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公开(公告)号：CN116798996A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310247347.5
申请日：2023-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了电容器和包括其的DRAM器件。所述电容器包括下电极结构，所述下电极结构包括第一下电极图案和第二下电极图案，所述第一下电极图案包括第一材料，所述第一材料包括金属，所述第二下电极图案包括不同于所述第一材料的第二材料，其中，所述第一材料和所述第二材料暴露于具有柱形状的所述下电极结构的外侧壁上。所述电容器还包括位于所述下电极结构上的电介质层和位于所述电介质层上的上电极。
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公开(公告)号：CN109121318B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201810635217.8
申请日：2018-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供一种芯片安装方法，包括：提供第一衬底，所述第一衬底包括具有第一表面和第二表面的透光衬底、提供在第一表面上的牺牲层、以及接合到牺牲层的多个芯片；通过测试所述芯片来获得第一映射数据，所述第一映射数据定义所述芯片中的正常芯片和有缺陷的芯片的坐标；将第二衬底布置在第一表面下方；基于第一映射数据，通过向牺牲层的与正常芯片的坐标对应的位置处辐射第一激光束以移除牺牲层的一部分，从而将正常芯片与透光衬底分离，来将正常芯片布置在所述第二基底上；并且通过向第二衬底的焊料层辐射第二激光束而将正常芯片安装在第二衬底上。
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公开(公告)号：CN111352881A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201911130434.2
申请日：2019-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F13/40
Abstract: 提供了一种信号发送和接收设备、存储器件及操作它们的方法。所述信号发送和接收设备包括：第一片上端接电路，所述第一片上端接电路连接到通过其发送或接收第一信号的第一引脚，当所述第一片上端接电路被启用时，所述第一片上端接电路被配置为将第一端接电阻提供给与所述第一引脚连接的信号线；第二片上端接电路，所述第二片上端接电路连接到通过其发送或接收第二信号的第二引脚，当所述第二片上端接电路被启用时，所述第二片上端接电路被配置为将第二端接电阻提供给与所述第二引脚连接的信号线；以及片上端接控制电路，所述片上端接控制电路被配置为：独立地控制所述第一片上端接电路和所述第二片上端接电路中的每一个的启用时间和停用时间。
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公开(公告)号：CN111009601A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201910628665.X
申请日：2019-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体发光装置包括第一半导体层，其在衬底上并具有第一导电类型；有源层，其在第一半导体层上；第二半导体层，其在有源层上并具有第二导电类型，第二半导体层掺杂有镁，并且具有基本平行于衬底的上表面的上表面以及相对于衬底的上表面倾斜的侧表面；以及第三半导体层，其在第二半导体层上并具有第二导电类型，第三半导体层掺杂有不同于第二半导体层的镁浓度的镁浓度，并且第三半导体层具有基本平行于衬底的上表面的上表面，以及相对于衬底的上表面倾斜的侧表面。
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公开(公告)号：CN109121318A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810635217.8
申请日：2018-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供一种芯片安装方法，包括：提供第一衬底，所述第一衬底包括具有第一表面和第二表面的透光衬底、提供在第一表面上的牺牲层、以及接合到牺牲层的多个芯片；通过测试所述芯片来获得第一映射数据，所述第一映射数据定义所述芯片中的正常芯片和有缺陷的芯片的坐标；将第二衬底布置在第一表面下方；基于第一映射数据，通过向牺牲层的与正常芯片的坐标对应的位置处辐射第一激光束以移除牺牲层的一部分，从而将正常芯片与透光衬底分离，来将正常芯片布置在所述第二基底上；并且通过向第二衬底的焊料层辐射第二激光束而将正常芯片安装在第二衬底上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111710763A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010181351.2
申请日：2020-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括：第一导电型半导体层；有源层，其覆盖第一导电型半导体层的一部分；以及第二导电型半导体层，其覆盖有源层的一部分，第二导电型半导体层的侧壁沿水平方向与有源层的侧壁间隔开。
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公开(公告)号：CN110649049A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910560832.1
申请日：2019-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/32 , G06K9/00
Abstract: 提供了一种发光器件封装件、一种包括发光器件封装件的显示装置和一种制造发光器件封装件的方法。所述发光器件封装件包括：衬底，其具有第一表面和第二表面，并且具有彼此间隔开的第一开口和第二开口；发光结构，其布置在衬底的第一表面上并且与第一开口竖直地重叠；以及图像传感器，其包括光电转换区，光电转换区布置在衬底中，并且与第二开口竖直地重叠。来自发光结构的光通过第一开口朝着衬底的第二表面发射。
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公开(公告)号：CN109962081A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811207297.3
申请日：2018-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/15
Abstract: 一种发光器件封装包括：第一波长转换部和第二波长转换部，转换入射光的波长以提供具有转换波长的光；透光分隔结构，沿着厚度方向沿着第一波长转换部和第二波长转换部的侧表面延伸，以将第一波长转换部和第二波长转换部沿着与厚度方向相交的方向分离；以及包括第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件的单元阵列，沿着厚度方向分别与第一波长转换部、第二波长转换部和透光分隔结构重叠。
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公开(公告)号：CN109962060A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811316171.X
申请日：2018-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/48
Abstract: 提供了发光器件封装和显示设备，发光器件封装包括：单元阵列，包括第一、第二和第三发光器件，每个发光器件包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，该单元阵列具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；透光基板，包括分别与第一发光器件和第二发光器件相对应的第一波长转换部分和第二波长转换部分，并且接合到第一表面；共晶接合层，包括分别与第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件相对应的第一发光窗口、第二发光窗口和第三发光窗口，并且将透光基板和第一至第三发光器件彼此接合。
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公开(公告)号：CN106653965B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201610881598.9
申请日：2016-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/06
Abstract: 提供了一种半导体发光器件，其包括：第一导电型半导体层；有源层，设置在第一导电型半导体层上，并且包括多个量子垒层和包含In的多个量子阱层，所述多个量子垒层和所述多个量子阱层彼此交替地堆叠，所述多个量子阱层包括第一量子阱层和第二量子阱层；第二导电型半导体层，设置在有源层上，其中，第一量子阱层设置成比第二量子阱层较接近于第一导电型半导体层，第二量子阱层设置成比第一量子阱层较接近于第二导电型半导体层，其中，第二量子阱层的厚度大于第一量子阱层的厚度，其中，第一量子阱层和第二量子阱层中的每个包括In成分的量变化的至少一个分级层，第二量子阱层的至少一个分级层具有比第一量子阱层的至少一个分级层大的厚度。
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