-
公开(公告)号:CN107123723B
公开(公告)日:2020-08-18
申请号:CN201710102671.2
申请日:2017-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种发光器件封装件包括:设置为在水平方向上彼此间隔开的多个发光结构;位于所述多个发光结构上的中间层;以及位于中间层上的波长转换层,所述波长转换层与所述多个发光结构中的各自单独的发光结构垂直地重叠。中间层可包括多个层,所述多个层分别与不同的折射率相关联。中间层可包括多组孔,每组孔可包括分离的多个孔,并且每个波长转换层可与中间层上的单独一组孔垂直地重叠。
-
公开(公告)号:CN111146325A
公开(公告)日:2020-05-12
申请号:CN201910831316.8
申请日:2019-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/50 , H01L25/075
Abstract: 提供一种发光器件封装件和使用该发光器件封装件的显示装置,所述发光器件封装件包括:分隔结构,具有第一表面和第二表面;第一发光窗、第二发光窗和第三发光窗,穿透第一表面和第二表面;单元阵列,包括在分隔结构的第一表面上并且与第一发光窗、第二发光窗和第三发光窗叠置的第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件;第一波长转换部分和第二波长转换部分,填充第一发光窗和第二发光窗的内部,并且具有弯液形的界面;第一封装部分,包括填充第三发光窗并且覆盖第一波长转换部分和第二波长转换部分的透光有机膜层;第二封装部分,覆盖第一封装部分并且包括透光无机膜层。
-
公开(公告)号:CN106410004B
公开(公告)日:2019-12-03
申请号:CN201610630167.5
申请日:2016-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件和制造半导体发光器件的方法。所述方法包括步骤:在衬底上形成下部半导体层的第一区;使用在形成所述第一区时使用的至少一种气体,在已执行形成所述第一区的处理的腔室中原位地对所述第一区的上表面进行刻蚀;在所述第一区上形成下部半导体层的第二区;在下部半导体层上形成有源层;以及在有源层上形成上部半导体层。
-
公开(公告)号:CN107123723A
公开(公告)日:2017-09-01
申请号:CN201710102671.2
申请日:2017-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种发光器件封装件包括:设置为在水平方向上彼此间隔开的多个发光结构;位于所述多个发光结构上的中间层;以及位于中间层上的波长转换层,所述波长转换层与所述多个发光结构中的各自单独的发光结构垂直地重叠。中间层可包括多个层,所述多个层分别与不同的折射率相关联。中间层可包括多组孔,每组孔可包括分离的多个孔,并且每个波长转换层可与中间层上的单独一组孔垂直地重叠。
-
公开(公告)号:CN103594578A
公开(公告)日:2014-02-19
申请号:CN201310351232.7
申请日:2013-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/325 , H01L33/02 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及一种半导体发光器件,包括基材;设置在所述基材上的缓冲层,该缓冲层包含铝氮化物;设置在所述缓冲层上的组成分级层,该组成分级层包含第一铝氮化物和第二铝氮化物;设置在所述组成分级层上的覆盖层;和设置在所述覆盖层上的包层。所述第一铝氮化物的组成和所述第二铝氮化物的组成可以以交替的方式渐进性变化。本发明的半导体发光器件能够降低层堆叠时由层与层之间的晶格失配而导致的穿透位错和各种缺陷,并且能够改善晶片上的半导体材料的均匀性。
-
公开(公告)号:CN109121318B
公开(公告)日:2023-09-12
申请号:CN201810635217.8
申请日:2018-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供一种芯片安装方法,包括:提供第一衬底,所述第一衬底包括具有第一表面和第二表面的透光衬底、提供在第一表面上的牺牲层、以及接合到牺牲层的多个芯片;通过测试所述芯片来获得第一映射数据,所述第一映射数据定义所述芯片中的正常芯片和有缺陷的芯片的坐标;将第二衬底布置在第一表面下方;基于第一映射数据,通过向牺牲层的与正常芯片的坐标对应的位置处辐射第一激光束以移除牺牲层的一部分,从而将正常芯片与透光衬底分离,来将正常芯片布置在所述第二基底上;并且通过向第二衬底的焊料层辐射第二激光束而将正常芯片安装在第二衬底上。
-
公开(公告)号:CN116525637A
公开(公告)日:2023-08-01
申请号:CN202310042909.2
申请日:2023-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种显示设备包括:电路板,其具有驱动电路;以及像素阵列,其位于电路板上,并且包括包含多个子像素的像素单元。像素阵列还包括:半导体堆叠件,半导体堆叠件包括位于电路板上并被划分为多个LED单元的第一半导体区、以及位于第一半导体区上并具有限定多个子像素空间的分隔结构的第二半导体区;分别设置在多个子像素空间中的多个波长转换器;具有位于分隔结构的上表面上的第一部分和位于分隔结构的侧壁上的第二部分的分隔反射层,第一部分的厚度大于第二部分的厚度;以及将多个LED单元中的每一个电连接到驱动电路的第一电极和第二电极。
-
公开(公告)号:CN111146230A
公开(公告)日:2020-05-12
申请号:CN201911069059.5
申请日:2019-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了发光二极管模块和显示装置。所述发光二极管模块包括:单元阵列,包括第一至第四发光二极管单元,每个发光二极管单元具有第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层,所述单元阵列具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面;第一至第四调光部分,位于单元阵列的第二表面上以分别对应于第一至第四发光二极管单元,以分别提供红光、第一绿光、第二绿光和蓝光;光阻挡壁,位于第一至第四调光部分之间以将第一至第四调光部分彼此隔离;以及电极部分,位于单元阵列的第一表面上,并且电连接到第一至第四发光二极管单元以选择性地驱动第一至第四发光二极管单元。
-
公开(公告)号:CN109121318A
公开(公告)日:2019-01-01
申请号:CN201810635217.8
申请日:2018-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供一种芯片安装方法,包括:提供第一衬底,所述第一衬底包括具有第一表面和第二表面的透光衬底、提供在第一表面上的牺牲层、以及接合到牺牲层的多个芯片;通过测试所述芯片来获得第一映射数据,所述第一映射数据定义所述芯片中的正常芯片和有缺陷的芯片的坐标;将第二衬底布置在第一表面下方;基于第一映射数据,通过向牺牲层的与正常芯片的坐标对应的位置处辐射第一激光束以移除牺牲层的一部分,从而将正常芯片与透光衬底分离,来将正常芯片布置在所述第二基底上;并且通过向第二衬底的焊料层辐射第二激光束而将正常芯片安装在第二衬底上。
-
公开(公告)号:CN107134469A
公开(公告)日:2017-09-05
申请号:CN201710126385.X
申请日:2017-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/50 , H01L33/504 , H01L33/60 , H01L27/156 , H01L33/48
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管装置和发光设备。所述发光二极管装置构造为提供多颜色显示,该发光二极管装置包括至少部分地被划分层限定的多个发光单元。该发光二极管装置可构造为减小发光单元之间的光学干扰。该发光二极管装置包括:彼此间隔开的多个发光结构;位于发光结构各自的第一表面上的多个电极层;构造为将发光结构彼此电绝缘的分隔层;位于发光结构各自的第二表面上并且与不同颜色相关联的荧光体层;以及位于荧光体层之间以将荧光体层彼此分离的划分层。每个发光单元可包括单独的发光结构、单独一组一个或多个电极以及单独的荧光体层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-