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公开(公告)号：CN101051583A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200610142801.7
申请日：2006-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种使用碳纳米管的场发射电极及制造其的方法。该场发射电极包括基板、形成在基板上的ZnO层、及形成在ZnO层上的碳纳米管。因此，场发射装置的驱动电压可通过向场发射装置应用包括形成在ZnO层上的单壁碳纳米管的电极而降低。
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公开(公告)号：CN101022131A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200610121887.5
申请日：2006-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L51/0048 , B82Y10/00 , D01F11/121 , H01L51/002 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供一种具有载流子俘获材料的单极碳纳米管以及具有该单极碳纳米管的单极场效应晶体管。密封在碳纳米管中的载流子俘获材料通过掺杂该碳纳米管而容易地将碳纳米管的双极特性转变成单极特性。另外，p型和n型碳纳米管和场效应晶体管可以根据载流子俘获材料来实现。
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公开(公告)号：CN1825594A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610004871.6
申请日：2006-01-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/78
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C11/56 , G11C2213/17 , H01L29/42332 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7887 , H01L29/7923 , H01L51/0048 , H01L51/0554 , Y10S977/938 , Y10S977/943
Abstract: 本发明涉及使用碳纳米管沟道的多位非易失性存储器件及其操作方法。该多位非易失性存储器件包括：由至少一个碳纳米管形成且在一方向上延伸的沟道；源极和漏极，其沿该沟道延伸的该方向彼此隔开布置，且接触该沟道的不同部分；形成在该沟道之下的第一存储节点；形成在该沟道上的第二存储节点；形成在该第一存储节点之下的第一栅极电极；以及形成在该第二存储节点上的第二栅极电极。
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公开(公告)号：CN1747059A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510087878.4
申请日：2005-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673
Abstract: 本发明涉及磁膜结构及其制造方法、半导体器件及其运行方法。该磁膜结构包括：下磁膜；形成在该下磁膜上的隧穿膜；形成在该隧穿膜上的上磁膜，其中该下和上磁膜是铁磁膜，当该下和上磁膜具有相反的磁化方向时，在其间形成电化学势差。
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公开(公告)号：CN1551358A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410043078.8
申请日：2004-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G11C11/16 , H01F10/3254 , H01F41/307 , H01L27/228
Abstract: 提供一种包含由不同的方法形成的中间氧化层的磁性随机存取存储器(MRAM)及其制造方法。MRAM包含由一下磁性层，一防氧化层，一隧穿氧化层，及一上磁性层形成的一磁性隧道结(MTJ)。隧穿氧化层由原子层淀积(ALD)法形成，其它材料层，尤其是防氧化层由与原子层淀积法不同的方法形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1426065A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN02128682.5
申请日：2002-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15 , H01L27/105
Abstract: 本发明公开了一种磁随机存取存储器及其制造方法。该利用磁畴阻滞的磁随机存取存储器包括：数据存储单元，该单元包括固定层、非磁性层和自由层；数据输入单元，该单元与该自由层的两端电连接，用于将电流施加到该自由层上，以将数据输入至数据存储单元内；以及数据输出单元，该单元与自由层和固定层电连接，以将存储在数据存储单元中的数据输出。因此，该磁随机存取存储器具有比使用反转磁场来记录数据的存储器更优秀的性能。
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公开(公告)号：CN1637927B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200410010486.3
申请日：2004-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种磁随机存取存储器(MRAM)及其制造方法。该MRAM包括开关器件和与该开关器件相连的MTJ单元，其特点是包括一被钉扎膜，该被钉扎膜包括一金属膜及围绕该金属膜的一磁性膜。
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公开(公告)号：CN100560481C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200410081780.3
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/172 , C01B2202/22 , C01P2006/40 , Y10S977/745 , Y10S977/748 , Y10S977/75 , Y10S977/789
Abstract: 本发明提供了一种半导电碳纳米管的分离方法，它包括：将碳纳米管与硝酸和硫酸的混合酸溶液混合，获得碳纳米管分散体；对碳纳米管分散体进行搅拌；对碳纳米管分散体进行过滤；以及加热过滤后的碳纳米管，以除掉官能团。
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公开(公告)号：CN1994875A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610080305.3
申请日：2006-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , Y10S977/749 , Y10S977/842 , Y10S977/843
Abstract: 提供了形成氮掺杂单壁纳米管的方法。所述方法包括：在基底上形成催化剂金属层；将具有所述催化剂金属层的所述基底加入到反应室中；在所述反应室中形成H2O等离子体气氛；和通过将碳前体和氮前体供给到所述反应室中在所述催化剂金属层上形成氮掺杂碳纳米管，其中在所述反应室中于所述H2O等离子体气氛下所述前体间发生了化学反应。
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公开(公告)号：CN1841659A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610054949.5
申请日：2006-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种硅纳米线、一种包括硅纳米线的半导体器件以及制造该硅纳米线的方法。该方法包括：形成具有多个微腔的微型槽，该微型槽在硅衬底的表面上形成规则的图案；在硅衬底中形成掺杂第一掺杂剂的第一掺杂层，并在第一掺杂层与硅衬底的表面之间形成掺杂第二掺杂剂的第二掺杂层；通过在硅衬底上淀积起到催化剂作用以形成纳米线的材料在硅衬底上形成金属层；通过加热该金属层形成催化剂，从而使在硅衬底的表面上的微型槽内的金属层凝聚；以及利用热工艺在催化剂与硅衬底之间生长纳米线。
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