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公开(公告)号：CN106847812A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201610884035.5
申请日：2016-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L29/4991 , H01L29/0673 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66742 , H01L29/78696 , H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/823481
Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括：鳍型有源区域，从基板突出并具有在第一水平面处的上表面；纳米片，平行于鳍型有源区域的上表面延伸并包括沟道区域，纳米片位于与鳍型有源区域的上表面间隔开的第二水平面处；栅极，设置在鳍型有源区域上并围绕纳米片的至少一部分，栅极在交叉鳍型有源区域的方向上延伸；栅极介电层，设置在纳米片和栅极之间；源极和漏极区域，形成在鳍型有源区域上并连接到纳米片的一端；第一绝缘间隔物，在纳米片上，第一绝缘间隔物覆盖栅极的侧壁；以及第二绝缘间隔物，设置在栅极与源极和漏极区域之间且在鳍型有源区域的上表面和纳米片之间的空间中，第二绝缘间隔物具有多层结构。
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公开(公告)号：CN102968139B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201210264049.9
申请日：2012-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G05D23/20
CPC classification number: G05D23/1951
Abstract: 提供一种用于控制终端的温度的方法及支持该方法的终端。支持温度控制的终端包括：温度传感器，检测终端的温度；以及控制器，用于执行第一调节过程和第二调节过程中的至少一个，其中，第一调节过程包括：当由温度传感器检测到的终端的温度是第一预设温度时以第一驱动频率驱动控制器，以及当终端的温度下降到低于第一预设温度的第二预设温度时以高于第一驱动频率的第二驱动频率驱动控制器；第二调节过程包括：在第一时间内以第一驱动频率驱动控制器，以及在第一时间过去之后，在第二时间内以高于第一驱动频率的第二驱动频率驱动控制器。
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公开(公告)号：CN108983873B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN201810594756.1
申请日：2013-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/16 , G06F1/3231 , G06F1/3206 , G06F1/3215 , G06F1/3293 , G06F3/01 , G06F3/16 , G06F9/4401
Abstract: 一种用于唤醒处理器的装置和方法。该方法包括：经由包括第一处理器和第二处理器的电子设备的触摸屏接收输入，当所述第二处理器处于未激活状态时，所述触摸屏可操作地耦合到第一处理器；确定所述输入是否与对应于存储器中所存储的预定模式；以及从所述第一处理器向所述第二处理器发送信号，以将所述第二处理器从未激活状态转变到激活状态，所述发送至少部分基于确定所述输入对应于所述预定模式。
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公开(公告)号：CN107256043B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201710348748.4
申请日：2012-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G05D23/19
Abstract: 提供一种用于控制终端的温度的方法及支持该方法的终端。支持温度控制的终端包括：温度传感器，检测终端的温度；以及控制器，用于执行第一调节过程和第二调节过程中的至少一个，其中，第一调节过程包括：当由温度传感器检测到的终端的温度是第一预设温度时以第一驱动频率驱动控制器，以及当终端的温度下降到低于第一预设温度的第二预设温度时以高于第一驱动频率的第二驱动频率驱动控制器；第二调节过程包括：在第一时间内以第一驱动频率驱动控制器，以及在第一时间过去之后，在第二时间内以高于第一驱动频率的第二驱动频率驱动控制器。
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公开(公告)号：CN107256043A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710348748.4
申请日：2012-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G05D23/19
CPC classification number: G05D23/1951
Abstract: 提供一种用于控制终端的温度的方法及支持该方法的终端。支持温度控制的终端包括：温度传感器，检测终端的温度；以及控制器，用于执行第一调节过程和第二调节过程中的至少一个，其中，第一调节过程包括：当由温度传感器检测到的终端的温度是第一预设温度时以第一驱动频率驱动控制器，以及当终端的温度下降到低于第一预设温度的第二预设温度时以高于第一驱动频率的第二驱动频率驱动控制器；第二调节过程包括：在第一时间内以第一驱动频率驱动控制器，以及在第一时间过去之后，在第二时间内以高于第一驱动频率的第二驱动频率驱动控制器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107068536A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610948185.8
申请日：2016-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/28 , H01L29/423
CPC classification number: H01L21/02126 , C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45536 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/28088 , H01L27/0924 , H01L27/1104 , H01L27/1116 , H01L29/4966 , H01L29/4983 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/66795 , H01L29/7851 , H01L21/0214 , H01L21/02282 , H01L21/28194 , H01L29/42364
Abstract: 形成SiOCN材料层的方法、材料层堆叠体、半导体器件和其制造方法、及沉积装置，所述形成SiOCN材料层的方法包括：提供衬底；将硅前驱体提供到衬底上；将氧反应物提供到衬底上；将第一碳前驱体提供到衬底上；将第二碳前驱体提供到衬底上；以及将氮反应物提供到衬底上，其中第一碳前驱体和第二碳前驱体是不同的材料。
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公开(公告)号：CN103918189B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280055125.3
申请日：2012-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01K13/00 , H04M1/72569 , H04M2250/52 , H04N5/23241
Abstract: 提供了一种移动设备的温度控制系统。所述系统包括：存储器，用于存储设定温度值和释放温度值；温度传感器，用于感测移动设备的内部温度；至少一个模块，发出热；以及控制器。所述控制器将温度传感器的输出与正常模式下的设定温度值进行比较以便确定移动设备是否过热；如果移动设备过热，则控制至少一个模块在热产生抑制模式下操作；将温度传感器的输出与热产生抑制模式下的释放温度值进行比较以便确定是否释放热产生抑制模式；如果根据比较结果释放了热产生抑制模式，则执行正常模式。
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公开(公告)号：CN102968139A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210264049.9
申请日：2012-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G05D23/20
CPC classification number: G05D23/1951
Abstract: 提供一种用于控制终端的温度的方法及支持该方法的终端。支持温度控制的终端包括：温度传感器，检测终端的温度；以及控制器，用于执行第一调节过程和第二调节过程中的至少一个，其中，第一调节过程包括：当由温度传感器检测到的终端的温度是第一预设温度时以第一驱动频率驱动控制器，以及当终端的温度下降到低于第一预设温度的第二预设温度时以高于第一驱动频率的第二驱动频率驱动控制器；第二调节过程包括：在第一时间内以第一驱动频率驱动控制器，以及在第一时间过去之后，在第二时间内以高于第一驱动频率的第二驱动频率驱动控制器。
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公开(公告)号：CN102437171A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110302683.2
申请日：2011-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/1333 , G02F1/133351 , G02F1/1339 , G02F2201/503 , G02F2202/28 , H01L27/3244 , H01L51/524 , Y10T29/49002
Abstract: 提供了一种显示面板及其制造方法。所述显示面板包括：多个芯片面板，每个芯片面板具有上表面、与上表面平行设置的下表面、位于上表面与下表面之间的侧表面及位于侧表面与上表面和下表面中的至少一个之间的连接部分，连接部分具有倒圆结构；粘合层，置于多个芯片面板之间以垂直堆叠多个芯片面板并连接多个芯片面板。因此，在显示面板中，可提高边缘部分的强度。另外，通过形成连接部分，可抑制由于外部机械应力导致的应力聚集在边缘部分处。
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公开(公告)号：CN109216197B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201810593036.3
申请日：2018-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：形成包括交替地堆叠在衬底上的至少一个牺牲层和至少一个半导体层的堆叠结构；在堆叠结构上形成伪栅结构；使用伪栅结构作为掩模来在堆叠结构中蚀刻凹部；蚀刻牺牲层被凹部暴露的部分以形成蚀刻的牺牲层；在蚀刻的牺牲层上形成第一间隔膜；在第一间隔膜上形成第二间隔膜，第二间隔膜包括与第一间隔膜的材料不同的材料；去除第二间隔膜的第一部分，使得第二间隔膜的第二部分保留；以及在第二间隔膜的第二部分上形成第三间隔膜。
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