；层间绝缘层，其在虚设栅电极中的每一个的侧表面上；以及坝结构，其在边界区上。

公开(公告)号：CN116412914A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202211036960.4

申请日：2022-08-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镇明 ,  宋炳权 ,  梁有盛 ,  李斗铉 ,  李丙圭

IPC: G01J5/20 ,  G01J5/22 ,  G01J5/02

Abstract: 一种红外传感器，包括：第一磁阻单元；第二磁阻单元；以及光吸收层，吸收光并发射热，其中，第一磁阻单元包括彼此电连接的第一磁阻元件和第二磁阻元件，第二磁阻单元包括彼此电连接的第三磁阻元件和第四磁阻元件，第一磁阻元件和第三磁阻元件各自具有磁化方向的反平行状态，第二磁阻元件和第四磁阻元件各自具有磁化方向的平行状态，并且第一磁阻元件通过第二磁阻元件电连接到第三磁阻元件。